公开(公告)号：CN101404257A

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200810161763.9

申请日：2008-09-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 手塚勉 ,  丰田英二

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7842 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明能够提供一种尽可能地抑制沟道大小以及形状的波动、并且使沟道宽度尽可能小的场效应晶体管及其制造方法。该场效应晶体管的制造方法具备：在半导体基板上形成绝缘膜的掩模的工序，该半导体基板的上表面具备包含Si的半导体层；通过使用掩模来进行蚀刻从而将半导体层加工为向与半导体基板的上表面平行的一个方向延伸的台面状的工序；通过进行氢环境中的热处理，使半导体层的向一个方向延伸且相对的一对侧面间的距离变窄并且使侧面平坦化的工序；形成覆盖侧面被平坦化的半导体层的栅极绝缘膜的工序；形成覆盖栅极绝缘膜的栅电极的工序；以及在栅电极两侧的半导体层上形成源/漏区的工序。

公开(公告)号：CN101404257B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200810161763.9

申请日：2008-09-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 手塚勉 ,  丰田英二

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7842 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明能够提供一种尽可能地抑制沟道大小以及形状的波动、并且使沟道宽度尽可能小的场效应晶体管及其制造方法。该场效应晶体管的制造方法具备：在半导体基板上形成绝缘膜的掩模的工序，该半导体基板的上表面具备包含Si的半导体层；通过使用掩模来进行蚀刻从而将半导体层加工为向与半导体基板的上表面平行的一个方向延伸的台面状的工序；通过进行氢环境中的热处理，使半导体层的向一个方向延伸且相对的一对侧面间的距离变窄并且使侧面平坦化的工序；形成覆盖侧面被平坦化的半导体层的栅极绝缘膜的工序；形成覆盖栅极绝缘膜的栅电极的工序；以及在栅电极两侧的半导体层上形成源/漏区的工序。