公开(公告)号：CN102593118A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201110362688.4

申请日：2011-11-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 臼田宏治 ,  手塚勉

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/70

CPC classification number: H01L21/28518 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78654

Abstract: 公开了半导体器件及其制造方法。按照实施例的半导体器件包括：衬底；在衬底上形成并具有应变的第一半导体层；在第一半导体层上相互隔开一定距离形成并且晶格常数不同于第一半导体层的晶格常数的第二和第三半导体层；在第一半导体层的第一部分上形成的栅极绝缘膜，所述第一部分位于第二半导体层和第三半导体层之间；以及在栅极绝缘膜上形成的栅电极。第二半导体层的外表面区和第一半导体层的第二部分的外表面区中的至少一个是第一硅化物区，以及第三半导体层的外表面区和第一半导体层的第三部分的外表面区中的至少一个是第二硅化物区，所述第二部分和第三部分分别直接位于第二半导体层和第三半导体层下面。

公开(公告)号：CN102593118B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201110362688.4

申请日：2011-11-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 臼田宏治 ,  手塚勉

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/70

CPC classification number: H01L21/28518 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78654

Abstract: 公开了半导体器件及其制造方法。按照实施例的半导体器件包括：衬底；在衬底上形成并具有应变的第一半导体层；在第一半导体层上相互隔开一定距离形成并且晶格常数不同于第一半导体层的晶格常数的第二和第三半导体层；在第一半导体层的第一部分上形成的栅极绝缘膜，所述第一部分位于第二半导体层和第三半导体层之间；以及在栅极绝缘膜上形成的栅电极。第二半导体层的外表面区和第一半导体层的第二部分的外表面区中的至少一个是第一硅化物区，以及第三半导体层的外表面区和第一半导体层的第三部分的外表面区中的至少一个是第二硅化物区，所述第二部分和第三部分分别直接位于第二半导体层和第三半导体层下面。