公开(公告)号：CN100563000C

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200710096315.0

申请日：2007-04-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 关口正博 ,  高桥健司 ,  沼田英夫 ,  白河达彦 ,  佐藤二尚

IPC: H01L25/00 ,  H01L25/065 ,  H01L25/10 ,  H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/18 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种半导体器件，具备：表面侧形成有电极焊盘的半导体基板；贯通电极，其具有：形成为从所述半导体基板的背面侧到达形成于所述电极焊盘上的金属凸块的贯通孔，以覆盖所述贯通孔的内壁的方式形成的绝缘树脂，以及在利用所述绝缘树脂与所述半导体基板绝缘的状态下形成于所述贯通孔内，并将所述电极焊盘与所述半导体基板的背面侧电连接的导体；半导体芯片，其以背面彼此相对的方式安装在所述半导体基板的背面侧；以及布线，其将所述贯通电极和形成于所述半导体芯片的电极电连接。

公开(公告)号：CN101055867A

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN200710096315.0

申请日：2007-04-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 关口正博 ,  高桥健司 ,  沼田英夫 ,  白河达彦 ,  佐藤二尚

IPC: H01L25/00 ,  H01L25/065 ,  H01L25/10 ,  H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/18 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种半导体器件，具备：表面侧形成有电极焊盘的半导体基板；贯通电极，其具有：形成为从所述半导体基板的背面侧到达形成于所述电极焊盘上的金属凸块的贯通孔，以覆盖所述贯通孔的内壁的方式形成的绝缘树脂，以及在利用所述绝缘树脂与所述半导体基板绝缘的状态下形成于所述贯通孔内，并将所述电极焊盘与所述半导体基板的背面侧电连接的导体；半导体芯片，其以背面彼此相对的方式安装在所述半导体基板的背面侧；以及布线，其将所述贯通电极和形成于所述半导体芯片的电极电连接。

公开(公告)号：CN105990124A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510848886.X

申请日：2015-11-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 白河达彦 ,  高桥健司 ,  高野英治 ,  志摩真也

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/263 ,  B32B43/00

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L21/304 ,  B32B43/006 ,  H01L21/263

Abstract: 本发明的实施方式提供一种能提高支撑基板的材料选择自由度的半导体装置的制造方法及半导体装置的制造装置。本实施方式的半导体装置的制造方法是对具备半导体基板、支撑基板及接合层的积层体，从支撑基板侧照射具有0.11至0.14eV的能量的电磁波，所述支撑基板含有硅，所述接合层配置在半导体基板与支撑基板之间，且将半导体基板与支撑基板接合。而且，在半导体装置的制造方法中，将半导体基板从支撑基板分离。