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公开(公告)号：CN116779668A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202210902723.5
申请日：2022-07-29
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/207
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体和半导体装置。提供能够提高特性的氮化物半导体和半导体装置。根据实施方式，氮化物半导体的氮化物部件含有：包含Alx1Ga1‑x1N(0
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公开(公告)号：CN115706142A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210096948.6
申请日：2022-01-27
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/201 , H01L29/207 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 提供能够提高质量的氮化物半导体、半导体装置以及氮化物半导体的制造方法。根据实施方式，氮化物半导体包括基体和氮化物构件。氮化物构件包括：第一氮化物区域，包含Alx1Ga1‑x1N(0
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公开(公告)号：CN116053320A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202210896266.3
申请日：2022-07-28
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明提供一种可提高特性的氮化物半导体、半导体装置及氮化物半导体的制造方法。根据实施方式，氮化物半导体包含：含硼的基体、含Alx1Ga1‑x1N(0.98＜x1≤1)的第1氮化物区域、和含Alx2Ga1‑x2N(0≤x2＜1、x2＜x1)的第2氮化物区域。所述基体中的硼的浓度为1×1019cm‑3以上。所述第1氮化物区域位于所述基体与所述第2氮化物区域之间。所述第1氮化物区域包含与所述基体相对的第1面和与所述第2氮化物区域相对的第2面。所述第2面中的硼的第2浓度为所述第1面中的硼的第1浓度的1/8000以下。
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公开(公告)号：CN119008657A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410160038.9
申请日：2024-02-05
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 提供能够提高特性的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置包括第1～第3电极、第1、第2半导体区域。第1半导体区域包含Alx1Ga1‑x1N(0≤x1
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公开(公告)号：CN117894828A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311006796.7
申请日：2023-08-10
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/04 , H01L29/20 , H01L29/205
Abstract: 提供能够提高特性的半导体构造体以及半导体装置。根据实施方式，半导体构造体包括：基板，包含硅晶体；第1层，包含AlN晶体；以及中间区域，设置于所述硅晶体与所述AlN晶体之间，包含Al以及氮。从所述硅晶体向所述AlN晶体的方向沿着第1方向。所述中间区域中的Al原子的晶格的所述第1方向上的第3晶面间距比所述硅晶体的所述第1方向上的第1晶面间距长、且比所述AlN晶体的所述第1方向上的第2晶面间距长。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119997575A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202410725356.5
申请日：2024-06-06
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H10D62/10 , H10D62/85 , H10D62/854 , H10D30/47
Abstract: 本发明提供一种氮化物结构体和半导体装置，其特性得以提高。根据实施方式，氮化物结构体包括层叠体。所述层叠体包括：含硅基体、含AlN的第1氮化物区域和含Alz2Ga1‑z2N(0≤z2
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公开(公告)号：CN116314251A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202210897073.X
申请日：2022-07-28
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/207 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种可提高生产率的晶片、半导体装置及晶片的制造方法。根据实施方式，晶片包含具有第1面的硅基板和设在第1面上的氮化物半导体层。所述硅基板包含在晶片的X射线图像中能够相互区别的多个第1区域。所述多个第1区域远离所述硅基板的外缘区域。所述多个第1区域中的一个包含沿着第1线方向的多个第1线状体。所述多个第1区域中的另一个包含沿着第2线方向的多个第2线状体。所述第2线方向与所述第1线方向交叉。
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公开(公告)号：CN115706143A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210097012.5
申请日：2022-01-27
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/201 , H01L29/207 , H01L29/778 , H01L21/335 , C23C16/30
Abstract: 提供一种氮化物半导体、半导体装置以及氮化物半导体的制造方法，能够抑制翘曲。根据实施方式，氮化物半导体包括基体、氮化物部件以及设置于所述基体与所述氮化物部件之间的中间区域。所述氮化物部件包括：含有Alx1Ga1‑x1N的第1氮化物区域，其中，0
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公开(公告)号：CN105390584A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510507533.3
申请日：2015-08-18
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L27/156 , H01L25/0753 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L33/46 , H01L33/62 , H01L33/48 , H01L33/647
Abstract: 半导体发光元件包括基体、第一半导体层、第二半导体层、第一发光层、第一导电层、第三半导体层、第四半导体层、第二发光层、第二导电层、第一部件和第二部件。所述第一部件包括第一端部和第二端部。第一端部定位在基体与第一导电层之间并且电连接于第一导电层，第二端部不与第二导电层重叠。第二部件包括第三端部和第四端部。第三端部定位在基体与第二导电层之间并且电连接于第二导电层。第四端部电连接于第二端部。
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公开(公告)号：CN105098010A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510098499.9
申请日：2015-03-05
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/005 , H01L33/145 , H01L2933/0016 , H01L33/0075
Abstract: 本发明的实施方式涉及一种半导体发光元件及其制造方法。实施方式的半导体发光元件包含积层体、第一电极、第二电极、及第一层。所述积层体包含：第一半导体层、第二半导体层、及发光层。所述第一半导体层具有第一导电型。所述第二半导体层具有第二导电型。所述发光层设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间。所述第一电极连接在所述第一半导体层。所述第一电极包含：线状部分、及转向部分。所述线状部分相连在所述转向部分。所述第二电极连接在所述第二半导体层。所述第一层设置在所述第一半导体层的一部分与所述第一电极的所述转向部分之间。
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