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公开(公告)号：CN116779668A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202210902723.5
申请日：2022-07-29
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/207
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体和半导体装置。提供能够提高特性的氮化物半导体和半导体装置。根据实施方式，氮化物半导体的氮化物部件含有：包含Alx1Ga1‑x1N(0
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公开(公告)号：CN119767759A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202410725329.8
申请日：2024-06-06
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化物结构体和半导体装置，其特性得以提高。根据实施方式，氮化物结构体包括：基体、氮化物部件、以及含Ga和N的半导体部件。氮化物部件在第1方向上设置在基体和半导体部件之间。氮化物部件包括第1氮化物区域、第2氮化物区域和第3氮化物区域。第1氮化物区域设置在基体和第3氮化物区域之间。第2氮化物区域设置在第1氮化物区域和第3氮化物区域之间。第1氮化物区域包含AlN。第2氮化物区域包含Alx2Ga1‑x2N(0
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公开(公告)号：CN119008665A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410200862.2
申请日：2024-02-23
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/267 , H01L29/778
Abstract: 本申请提供能够提高特性的晶片和半导体装置。根据实施方式，晶片包含硅基板、第1层和多个结构体。所述第1层包含铝和氮。所述多个结构体在从所述硅基板向所述第1层的第1方向上设置在所述硅基板的一部分与所述第1层的一部分之间。所述多个结构体包含：包含选自Ni、Cu、Cr、Mn、Fe和Co中的至少一个的第1元素、和硅。所述第1层的另一部分与所述硅基板的另一部分相接。
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公开(公告)号：CN117894828A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311006796.7
申请日：2023-08-10
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/04 , H01L29/20 , H01L29/205
Abstract: 提供能够提高特性的半导体构造体以及半导体装置。根据实施方式，半导体构造体包括：基板，包含硅晶体；第1层，包含AlN晶体；以及中间区域，设置于所述硅晶体与所述AlN晶体之间，包含Al以及氮。从所述硅晶体向所述AlN晶体的方向沿着第1方向。所述中间区域中的Al原子的晶格的所述第1方向上的第3晶面间距比所述硅晶体的所述第1方向上的第1晶面间距长、且比所述AlN晶体的所述第1方向上的第2晶面间距长。
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公开(公告)号：CN119997575A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202410725356.5
申请日：2024-06-06
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H10D62/10 , H10D62/85 , H10D62/854 , H10D30/47
Abstract: 本发明提供一种氮化物结构体和半导体装置，其特性得以提高。根据实施方式，氮化物结构体包括层叠体。所述层叠体包括：含硅基体、含AlN的第1氮化物区域和含Alz2Ga1‑z2N(0≤z2
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103839979B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310394029.8
申请日：2013-09-03
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L29/2003 , H01L21/0254 , H01L29/205 , H01L29/267 , H01L33/32
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体器件、氮化物半导体晶片和形成氮化物半导体层的方法。根据一个实施例，一种氮化物半导体器件包括层叠体和功能层。所述层叠体包括由AlxGa1‑xN（0
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公开(公告)号：CN103839979A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201310394029.8
申请日：2013-09-03
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L29/2003 , H01L21/0254 , H01L29/205 , H01L29/267 , H01L33/32 , H01L33/007 , H01L33/22
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体器件、氮化物半导体晶片和形成氮化物半导体层的方法。根据一个实施例，一种氮化物半导体器件包括层叠体和功能层。所述层叠体包括由AlxGa1-xN（0
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公开(公告)号：CN110491938B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201910158431.3
申请日：2019-03-04
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/778 , H01L23/373
Abstract: 本发明提供一种半导体装置。根据实施方式，半导体装置包含第一～第三区域和第一～第三电极。第一区域包含SiC，包含第一、第二部分区域、和第一、第二部分区域之间的第三部分区域。从第一部分区域向第一电极的方向、从第二部分区域向第二电极的方向、从第三部分区域向第三电极的方向沿第一方向。从第一电极向第二电极的第二方向与第一方向交叉。在第二方向，第三电极位于第一、第二电极之间。第二区域包含Alx2Ga1‑x2N(0.2≤x2
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公开(公告)号：CN103311393B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201210558342.6
申请日：2012-12-20
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L29/205 , B82Y20/00 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L29/2003 , H01L29/365 , H01L29/7783 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/32
Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体元件和氮化物半导体晶片。根据一个实施例，氮化物半导体元件包括基础层、功能层和堆叠体。在基础层与功能层之间提供堆叠体。堆叠体包括第一堆叠中间层，所述第一堆叠中间层包括第一GaN中间层，Alx1Ga1-x1N(0
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公开(公告)号：CN104253180A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201410301753.6
申请日：2014-06-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L29/2003 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02494 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L29/1075 , H01L29/7786
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体元件、氮化物半导体晶片和形成氮化物半导体层的方法。根据一个实施例，一种氮化物半导体元件包括：层叠体；以及功能层。所述层叠体包括第一GaN层、第一层和第二GaN层。第一GaN层包括第一凸起。所述第一层设于第一GaN层上并且包含Si和Mg中的至少一种。第二GaN层设于所述第一层上并且包括第二凸起。所述第二凸起的底部的长度小于所述第一凸起的底部的长度。功能层设于所述层叠体上并且包括氮化物半导体。
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