Patent search ap:("株式会社东芝") AND inv:"伊野孝佳" Page 1

1.

发明公开
半导体器件及其制造方法无效

公开(公告)号：CN1375880A

公开(公告)日：2002-10-23

申请号：CN02118560.3

申请日：2002-03-19

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 奥村秀树 , 大泽明彦 , 伊野孝佳

IPC: H01L29/78 , H01L29/744

CPC classification number: H01L29/7827 , H01L29/0696 , H01L29/4236 , H01L29/66666

Abstract: 一种半导体器件,包括:形成在半导体衬底的背面侧的漏极区域;在漏极区域上形成且具有部分地在多个场所处在衬底主面上露出的部分的基极区域;一面与上述基极区域相接而另一面在衬底主面上露出的源极区域;栅极绝缘膜,实际仅在沟槽的侧壁上形成,该沟槽形成为从衬底主面开始在纵向上将底面配置在漏极区域中;栅极电极,埋置在沟槽内,形成在其上面位于比源极区域和基极区域的接合面更靠上部并且比衬底主面低的位置处;埋置绝缘膜,埋置在沟槽中未埋置栅极电极的部分中。

Patent Agency Ranking