公开(公告)号：CN107845397A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201710158475.7

申请日：2017-03-17

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 安部惠子 ,  野口纮希 ,  武田进 ,  野村久美子 ,  藤田忍

IPC: G11C11/16 ,  G11C11/406

Abstract: 本发明的实施方式涉及存储器系统以及处理器系统。提供使非易失性存储器的数据保持特性提高的存储器系统以及处理器系统。根据一个方式的存储器系统，具备：非易失性存储器，具有易失性存储器的存储器容量以下的存储器容量，储存在所述易失性存储器中所储存的数据的至少一部分；第1控制部，刷新所述易失性存储器内的数据；以及第2控制部，在所述第1控制部刷新所述易失性存储器内的数据的第2期间与接下来进行刷新的第3期间之间的第1期间内，将从所述易失性存储器读出的数据重写到所述非易失性存储器。

公开(公告)号：CN114975627A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202111001524.9

申请日：2021-08-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 水岛公一 ,  丸龟孝生 ,  西义史 ,  野村久美子

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/115 ,  G11C11/40 ,  G06N3/08 ,  G06N3/04

Abstract: 本发明的实施方式涉及非易失性存储器件。本发明所要解决的技术问题在于提供一种能够高精度化的非易失性存储器件。实施方式的非易失性存储器件具有分别是场效应型且具有栅极电极的多个晶体管。栅极电极包括隧道绝缘膜、第一集电体膜、离子传导体膜、第一电极膜、第二电极膜和第二集电体膜。隧道绝缘膜覆盖沟道区域。第一集电体膜相对于隧道绝缘膜被配置于沟道区域的相反侧。离子传导体膜配置于隧道绝缘膜与第一集电体膜之间。第一电极膜配置于隧道绝缘膜与离子传导体膜之间。第一电极膜与离子传导体膜接触。第二电极膜配置于离子传导体膜与第一集电体膜之间。第二电极膜与离子传导体膜接触。第二集电体膜配置于隧道绝缘膜与第二电极膜之间。