公开(公告)号：CN101154705A

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200710089024.9

申请日：2007-03-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐藤利江 ,  水岛公一 ,  工藤究

IPC: H01L43/08 ,  G01R33/09 ,  G11B5/39

CPC classification number: G01R33/093 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B2005/0016

Abstract: 本发明要解决的技术问题是作为磁传感器的磁性振荡元件细微化加工技术的困难及磁的热噪声引起的SN比下降。本发明的磁传感器具有：磁性振荡元件，该磁性振荡元件具有磁化方向被固定的第一磁化固定层、第一磁化振荡层、设置在第一磁化固定层与第一磁化振荡层之间的第一非磁性层、以及对第一磁化固定层和第一磁化振荡层以及第一非磁性层的膜面在垂直方向上进行通电的一对电极，并且其振荡频率根据外部磁场的大小的变化而变化；以及振荡元件，该振荡元件设置在该磁性振荡元件附近，其振荡频率与所述磁性振荡元件的振荡频率的差在预定范围之内；该磁传感器通过通电而获取在磁性振荡元件和振荡元件产生的高频振荡信号。

公开(公告)号：CN112101533B

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202010160668.8

申请日：2020-03-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐藤利江 ,  水岛公一

IPC: G06N3/063 ,  G06N3/067

Abstract: 根据实施方式，所涉及的运算装置包括运算电路。所述运算电路包括存储部和运算部，所述存储部包括多个存储区域。所述多个存储区域中的一个存储区域包括：电容，其包括第1端子；以及第1电气电路，其与所述第1端子电连接，能够输出与所述第1端子的电位相应的电压信号。由此，提供实用的运算装置。

公开(公告)号：CN100433181C

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200410031295.5

申请日：2004-03-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐藤利江 ,  水岛公一

IPC: G11C11/00

CPC classification number: G11C11/15

Abstract: 一种磁存储器包括：一个配置用于自旋极化构成写入电流的电子的自旋极化单元；一个配置用于将构成写入电流的电子转换成热电子的热电子生成单元；以及一个由经过自旋极化单元自旋极化并经过热电子生成单元转换成热电子的写入电流进行磁化方向倒转处理的磁层。

公开(公告)号：CN114975627A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202111001524.9

申请日：2021-08-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 水岛公一 ,  丸龟孝生 ,  西义史 ,  野村久美子

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/115 ,  G11C11/40 ,  G06N3/08 ,  G06N3/04

Abstract: 本发明的实施方式涉及非易失性存储器件。本发明所要解决的技术问题在于提供一种能够高精度化的非易失性存储器件。实施方式的非易失性存储器件具有分别是场效应型且具有栅极电极的多个晶体管。栅极电极包括隧道绝缘膜、第一集电体膜、离子传导体膜、第一电极膜、第二电极膜和第二集电体膜。隧道绝缘膜覆盖沟道区域。第一集电体膜相对于隧道绝缘膜被配置于沟道区域的相反侧。离子传导体膜配置于隧道绝缘膜与第一集电体膜之间。第一电极膜配置于隧道绝缘膜与离子传导体膜之间。第一电极膜与离子传导体膜接触。第二电极膜配置于离子传导体膜与第一集电体膜之间。第二电极膜与离子传导体膜接触。第二集电体膜配置于隧道绝缘膜与第二电极膜之间。

公开(公告)号：CN1542843A

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN200410031295.5

申请日：2004-03-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐藤利江 ,  水岛公一

IPC: G11C11/00

CPC classification number: G11C11/15

Abstract: 一种磁存储器包括：一个配置用于自旋极化构成写入电流的电子的自旋极化单元；一个配置用于将构成写入电流的电子转换成热电子的热电子生成单元；以及一个由经过自旋极化单元自旋极化并经过热电子生成单元转换成热电子的写入电流进行磁化方向倒转处理的磁层。