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公开(公告)号：CN106663465A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580046308.2
申请日：2015-07-01
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11C11/15 , G11C13/00 , H01L21/8246 , H01L27/10 , H01L27/105
CPC classification number: G11C11/1673 , G11C11/161 , G11C11/1653 , G11C11/1655 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C11/1693 , G11C11/1695 , G11C13/0023 , G11C13/0026 , G11C13/0028 , G11C13/003 , G11C13/004 , G11C13/0061 , G11C13/0069 , G11C2213/74 , G11C2213/79 , H01L28/00
Abstract: 实施方式的非易失性半导体存储器具备：基板区域(Sub(m‑1))；基板区域(Sub(m‑1))内的单元部件(CU‑L)，包括存储器单元(MC)以及存取晶体管(AT)，该存取晶体管(AT)将控制端子与字线(WL(i‑1))连接，并将基板区域(Sub(m‑1))作为沟道而对存储器单元(MC)供给读出电流或者写入电流；以及基板电位设定电路，在对存储器单元(MC)供给读出电流时，将基板区域(Sub(m‑1))设定为第1基板电位，在对存储器单元(MC)供给写入电流时，将基板区域(Sub(m‑1))设定为与第1基板电位不同的第2基板电位。
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公开(公告)号：CN108345935A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201710755161.5
申请日：2017-08-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G06N3/06
CPC classification number: G06N3/0445 , G06N3/0472
Abstract: 一种积和运算器，谋求积和运算的高速化及低功耗。实施方式所涉及的积和运算器具备系数存储部、控制部、高位乘法部、高位累积部、低位乘法部和输出部。高位乘法部针对N个输入值的每个输入值计算将对应的输入值、对应的系数中对象位的值、和对象位的权重相乘后的高位乘法值。高位累积部计算将高位乘法值累积相加后的高位累积值。低位乘法部针对N个输入值的每个输入值计算将对应的输入值和对应的系数中小于停止位的位的值相乘后的低位乘法值。输出部在高位累积值超过边界值的情况下，将超过边界值后的范围的值作为乘法累加运算值进行输出。
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公开(公告)号：CN106796815A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201580046348.7
申请日：2015-06-30
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 实施方式的非易失性半导体存储器具备：写入电路(13a－0)，生成使存储器单元(MC)从第1电阻值变化为第2电阻值的写入电流(Iw(t))；第1电流生成电路(T11(y1))，根据在存储器单元(MC)中流过的写入电流(Iw(t))，生成第1电流(Iw'(t))；第2电流生成电路(T13(y3))，根据在存储器单元(MC)中流过的写入电流(Iw(t))，生成第2电流(Iw'(t)×α)；保持电路(22)，保持根据存储器单元(MC)是第1电阻值时的第2电流(Iw'(t)×α)生成的第1值；以及比较器(23)，比较根据存储器单元(MC)从第1电阻值变化为第2电阻值的过程中的第1电流(Iw'(t))生成的第2值和第1值。
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公开(公告)号：CN117674772A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202310231803.7
申请日：2023-03-10
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本公开涉及电子电路和电力变换器。本实施方式所涉及的电子电路具备：时钟生成电路，生成第1时钟信号；第1变换电路，基于所述第1时钟信号将输入信号变换为具有与所述第1时钟信号相应的频率的第1信号；第1电磁场耦合部，通过电磁场耦合传送所述第1信号；第2电磁场耦合部，通过电磁场耦合传送所述第1时钟信号；以及第2变换电路，基于通过所述第2电磁场耦合部传送的所述第1时钟信号将通过所述第1电磁场耦合部传送的所述第1信号变换为具有与所述输入信号相应的频率的第2信号。
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