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公开(公告)号：CN100380448C
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200310122542.8
申请日：1998-04-03
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/3218 , H01F10/3268 , Y10S428/90 , Y10T428/1107
Abstract: 本发明提供一种磁阻效应元件，其特征在于，包括：交换耦合膜，具有面内取向，由强磁性膜和反强磁性膜交换耦合而构成；和用以将电流对上述交换耦合膜通电的电极；其中，上述反强磁性膜以一般式：RXMn100-X表示，式中，R是选自Ir、Rh、Pt、Au、Ag、Co、Pd、Ni、Cr、Ge、Ru、Re和Cu中的至少一种，X满足2≤X≤80，或者以一般式：(RX’Mn1-X’)100-YFeY表示，式中，R是选自Ir、Rh、Pt、Au、Ag、Co、Pd、Ni、Cr、Ge、Ru、Re和Cu中的至少一种，X’满足0.02≤X’≤0.80，Y满足0＜Y＜30。
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公开(公告)号：CN1523575A
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN200310122542.8
申请日：1998-04-03
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/3218 , H01F10/3268 , Y10S428/90 , Y10T428/1107
Abstract: 本发明提供一种磁阻效应元件、磁头和磁存储装置，其中，所述磁阻效应元件；其特征在于，具备强磁性膜和以一般式：RXMn100－X，式中，R是选自Ir、Rh、Pt、Au、Ag、Co、Pd、Ni、Cr、Ge、Ru、Re和Cu中的至少一种，X满足2≤X≤80，或者一般式：(RX’Mn1－X’)100－YFeY，式中，R是选自Ir、Rh、Pt、Au、Ag、Co、Pd、Ni、Cr、Ge、Ru、Re和Cu中的至少一种，X’满足0.02≤X’≤0.80，Y满足0＜Y＜30所表示的反强磁性膜，上述反强磁性膜具有进行面内取向，而且与上述强磁性膜进行交换结合而构成的交换结合膜；和用以将电流对上述交换结合膜通电的电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1110063C
公开(公告)日：2003-05-28
申请号：CN97129783.5
申请日：1997-12-31
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/00 , H01L23/488
CPC classification number: H05K3/3463 , B23K35/262 , H01L23/488 , H01L2224/16225 , H01L2924/12044 , H05K1/111 , H05K3/3421 , H05K2201/098 , H05K2201/10689 , Y02P70/611 , Y10T428/1266 , Y10T428/12708 , Y10T428/12715 , Y10T428/12792 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种装配电子部件的衬底，包括：设置在衬底上的导电构件；在导电焊接构件上由焊料合金形成焊接部分，其中焊料合金包括锌组分和锡组分，在导电焊接构件和焊接部分的界面处形成第1层，第1层中的锌组分含量聚集为大约70wt%或更高，其中焊料合金氧组分的含量是100ppm或更少。
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公开(公告)号：CN1206175A
公开(公告)日：1999-01-27
申请号：CN98108804.X
申请日：1998-04-03
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/3218 , H01F10/3268 , Y10S428/90 , Y10T428/1107
Abstract: 交换结合膜,具有RMn合金和RMnFe合金等反强磁性膜构成的反强磁性膜(R是选自Ir、Rh、Pt、Au、Ag、Co、Pd、Ni、Cr、Ge、Ru和Cu中的至少一种)和与该反强磁性膜层叠的强磁性膜。反强磁性膜进行面内取向。而且反强磁性膜具有5nm以上的粗大晶粒直径。该反强磁性膜,例如使用氧含量为1重量%以下的合金靶进行成膜而得到。使用这样的反强磁性膜的交换结合膜具有良好的耐蚀性和热特性,而且在室温和高温区显示大的交换结合力。交换结合膜设置用于在强磁性膜中进行电流通电的电极,例如作为スピンバルブ型磁阻效应元件等使用。
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公开(公告)号：CN1713384A
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN200410090965.0
申请日：2004-11-11
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/105 , H01L29/78 , H01L21/8239 , H01L21/8229
CPC classification number: H01L27/11521 , H01L27/115 , H01L29/42336 , H01L29/512
Abstract: 将改善了漏泄电流的高介电常数绝缘膜作为电极间绝缘膜使用的半导体器件，具备：在半导体衬底上形成的第1绝缘膜；在上述第1绝缘膜上形成的第1栅电极；在上述第1栅电极的上方形成的第2栅电极；以及在上述第1栅电极与第2栅电极之间形成的结晶化了的第2绝缘膜。
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公开(公告)号：CN1197996A
公开(公告)日：1998-11-04
申请号：CN97129783.5
申请日：1997-12-31
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H05K3/3463 , B23K35/262 , H01L23/488 , H01L2224/16225 , H01L2924/12044 , H05K1/111 , H05K3/3421 , H05K2201/098 , H05K2201/10689 , Y02P70/611 , Y10T428/1266 , Y10T428/12708 , Y10T428/12715 , Y10T428/12792 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种焊料合金,用于焊接电气或电子部件,其包3—12wt%锌组分和锡组分。焊料合金中的氧含量减少到100ppm或以下。利用焊料合金,在衬底上形成焊接部分,以及在其上装配电子部件,以便获得用于装配电子部件的衬底,和在其上装配电子部件的衬底。由上述焊料合金制成的焊接部分,可以防止迁移现象。
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公开(公告)号：CN1137466C
公开(公告)日：2004-02-04
申请号：CN98108804.X
申请日：1998-04-03
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/3218 , H01F10/3268 , Y10S428/90 , Y10T428/1107
Abstract: 本发明涉及一种交换结合膜，使用了该交换结合膜的磁阻效元件，使用了该磁阻效应元件的磁头和使用了所述光换结合膜的磁存储装置。本发明的交换结合膜，具有RMn合金和RMnFe合金等反强磁性膜构成的反强磁性膜(R是选自Ir、Rh、Pt、Au、Ag、Co、Pd、Ni、Cr、Ge、Ru和Cu中的至少一种)和与该反强磁性膜层叠的强磁性膜。反强磁性膜进行面内取向。而且反强磁性膜具有5nm以上的粗大晶粒直径。该反强磁性膜，例如使用氧含量为重量百分比1%以下的合金靶进行成膜而得到。使用这样的反强磁性膜的交换结合膜具有良好的耐蚀性和热特性，而且在室温和高温区显示大的交换结合力。交换结合膜设置用于在强磁性膜中进行电流通电的电极。
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