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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1137466C
公开(公告)日：2004-02-04
申请号：CN98108804.X
申请日：1998-04-03
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/3218 , H01F10/3268 , Y10S428/90 , Y10T428/1107
Abstract: 本发明涉及一种交换结合膜，使用了该交换结合膜的磁阻效元件，使用了该磁阻效应元件的磁头和使用了所述光换结合膜的磁存储装置。本发明的交换结合膜，具有RMn合金和RMnFe合金等反强磁性膜构成的反强磁性膜(R是选自Ir、Rh、Pt、Au、Ag、Co、Pd、Ni、Cr、Ge、Ru和Cu中的至少一种)和与该反强磁性膜层叠的强磁性膜。反强磁性膜进行面内取向。而且反强磁性膜具有5nm以上的粗大晶粒直径。该反强磁性膜，例如使用氧含量为重量百分比1%以下的合金靶进行成膜而得到。使用这样的反强磁性膜的交换结合膜具有良好的耐蚀性和热特性，而且在室温和高温区显示大的交换结合力。交换结合膜设置用于在强磁性膜中进行电流通电的电极。
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公开(公告)号：CN101154706A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710142716.5
申请日：2007-08-16
CPC classification number: G11B5/398 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G11B5/3906 , G11B5/3983 , G11C11/161 , H01F10/3259 , H01F10/3272 , H01F41/305 , H01L43/08
Abstract: 一种磁致电阻效应元件包括：其磁化是基本上固定在一个方向上的第一磁化层；其磁化是依外部磁场旋转的第二磁化层；包含绝缘部分和磁性金属部分并被配置于所述第一磁化层和第二磁化层之间的中间层；和一对使电流沿着垂直于由所述第一磁化层、所述中间层和所述第二磁化层构成的多层薄膜的薄膜表面的方向流过的电极；其中所述中间层的所述磁性金属部分包含非铁磁金属。
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公开(公告)号：CN1206175A
公开(公告)日：1999-01-27
申请号：CN98108804.X
申请日：1998-04-03
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/3218 , H01F10/3268 , Y10S428/90 , Y10T428/1107
Abstract: 交换结合膜,具有RMn合金和RMnFe合金等反强磁性膜构成的反强磁性膜(R是选自Ir、Rh、Pt、Au、Ag、Co、Pd、Ni、Cr、Ge、Ru和Cu中的至少一种)和与该反强磁性膜层叠的强磁性膜。反强磁性膜进行面内取向。而且反强磁性膜具有5nm以上的粗大晶粒直径。该反强磁性膜,例如使用氧含量为1重量%以下的合金靶进行成膜而得到。使用这样的反强磁性膜的交换结合膜具有良好的耐蚀性和热特性,而且在室温和高温区显示大的交换结合力。交换结合膜设置用于在强磁性膜中进行电流通电的电极,例如作为スピンバルブ型磁阻效应元件等使用。
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公开(公告)号：CN100380448C
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200310122542.8
申请日：1998-04-03
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/3218 , H01F10/3268 , Y10S428/90 , Y10T428/1107
Abstract: 本发明提供一种磁阻效应元件，其特征在于，包括：交换耦合膜，具有面内取向，由强磁性膜和反强磁性膜交换耦合而构成；和用以将电流对上述交换耦合膜通电的电极；其中，上述反强磁性膜以一般式：RXMn100-X表示，式中，R是选自Ir、Rh、Pt、Au、Ag、Co、Pd、Ni、Cr、Ge、Ru、Re和Cu中的至少一种，X满足2≤X≤80，或者以一般式：(RX’Mn1-X’)100-YFeY表示，式中，R是选自Ir、Rh、Pt、Au、Ag、Co、Pd、Ni、Cr、Ge、Ru、Re和Cu中的至少一种，X’满足0.02≤X’≤0.80，Y满足0＜Y＜30。
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公开(公告)号：CN1523575A
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN200310122542.8
申请日：1998-04-03
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/3218 , H01F10/3268 , Y10S428/90 , Y10T428/1107
Abstract: 本发明提供一种磁阻效应元件、磁头和磁存储装置，其中，所述磁阻效应元件；其特征在于，具备强磁性膜和以一般式：RXMn100－X，式中，R是选自Ir、Rh、Pt、Au、Ag、Co、Pd、Ni、Cr、Ge、Ru、Re和Cu中的至少一种，X满足2≤X≤80，或者一般式：(RX’Mn1－X’)100－YFeY，式中，R是选自Ir、Rh、Pt、Au、Ag、Co、Pd、Ni、Cr、Ge、Ru、Re和Cu中的至少一种，X’满足0.02≤X’≤0.80，Y满足0＜Y＜30所表示的反强磁性膜，上述反强磁性膜具有进行面内取向，而且与上述强磁性膜进行交换结合而构成的交换结合膜；和用以将电流对上述交换结合膜通电的电极。
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