公开(公告)号：CN1379479A

公开(公告)日：2002-11-13

申请号：CN02106147.5

申请日：2002-04-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 服部秀隆

IPC: H01L29/72 ,  H01L29/78 ,  H01L21/328 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66348 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/7397

Abstract: 在n型基极层1的一面上形成p型基极层7。在p型基极层7的表面上形成n型发射极层8。在n型基极层1的另一面上形成p型集电极层2。在n型发射极层8和p型基极层7上形成发射极电极9。对n型发射极层8形成贯通p型基极层7到达n型基极层1的沟槽4,在该沟槽4内形成沟槽栅极电极6。因而n型基极层1与p型基极层7接连一侧的浓度变低,与p型集电极层接连一侧的浓度变高,具有在厚度方向上连续变化的浓度梯度,就可以把p型集电极层2的厚度形成为1微米以下。

公开(公告)号：CN100565914C

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200610075295.4

申请日：2001-09-12

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 末代知子 ,  服部秀隆 ,  中川明夫

IPC: H01L29/739

Abstract: 为折衷关断特性和导通特性，在衬底一面上形成N型缓冲层和低注入发射极构造的P型集电极层(10)。N型漂移层的厚度确保耐压。在衬底另一面上形成P型基极层、N型发射极层以及P型接触层。N型低电阻层降低了结型场效应晶体管效果。发射极电极与N型发射极层以及P型接触层连接，集电极与P型集电极层连接。栅电极被形成在P型基极层表面部分的沟道区域上的栅绝缘膜上。

公开(公告)号：CN1262016C

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN01132885.1

申请日：2001-09-12

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 末代知子 ,  服部秀隆 ,  中川明夫

IPC: H01L29/745 ,  H01L29/78

Abstract: 为折衷关断特性和导通特性，在衬底一面上形成N型缓冲层和低注入发射极构造的P型集电极层10。N型漂移层的厚度确保耐压。在衬底另一面上形成P型基极层、N型发射极层以及P型接触层。N型低电阻层降低了结型场效应晶体管效果。发射极电极与N型发射极层以及P型接触层连接，集电极与P型集电极层连接。栅电极被形成在P型基极层表面部分的沟道区域上的栅绝缘膜上。

公开(公告)号：CN1347158A

公开(公告)日：2002-05-01

申请号：CN01132885.1

申请日：2001-09-12

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 末代知子 ,  服部秀隆 ,  中川明夫

IPC: H01L29/74 ,  H01L29/745 ,  H01L29/78

Abstract: 为折衷关断特性和导通特性,在衬底一面上形成N型缓冲层和低注入发射极构造的P型集电极层10。N型漂移层的厚度确保耐压。在衬底另一面上形成P型基极层、N型发射极层以及P型接触层。N型低电阻层降低了结型场效应晶体管效果。发射极电极与N型发射极层以及P型接触层连接,集电极与P型集电极层连接。栅电极被形成在P型基极层表面部分的沟道区域上的栅绝缘膜上。

公开(公告)号：CN1841769A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200610075295.4

申请日：2001-09-12

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 末代知子 ,  服部秀隆 ,  中川明夫

IPC: H01L29/739

Abstract: 为折衷关断特性和导通特性，在衬底一面上形成N型缓冲层和低注入发射极构造的P型集电极层(10)。N型漂移层的厚度确保耐压。在衬底另一面上形成P型基极层、N型发射极层以及P型接触层。N型低电阻层降低了结型场效应晶体管效果。发射极电极与N型发射极层以及P型接触层连接，集电极与P型集电极层连接。栅电极被形成在P型基极层表面部分的沟道区域上的栅绝缘膜上。

公开(公告)号：CN1228858C

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN02106147.5

申请日：2002-04-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 服部秀隆

IPC: H01L29/72 ,  H01L29/78 ,  H01L21/328 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66348 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/7397

Abstract: 一种电力半导体器件，在n型基极层(1)的一面上形成p型基极层(7)。在p型基极层(7)的表面上形成n型发射极层(8)。在n型基极层(1)的另一面上形成p型集电极层(2)。在n型发射极层(8)和p型基极层(7)上形成发射极电极(9)。对n型发射极层(8)形成贯通p型基极层(7)到达n型基极层(1)的沟槽(4)，在该沟槽(4)内形成沟槽栅电极(6)。因而n型基极层(1)与p型基极层(7)接连一侧的浓度变低，与p型集电极层接连一侧的浓度变高，具有在厚度方向上连续变化的浓度梯度，就可以把p型集电极层(2)的厚度形成为1微米以下。