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公开(公告)号：CN100580877C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200780003085.7
申请日：2007-01-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种半导体小片的制造方法和场效应晶体管及其制造方法。在用于制造半导体小片的本发明的方法中，首先，通过将牺牲层(11)和半导体层(12)以该顺序反复层叠在基板(10)上，在基板(10)上形成两层以上的半导体层(12)。接着，通过对牺牲层(11)和半导体层(12)的一部分进行蚀刻，将半导体层(12)分割成多个小片。接着，通过除去牺牲层(11)，将该小片从基板分离。
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公开(公告)号：CN100453318C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200410096283.0
申请日：2004-11-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B41J2/14233 , B41J2/14282 , B41J2202/03 , H01L41/0815 , H01L41/094 , H01L41/0973 , H01L41/1876 , H01L41/316
Abstract: 本发明提供一种低成本、压电特性高且耐湿性高的压电元件。压电元件(20)包括第1电极膜(2)、由在第1电极膜(2)上形成的第1压电体薄膜(3)和在第1压电体薄膜(3)上形成的第2压电体薄膜(4)构成的压电体层叠膜(10)、在第2压电体薄膜(4)上形成的第2电极膜(5)。第1及第2压电体薄膜(3、4)是结晶成长方向从压电体层叠膜(10)厚度方向一侧朝向另一侧的柱状颗粒集合体。第1压电体薄膜(3)Pb含量少于第2压电体薄膜(4)Pb含量。第2压电体薄膜(4)的柱状颗粒平均剖面直径大于第1压电体薄膜(3)的柱状颗粒平均剖面直径。压电体层叠膜(10)厚度对第2压电体薄膜(4)的柱状颗粒平均剖面直径之比为20以上60以下。
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公开(公告)号：CN1209311C
公开(公告)日：2005-07-06
申请号：CN02800576.7
申请日：2002-03-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C03C8/245 , G11B5/102 , G11B5/1276 , G11B5/1878 , G11B5/232 , G11B5/3106 , G11B5/3109 , G11B5/53
Abstract: 提供用于适合高密度记录的磁记录/再现设备的磁头，其中，使用有高饱和磁通密度的金属磁膜并提高用于磁头密封玻璃的机械强度；从而获得高可靠性、高性能的磁头，还提供使用该磁头的磁记录/再现设备。用于磁头的密封玻璃具有下列组成：(折算成氧化物)17.2-25重量%的SiO2、1-10重量%的B2O3、58-75重量%的PbO、0.2-7重量%的Al2O3和ZnO中的至少一种以及0.2-5重量%的Na2O和K2O中的至少一种；再提供使用了该密封玻璃的磁头和磁记录/再现设备。
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公开(公告)号：CN1621231A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN200410096283.0
申请日：2004-11-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B41J2/14233 , B41J2/14282 , B41J2202/03 , H01L41/0815 , H01L41/094 , H01L41/0973 , H01L41/1876 , H01L41/316
Abstract: 本发明提供一种低成本、压电特性高且耐湿性高的压电元件。压电元件(20)包括第1电极膜(2)、由在第1电极膜(2)上形成的第1压电体薄膜(3)和在第1压电体薄膜(3)上形成的第2压电体薄膜(4)构成的压电体层叠膜(10)、在第2压电体薄膜(4)上形成的第2电极膜(5)。第1及第2压电体薄膜(3、4)是结晶成长方向从压电体层叠膜(10)厚度方向一侧朝向另一侧的柱状颗粒集合体。第1压电体薄膜(3)Pb含量少于第2压电体薄膜(4)Pb含量。第2压电体薄膜(4)的柱状颗粒平均剖面直径大于第1压电体薄膜(3)的柱状颗粒平均剖面直径。压电体层叠膜(10)厚度对第2压电体薄膜(4)的柱状颗粒平均剖面直径之比为20以上60以下。
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公开(公告)号：CN1372532A
公开(公告)日：2002-10-02
申请号：CN01801195.0
申请日：2001-05-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C03C3/066
CPC classification number: G11B5/1335 , C03C3/066 , C03C8/04 , C03C8/24 , G11B5/1272 , G11B5/1878 , G11B5/193
Abstract: 本发明提供了实质上不含铅、可用于电子设备的各种部件的具有低软化点和耐水性的玻璃组合物,以及使用该玻璃组合物的磁头。所述玻璃组合物中包含0.5～14重量%的SiO2,3～15重量%的B2O3,4～22重量%的ZnO,55～90重量%的Bi2O3,0～4重量%的Al2O3,0～5重量%的选自Li2O、Na2O及K2O的至少1种,0～15重量%的选自MgO、CaO、SrO及BaO的至少1种。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1132803A
公开(公告)日：1996-10-09
申请号：CN95117104.6
申请日：1995-09-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C23C28/00
CPC classification number: C23C14/568 , C23C16/4412 , C23C16/54 , C30B25/14
Abstract: 提供一种薄膜形成装置和薄膜形成方法，具有至少一个物理蒸镀装置和至少一个化学蒸镀装置，由于具有将所述物理蒸镀装置和化学蒸镀装置分别接于共同的排气装置的排气管和排气路切换装置，所以装置是小型的，薄膜形成时间短。利用通过排气管2a将物理蒸镀装置3、通过排气管2b将化学蒸镀装置4、排气管2c将排气装置接到排气路切换装置1的结构，作成腔室至少为2个排气装置为1个的小型薄膜形成装置，在化学蒸镀时导入的原材料蒸汽不进入物理蒸镀装置内，可实行小型的薄膜形成时间短的薄膜成型。
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公开(公告)号：CN101400599B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200780008666.X
申请日：2007-02-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 鸟井秀雄
IPC: B82B3/00 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L29/06 , G09F9/00 , H01L21/027 , H01L21/52
CPC classification number: H01L29/78696 , B82Y10/00 , H01L21/6835 , H01L24/27 , H01L27/1214 , H01L27/1292 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L2221/68359 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/1306 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , Y10S977/721 , Y10S977/742 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供各向异性形状部件的安装方法和安装装置、电子器件的制造方法、电子器件和显示装置。在本发明的安装方法中，包括：(I)在设置在基板(1)的一个主面上的第一区域(11)中配置第一液体(3)的工序；(II)使在转印基板(21)的一个主面上以在规定的方向上取向的方式配置的作为各向异性形状部件的柱状部件(2)与配置在第一区域(11)中的第一液体(3)接触，从而使柱状部件(2)移动到第一液体(3)的区域中的工序；和(III)从基板(1)上除去第一液体(3)的工序。
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公开(公告)号：CN1308146C
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN03147943.X
申请日：2003-06-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B41J2/1646 , B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1637 , B41J2/1643 , B41J2/1645 , B41J2002/14266
Abstract: 本发明涉及如油墨喷出头(H)等那样，在喷出油墨等液体的液体喷出头中，当在压电元件(2)的液体室构件(油墨室构件1)一侧的表面上，用非电解镀层法形成液体室构件时，至少该表面一侧的一部分由含有用于辅助该镀层成长的核形成的材料的、核形成辅助材料含有层(2d)构成。在该核形成辅助材料含有层(2d)上，用非电解镀层法形成液体室构件。
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公开(公告)号：CN1239734C
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN01816814.0
申请日：2001-09-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C01G25/006 , C01P2002/34 , H01L41/094 , H01L41/1876 , H01L41/316
Abstract: 一种能够得到大的压电位移的压电薄膜。该压电薄膜的化学成分表示为：Pb1+a(ZrxTi1-x)O3+a(注：0.2≤a≤0.6，0.50≤x≤0.62)。该压电薄膜的结晶构造，是由其构成元素的氧离子、钛离子、锆离子的一部分缺少的具有离子缺少的钙钛矿型的柱状结晶领域(24)、和没有离子缺少的化学计量成分的钙钛矿型的柱状结晶领域(25)的混合体所构成。根据该压电薄膜的构成，因为由于具有离子缺陷的钙钛矿型的柱状结晶领域(24)，能够缓和结晶内的残留压缩应力，所以，能够得到大的压电位移(位移量)。
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公开(公告)号：CN1700990A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200480001113.8
申请日：2004-04-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B41J2002/14491
Abstract: 一喷墨头单元，包括：一喷头2，其中形成各包括许多喷嘴孔的多个喷嘴阵列(2a、2b、2c、2d)，墨从喷嘴孔被喷射；一喷头座，喷头(2)被安装在喷头座上；以及扁平电缆(4a、4b)，其是通过用绝缘膜包裹许多传输线柔性地形成的，扁平电缆中传输线被暴露的一端在喷嘴阵列(2a、2b)和喷嘴阵列(2c、2d)之间的安装部分(7a、7b)中被固定在喷头(2)上，从而传输用于驱动喷头的喷墨信号。
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