-
公开(公告)号：CN104050977A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410088312.2
申请日：2014-03-11
Applicant: 希捷科技有限公司
IPC: G11B5/23
CPC classification number: G11B5/235 , G11B5/1278 , G11B5/187 , G11B5/23 , G11B5/232 , G11B5/3116 , G11B5/3143 , G11B5/3163 , G11B5/332 , G11B5/6082 , Y10T428/115 , Y10T428/1193
Abstract: 根据一个实施例，可配置一种装置，该装置包括：磁性材料的主极层；第二磁性材料层；设置在主极层和第二磁性材料层之间的第一非磁性材料间隙层；设置在主极层和第二磁性材料层之间的第二非磁性材料间隙层，其中第二非磁性材料间隙层直接毗邻第二磁性材料层设置。根据一个实施例，这允许该间隙充当第二磁性材料层的非磁性种子。根据一个实施例，这允许该间隙充当第二磁性材料层的非磁性种子。根据一个实施例，也可利用制造该设备的方法。
-
公开(公告)号：CN104376851B
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201410400273.5
申请日：2014-08-14
Applicant: 西部数据(弗里蒙特)公司
IPC: G11B5/187
CPC classification number: G11B5/23 , C23C16/06 , C23C16/403 , C23C16/45525 , G11B5/1278 , G11B5/1871 , G11B5/232 , G11B5/3116 , G11B5/3163
Abstract: 本发明涉及用于垂直磁记录写入器的梯度写入间隙。本发明提供一种用于硬盘驱动器的磁写入器极。所述磁写入器极包括由非磁性层形成的第一斜面，所述第一斜面以第一角度形成并且延伸到第一喉部高度。所述磁写入器极进一步包括由所述非磁性层形成的第二斜面，其以大于所述第一角度的第二角度从所述第一斜面向远端延伸并且延伸到第二喉部高度。所述磁写入器极进一步包括由所述非磁性层形成的第三斜面，其以大于所述第二角度的第三角度从所述第二斜面向远端延伸。
-
公开(公告)号：CN104376851A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410400273.5
申请日：2014-08-14
Applicant: 西部数据(弗里蒙特)公司
IPC: G11B5/187
CPC classification number: G11B5/23 , C23C16/06 , C23C16/403 , C23C16/45525 , G11B5/1278 , G11B5/1871 , G11B5/232 , G11B5/3116 , G11B5/3163
Abstract: 本发明涉及用于垂直磁记录写入器的梯度写入间隙。本发明提供一种用于硬盘驱动器的磁写入器极。所述磁写入器极包括由非磁性层形成的第一斜面，所述第一斜面以第一角度形成并且延伸到第一喉部高度。所述磁写入器极进一步包括由所述非磁性层形成的第二斜面，其以大于所述第一角度的第二角度从所述第一斜面向远端延伸并且延伸到第二喉部高度。所述磁写入器极进一步包括由所述非磁性层形成的第三斜面，其以大于所述第二角度的第三角度从所述第二斜面向远端延伸。
-
公开(公告)号：CN104252869A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201410294168.8
申请日：2014-06-26
Applicant: 希捷科技有限公司
IPC: G11B5/60
CPC classification number: G11B5/23 , G11B5/232 , G11B5/3116
Abstract: 本发明涉及用于磁记录头的写间隙结构。在所示实施例中，写间隙结构包括沿斜角柱尖表面的顶部边缘和底部边缘之间的斜角柱尖表面的多个写间隙分段，以提供与气垫面邻接的窄的写间隙以及气垫面后面的更大的写间隙。在所示实施例中，窄的写间隙分段形成在斜角柱尖表面和前端护罩的下部后表面之间，更大的写间隙形成在斜角柱尖表面和前端护罩的上部后表面之间。
-
公开(公告)号：CN1458910A
公开(公告)日：2003-11-26
申请号：CN02800576.7
申请日：2002-03-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C03C8/245 , G11B5/102 , G11B5/1276 , G11B5/1878 , G11B5/232 , G11B5/3106 , G11B5/3109 , G11B5/53
Abstract: 提供用于适合高密度记录的磁记录/再现设备的磁头，其中，使用有高饱和磁通密度的金属磁膜并提高用于磁头密封玻璃的机械强度；从而获得高可靠性、高性能的磁头，还提供使用该磁头的磁记录/再现设备。用于磁头的密封玻璃具有下列组成：(折算成氧化物)17.2－25重量％的SiO2、1－10重量％的B2O3、58－75重量％的PbO、0.2－7重量％的Al2O3和ZnO中的至少一种以及0.2－5重量％的Na2O和K2O中的至少一种；再提供使用了该密封玻璃的磁头和磁记录/再现设备。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1080424C
公开(公告)日：2002-03-06
申请号：CN96107656.9
申请日：1996-06-14
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: G11B5/1276 , G11B5/1878 , G11B5/232
Abstract: 磁头(3)由第1对接半体(1)及第2对接半体(2)构成。第1对接半体(1)的形成方式是在开有线圈绕线沟(15)的第1磁芯半体(13)的与第2对接半体(2)对置的面上在上下形成间隙垫片(4)(40)和第2强磁性薄膜(12)(12)。第1磁芯半体(13)由强磁性体构成，并在与记录媒体对置的面一侧形成第一强磁性薄膜(11)。第2对接半体(2)的与记录媒体对置的面由非磁性材料形成。
-
公开(公告)号：CN1067788C
公开(公告)日：2001-06-27
申请号：CN94112926.8
申请日：1994-12-09
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 雨果·A·E·桑蒂尼 , 克林顿·D·斯奈德
IPC: G11B5/31
CPC classification number: G11B5/3163 , G11B5/232 , G11B5/3183 , Y10T29/49044 , Y10T29/49046
Abstract: 在制造具有垂直间隙的薄膜磁头过程中，在形成磁极前先在间隙壁的两端提供辅助支撑。在衬底中形成一个凹坑，一层脱离层接着一层矾土层淀积在衬底上。在凹坑内穿过矾土层蚀刻一个凹槽，到达脱离层。由聚合物或金属组成的部分层再沉积上去，其垂直边跨过凹坑和槽的中线。一层非磁性壁材料例如氧化硅淀积上去，在蚀刻后靠着部分层的垂直边留下了垂直壁。除去部分层后，留下一个垂直壁横跨凹槽和坑，其两端固定并支撑在凹槽侧壁上。
-
公开(公告)号：CN103310804A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310080431.9
申请日：2013-03-13
Applicant: 希捷科技有限公司
CPC classification number: G01R33/0052 , G01R33/093 , G01R33/098 , G11B5/23 , G11B5/232 , G11B5/3133 , G11B5/3143 , G11B5/3163 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044
Abstract: 一种磁传感器，包括第一屏蔽、第二屏蔽以及第一屏蔽和第二屏蔽之间的传感器叠层，传感器叠层具有多个层，其中至少一个层使用原位快速热退火被退火。在磁传感器的一种实现中，使用原位快速热退火来对籽晶层进行退火。替代地，使用原位快速热退火来对势垒层、AFM层和覆盖层中的一个进行退火。
-
公开(公告)号：CN101567192B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200910137721.6
申请日：2009-04-27
Applicant: 日立环球储存科技荷兰有限公司
CPC classification number: G11B5/3146 , G11B5/11 , G11B5/1278 , G11B5/1872 , G11B5/232 , G11B5/3116
Abstract: 本发明涉及具有拖尾屏蔽件的垂直写头。一种磁写头具有构造为优化写场强度和场梯度的拖尾屏蔽件。该写头包括：写极；形成在所述写极的拖尾边缘上的拖尾间隙层；以及形成在所述非磁间隙层上的拖尾磁屏蔽件使得所述非磁间隙层夹在所述拖尾磁屏蔽件和所述写极之间。所述拖尾磁屏蔽件具有设置在气垫面处的第一表面以及离开气垫面设置且相对于所述磁写极的所述拖尾边缘表面以20-75度的角度渐缩的第二表面。
-
公开(公告)号：CN100429698C
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200510051143.6
申请日：2005-02-28
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: C25D3/562 , G11B5/232 , G11B5/235 , G11B5/3163
Abstract: 本发明的方法可以容易而安全地形成NiP非磁性膜。在通过电解电镀形成NiP非磁性膜的方法中，电解电镀在由以下组分构成的NiP电镀溶液中进行：提供镍离子的试剂；提供磷离子的试剂；和包含羧基的试剂。例如，镍的硫酸盐和氯盐等可以用作提供镍离子的试剂；磷酸、亚磷酸钠等可以用作提供磷离子的试剂。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
28
records
(took 0.016 seconds)
