公开(公告)号：CN1145801C

公开(公告)日：2004-04-14

申请号：CN99106299.X

申请日：1999-04-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 藤井觉 ,  神野伊策 ,  鎌田健 ,  高山良一

IPC: G01P15/09

CPC classification number: G01P15/0907 ,  G01P15/0922 ,  G01P15/18

Abstract: 加速度传感器201包括纵向效应型检测部203和横向效应型检测部204。纵向效应型检测部203包括由薄膜压电体211a和电极211b、211c构成的纵向效应型压电元件211。横向效应型检测部204设有横向效应型压电元件213，使其支撑在在底板105上形成的沟状凹部105a的上方附近。检测电路116根据纵向效应型检测部203和横向效应型检测部204两者的输出检测出规定方向上加速度等。因此，能够检测规定方向上的加速度并实现大动态范围和宽频带。

公开(公告)号：CN1272818A

公开(公告)日：2000-11-08

申请号：CN99800949.0

申请日：1999-06-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 三木胜政 ,  中谷将也 ,  神野伊策 ,  高山良一 ,  野村幸治

IPC: B41J2/045 ,  B41J2/055 ,  B41J2/16

CPC classification number: B41J2/1623 ,  B41J2/14233 ,  B41J2/161 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/1632 ,  B41J2/1646 ,  B41J2002/14387

Abstract: 用于谋求喷嘴的高密度化及工序效率化喷墨的流体喷射装置及其制造方法。玻璃基板(18)上通过喷砂设有贯穿孔(15),其上直接接合第二硅基板(19)形成排出口(14)。另外,蚀刻第一硅基板(17)以形成压力室(12)、流路(13)及流体供给口(16)并与玻璃基板(18)直接接合后,在压力室(12)正上面与具有弹性体(20)的压电薄膜(11)接合。

公开(公告)号：CN1132803A

公开(公告)日：1996-10-09

申请号：CN95117104.6

申请日：1995-09-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 鸟井秀雄 ,  藤井映志 ,  林重德 ,  高山良一

IPC: C23C28/00

CPC classification number: C23C14/568 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/54 ,  C30B25/14

Abstract: 提供一种薄膜形成装置和薄膜形成方法，具有至少一个物理蒸镀装置和至少一个化学蒸镀装置，由于具有将所述物理蒸镀装置和化学蒸镀装置分别接于共同的排气装置的排气管和排气路切换装置，所以装置是小型的，薄膜形成时间短。利用通过排气管2a将物理蒸镀装置3、通过排气管2b将化学蒸镀装置4、排气管2c将排气装置接到排气路切换装置1的结构，作成腔室至少为2个排气装置为1个的小型薄膜形成装置，在化学蒸镀时导入的原材料蒸汽不进入物理蒸镀装置内，可实行小型的薄膜形成时间短的薄膜成型。

公开(公告)号：CN101355134B

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN200810135194.0

申请日：2003-06-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 鸟井秀雄 ,  藤井映志 ,  友泽淳 ,  村田晶子 ,  高山良一 ,  平泽拓

IPC: H01L41/09 ,  H01L41/047 ,  H01L41/22 ,  B41J2/14 ,  B41J2/16 ,  G01C19/56

CPC classification number: G01P15/0922 ,  B41J2/14233 ,  B41J2/14282 ,  B41J2002/1425 ,  B41J2202/03 ,  G01C19/5607 ,  H01L41/0477 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/094 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/316 ,  H01L41/319

Abstract: 本发明涉及压电元件、喷墨头、角速度传感器及其制法和喷墨式记录装置，压电元件具备第一电极层、压电体层和第二电极层，第一电极层由选自钴、镍、铁、锰及铜的至少一种金属与贵金属构成，压电体层由钙钛矿型氧化物构成，在第一电极层与压电体层间设有由优先取向于立方或正方晶系的(100)或(001)面的钙钛矿型氧化物构成的取向控制层，该控制层的第一电极层侧的部分为：(100)或(001)面取向的区域存在于位于第一电极层中取向控制层侧的表面部的所述至少一种金属上，且与层厚方向垂直的截面中的所述(100)或(001)面取向区域的面积从第一电极层侧向着压电体层侧变大，所述至少一种金属，在第一电极层以控制取向控制层的成长方向的方式形成图案。

公开(公告)号：CN1105905C

公开(公告)日：2003-04-16

申请号：CN99107154.9

申请日：1999-06-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 镰田健 ,  高山良一 ,  藤井觉 ,  友泽淳 ,  神野伊策

IPC: G01J5/10

CPC classification number: G01J5/20 ,  G01J5/34

Abstract: 一种小型高性能的红外线检测元件及其制造方法。该红外线检测元件具有配置于同一基板上的、从由热电型红外线检测部、电阻变化型红外线检部及介电常数变化型红外线检测部组成的一组检测部中选出的至少2种红外线检测部。

公开(公告)号：CN1088918C

公开(公告)日：2002-08-07

申请号：CN95101916.3

申请日：1995-02-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 鸟井秀雄 ,  鎌田健 ,  林重德 ,  高山良一 ,  平尾孝 ,  服部益三

IPC: H01L49/02

CPC classification number: G01P15/0922 ,  G01P15/0802 ,  H01L41/0478 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/313 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/4981

Abstract: 本发明旨在提供小型、轻量、精度高且成本低的加速度传感元件及热电式红外线传感元件等薄膜传感元件。在平板型KBr基板1的表面利用等离子体MOCVD法形成以基板表面垂直方向为结晶取向(100)方向的岩盐式晶体结构氧化物膜12，利用溅射法在其表面外延生长PZT膜4，然后在其表面形成Ni-Cr电极膜15，将上述多层膜反转后用粘接剂20粘接到中央有穿通的空间部分的传感器基板7上，将接续电极19连接后，通过整体进行水洗处理，除去KBr基板1。

公开(公告)号：CN1308146C

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN03147943.X

申请日：2003-06-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 平泽拓 ,  村田晶子 ,  友泽淳 ,  藤井映志 ,  鸟井秀雄 ,  高山良一

IPC: B41J2/045 ,  B41J2/16 ,  H01L41/09

CPC classification number: B41J2/1646 ,  B41J2/14233 ,  B41J2/161 ,  B41J2/1623 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1629 ,  B41J2/1637 ,  B41J2/1643 ,  B41J2/1645 ,  B41J2002/14266

Abstract: 本发明涉及如油墨喷出头(H)等那样，在喷出油墨等液体的液体喷出头中，当在压电元件(2)的液体室构件(油墨室构件1)一侧的表面上，用非电解镀层法形成液体室构件时，至少该表面一侧的一部分由含有用于辅助该镀层成长的核形成的材料的、核形成辅助材料含有层(2d)构成。在该核形成辅助材料含有层(2d)上，用非电解镀层法形成液体室构件。

公开(公告)号：CN1239734C

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：CN01816814.0

申请日：2001-09-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 鸟井秀雄 ,  镰田健 ,  神野伊策 ,  高山良一

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  C01G25/00 ,  H01L41/18 ,  B41J2/04

CPC classification number: C01G25/006 ,  C01P2002/34 ,  H01L41/094 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/316

Abstract: 一种能够得到大的压电位移的压电薄膜。该压电薄膜的化学成分表示为：Pb1+a(ZrxTi1-x)O3+a(注：0.2≤a≤0.6，0.50≤x≤0.62)。该压电薄膜的结晶构造，是由其构成元素的氧离子、钛离子、锆离子的一部分缺少的具有离子缺少的钙钛矿型的柱状结晶领域(24)、和没有离子缺少的化学计量成分的钙钛矿型的柱状结晶领域(25)的混合体所构成。根据该压电薄膜的构成，因为由于具有离子缺陷的钙钛矿型的柱状结晶领域(24)，能够缓和结晶内的残留压缩应力，所以，能够得到大的压电位移(位移量)。

公开(公告)号：CN1468711A

公开(公告)日：2004-01-21

申请号：CN03147943.X

申请日：2003-06-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 平泽拓 ,  村田晶子 ,  友泽淳 ,  藤井映志 ,  鸟井秀雄 ,  高山良一

IPC: B41J2/045 ,  B41J2/16 ,  H01L41/09

CPC classification number: B41J2/1646 ,  B41J2/14233 ,  B41J2/161 ,  B41J2/1623 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1629 ,  B41J2/1637 ,  B41J2/1643 ,  B41J2/1645 ,  B41J2002/14266

Abstract: 本发明涉及如油墨喷出头(H)等那样，在喷出油墨等液体的液体喷出头中，当在压电元件(2)的液体室构件(油墨室构件1)一侧的表面上，用非电解镀层法形成液体室构件时，至少该表面一侧的一部分由含有用于辅助该镀层成长的核形成的材料的、核形成辅助材料含有层(2d)构成。在该核形成辅助材料含有层(2d)上，用非电解镀层法形成液体室构件。

公开(公告)号：CN1076850C

公开(公告)日：2001-12-26

申请号：CN94119379.9

申请日：1994-12-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 友泽淳 ,  藤井觉 ,  藤井映志 ,  高山良一 ,  小舟正文 ,  藤井知

IPC: H01B3/12 ,  C01G23/00 ,  C04B35/46 ,  G01J5/12

CPC classification number: H01L41/316 ,  C04B35/472 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  C30B23/02 ,  C30B29/32 ,  H01L37/025

Abstract: 提供了一种强电介质薄膜，它是通过向添加了La的钛酸铅中添加由能与氧原子进行6配位结合的Mg和Mn中选取的至少一种元素而形成的强电介质薄膜，在薄膜形成时赋予了高的C轴取向性，并且不需要象大晶体那样进行极化处理。它的制造方法是在MgO单晶板9上预先通过溅射形成基底白金电极，然后将单晶板9置于基板加热器10上。从真空室7内抽气，用基板加热器10加热基板9，通过喷嘴14向真空室7内通入作为溅射气体的Ar和O2，保持高真空度。由高频电源8向靶1输入高频电功率其产生等离子体，从而在基板9上成膜。例如，可制造组成为[(1-x)·Pb1-yLayTi1-y/4O3+x·MgO](x＝0.01～0.10，y＝0.05～0.25)的强电介质薄膜。