公开(公告)号：CN1088918C

公开(公告)日：2002-08-07

申请号：CN95101916.3

申请日：1995-02-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 鸟井秀雄 ,  鎌田健 ,  林重德 ,  高山良一 ,  平尾孝 ,  服部益三

IPC: H01L49/02

CPC classification number: G01P15/0922 ,  G01P15/0802 ,  H01L41/0478 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/313 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/4981

Abstract: 本发明旨在提供小型、轻量、精度高且成本低的加速度传感元件及热电式红外线传感元件等薄膜传感元件。在平板型KBr基板1的表面利用等离子体MOCVD法形成以基板表面垂直方向为结晶取向(100)方向的岩盐式晶体结构氧化物膜12，利用溅射法在其表面外延生长PZT膜4，然后在其表面形成Ni-Cr电极膜15，将上述多层膜反转后用粘接剂20粘接到中央有穿通的空间部分的传感器基板7上，将接续电极19连接后，通过整体进行水洗处理，除去KBr基板1。

公开(公告)号：CN100401478C

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200310124715.X

申请日：2003-12-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 林重德 ,  山本和彦

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28229 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制造方法。目的在于：抑制变成低介电率层的界面层的形成，从而能够获得拥有化学计量结构的绝缘性金属氧化物膜。在非氧化性大气环境中，在硅衬底1上沉积金属膜12。其次，通过用氧游离基13氧化金属膜12，形成变成栅极绝缘膜的金属氧化膜2。

公开(公告)号：CN1427454A

公开(公告)日：2003-07-02

申请号：CN02152798.9

申请日：2002-11-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 林重德 ,  山本和彦

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02244 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/31683 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 一种半导体元件的制造方法，通过在非氧化性气氛中，在基板(101)上堆积金属膜(102)，然后在氧化性气氛中使金属膜(102)氧化，而形成构成栅绝缘膜(103A)的金属氧化膜(103)。由此能够防止在基板上形成介电常数低的界面层，而形成仅由高介电常数材料所构成的栅绝缘膜，从而可提高金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的性能。

公开(公告)号：CN1132803A

公开(公告)日：1996-10-09

申请号：CN95117104.6

申请日：1995-09-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 鸟井秀雄 ,  藤井映志 ,  林重德 ,  高山良一

IPC: C23C28/00

CPC classification number: C23C14/568 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/54 ,  C30B25/14

Abstract: 提供一种薄膜形成装置和薄膜形成方法，具有至少一个物理蒸镀装置和至少一个化学蒸镀装置，由于具有将所述物理蒸镀装置和化学蒸镀装置分别接于共同的排气装置的排气管和排气路切换装置，所以装置是小型的，薄膜形成时间短。利用通过排气管2a将物理蒸镀装置3、通过排气管2b将化学蒸镀装置4、排气管2c将排气装置接到排气路切换装置1的结构，作成腔室至少为2个排气装置为1个的小型薄膜形成装置，在化学蒸镀时导入的原材料蒸汽不进入物理蒸镀装置内，可实行小型的薄膜形成时间短的薄膜成型。

公开(公告)号：CN100468638C

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN02152798.9

申请日：2002-11-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 林重德 ,  山本和彦

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02244 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/31683 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 一种半导体元件的制造方法，通过在非氧化性气氛中，在基板(101)上堆积金属膜(102)，然后在氧化性气氛中使金属膜(102)氧化，而形成构成栅绝缘膜(103A)的金属氧化膜(103)。由此能够防止在基板上形成介电常数低的界面层，而形成仅由高介电常数材料所构成的栅绝缘膜，从而可提高金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的性能。

公开(公告)号：CN1521811A

公开(公告)日：2004-08-18

申请号：CN200310124715.X

申请日：2003-12-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 林重德 ,  山本和彦

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28229 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制造方法。目的在于：抑制变成低介电率层的界面层的形成，从而能够获得拥有化学计量结构的绝缘性金属氧化物膜。在非氧化性大气环境中，在硅衬底1上沉积金属膜12。其次，通过用氧游离基13氧化金属膜12，形成变成栅极绝缘膜的金属氧化膜2。

公开(公告)号：CN1121999A

公开(公告)日：1996-05-08

申请号：CN95101916.3

申请日：1995-02-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 鸟井秀雄 ,  鎌田健 ,  林重德 ,  高山良一 ,  平尾孝 ,  服部益三

IPC: G01D5/24 ,  G01P15/125 ,  H01L49/02

CPC classification number: G01P15/0922 ,  G01P15/0802 ,  H01L41/0478 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/313 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/4981

Abstract: 本发明旨在提供小型、轻量、精度高且成本低的加速度传感元件及热电式红外线传感元件等薄膜传感元件。在平板型KBr基板1的表面利用等离子体MOCVD法形成以基板表面垂直方向为结晶取向(100)方向的岩盐式晶体结构氧化物膜12，利用溅射法在其表面外延生长PZT膜4，然后在其表面形成Ni-Cr电极膜15，将上述多层膜反转后用粘接剂20粘接到中央有穿通的空间部分的传感器基板7上，将接续电极19连接后，通过整体进行水洗处理，除去KBr基板1。

公开(公告)号：CN1841675A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200610073679.2

申请日：2003-12-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 林重德 ,  山本和彦

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28229 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制造方法。其目的在于：抑制成为低介电常数层的界面层的形成，从而能够获得拥有化学计量结构的绝缘性金属氧化物膜。在非氧化性大气环境中，在硅衬底(1)上沉积金属膜(12)。其次，通过用氧游离基(13)氧化金属膜(12)，而形成成为栅极绝缘膜的金属氧化膜(2)。

公开(公告)号：CN1505114A

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：CN200310113827.5

申请日：2003-10-31

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 久保田正文 ,  林重德

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28194 ,  H01L21/268 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/324 ,  H01L28/40 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法。其目的是将由金属氧化物构成的高电介质膜应用于栅绝缘膜或者电容绝缘膜中。在半导体衬底(11)的元件形成区域上，形成由氧化硅构成的底层绝缘膜(13)、由氧化铪构成的栅绝缘膜(14)、由多晶硅构成的栅电极(15)及由氧化硅构成的侧壁(18)，在半导体衬底(11)中的元件形成区域的上部上分别由注入形成源－漏区(17)及扩展区(16)。然后，调整半导体衬底(11)的扫描速度、激光的脉冲间隔及峰值功率，进行0.1秒钟的激光照射，使得仅在半导体衬底(11)的表面附近的温度为1150℃～1250℃那样，进行对栅绝缘膜(14)的热处理及对源－漏区(17)的热处理。

公开(公告)号：CN1083104C

公开(公告)日：2002-04-17

申请号：CN94119861.8

申请日：1994-12-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 林重德 ,  鸟井秀雄 ,  鎌田健 ,  平尾孝

IPC: G01L1/14

CPC classification number: G01L9/0072 ,  G01D5/2417 ,  G01P15/125 ,  Y10T29/43

Abstract: 把KBr等碱金属卤化物材料2溶融并充填在绝缘体板1的厚度方向上设置的贯通孔1a。在贯通孔1a内填埋的碱金属卤化物材料2及其周边的表面形成导电性薄膜4之后，用水洗方法将碱金属卤化物材料2溶解并除去，贯通孔1a与导电性薄膜4构成膜片。将由导电性薄膜4的里外压力差产生的膜片变形作为导电性薄膜4与电极层6之间的静电电容的变化检测出来。从而得到小型高灵敏度的静电电容型压力传感器。