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公开(公告)号：CN100568548C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200510004500.3
申请日：2005-01-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 油利正昭
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件及其制造方法。在蓝宝石基板(1)上依次形成n型GaN层(2)、InGaN多量子阱活性层(3)、p型AlGaN电子势垒层(4)、p型AlGaN/GaN应变超晶格层(5)以及p型GaN接触层(6)。通过以在p型GaN接触层(6)的光取出部上具备开口的方式形成p侧欧姆电极(7)。在p型GaN接触层(6)的光取出部，通过使用甲醇、氟酸、以及过氧水的混合溶液的湿式蚀刻，而形成多孔结构(9)。因此，这种半导体发光元件，无需使用微细光刻技术或者干式蚀刻技术，而光取出效率高且放射图案良好。
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公开(公告)号：CN101051667A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200710103902.8
申请日：2003-09-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/505 , H01L24/20 , H01L24/24 , H01L33/54 , H01L33/62 , H01L2224/04105 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2924/01013 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01063 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种发光装置，包括：载体基片；半导体发光元件，其安装在所述载体基片上；透明薄膜，其固定在所述载体基片上，以覆盖所述半导体发光元件；以及图形电极，其形成在所述透明薄膜的上表面上，其中所述图形电极电连接着所述半导体发光元件的终端电极，所述透明薄膜中含有可被所述半导体发光元件发出的光激发的荧光粉，荧光膜形成在所述透明薄膜的至少一个表面上，所述荧光膜中含有可被所述半导体发光元件发出的光激发的荧光粉。
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公开(公告)号：CN101361240B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200780001710.4
申请日：2007-03-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/042
CPC classification number: H01S5/042
Abstract: 半导体光源装置具有由氮化物半导体构成的多层半导体层的发光元件101、和驱动发光元件101的驱动电路102。驱动电路102进行根据向发光元件供给顺向电流来使发光元件101发光的顺向驱动动作、和向发光元件施加逆向偏压的逆向驱动动作。逆向偏压的大小由流过发光元件的逆向电流值限制。
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公开(公告)号：CN1255583C
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN97117796.1
申请日：1997-08-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C30B29/38
CPC classification number: C30B29/406 , C30B25/02 , C30B25/18 , H01L21/02381 , H01L21/02447 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02658
Abstract: 为降低氮化镓晶体内的位错密度和可以进行解理，在硅衬底上形成碳化硅薄膜和第一氮化镓晶体之后，只将硅衬底在诸如氢氟酸和硝酸之类混合的酸溶液中除去。接着，在留下来不除去的碳化硅薄膜和第一氮化镓晶体上形成第二氮化镓晶体。
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公开(公告)号：CN1149638C
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN98116669.5
申请日：1998-07-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C30B25/02 , C30B29/40 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/02392 , H01L21/02395 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/0254 , H01L21/02631 , H01L21/02658
Abstract: 目的是在立方晶体III-V族化合物半导体衬底上边，形成表面平坦性和结晶性良好的立方晶体氮化物半导体晶体。其构成是：具有含铝的立方晶体半导体层，在氮化合物气氛中加热该半导体层2，使半导体层的一个表面氮化，之后，采用向上述半导体层上供给氮化合物和含III族元素的化合物的办法，在上述半导体层2上形成立方体氮化物半导体层3。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101558535A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200880001109.X
申请日：2008-10-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/164 , B82Y20/00 , H01S5/10 , H01S5/22 , H01S5/3203 , H01S5/34333
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光装置。该半导体激光装置具有形成在基板(1)的主面上且由III族氮化物半导体构成的包含MQW活性层(5)的叠层结构体。叠层结构体具有形成在该叠层结构体的主面的条状波导路，波导路的彼此相向的端面中的一个是光射出端面。在凹部(2)的周围形成有第一区域和第二区域，该第一区域是MQW活性层(5)中禁带宽度为Eg1的区域，该第二区域是MQW活性层(5)中禁带宽度为Eg2的区域，且与该第一区域邻接，而且Eg2≠Eg1。所形成的波导路包含第一区域及第二区域，且不包含台阶区域，光射出端面形成在第一区域及第二区域中光吸收波长较短的那个区域(5a)。
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公开(公告)号：CN100490200C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200710103902.8
申请日：2003-09-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/505 , H01L24/20 , H01L24/24 , H01L33/54 , H01L33/62 , H01L2224/04105 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2924/01013 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01063 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种发光装置，包括：载体基片；半导体发光元件，其安装在所述载体基片上；透明薄膜，其固定在所述载体基片上，以覆盖所述半导体发光元件；以及图形电极，其形成在所述透明薄膜的上表面上，其中所述图形电极电连接着所述半导体发光元件的终端电极，所述透明薄膜中含有可被所述半导体发光元件发出的光激发的荧光粉，荧光膜形成在所述透明薄膜的至少一个表面上，所述荧光膜中含有可被所述半导体发光元件发出的光激发的荧光粉。
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公开(公告)号：CN100472818C
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN03155757.0
申请日：2003-09-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/505 , H01L24/20 , H01L24/24 , H01L33/54 , H01L33/62 , H01L2224/04105 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2924/01013 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01063 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种发例如蓝光的InGaN基发光二极管，其作为半导体发光元件而被固定在载体基片上，并且透明薄膜固定在载体基片上，以覆盖半导体发光元件。图形电极形成在透明薄膜的上表面上，并且图形电极穿过例如通孔而电连接着半导体发光元件的终端电极。透明薄膜中可以含有可被半导体发光元件发出的光激发的荧光粉。在将半导体发光元件与图形电极连接时不必再进行引线焊接和利用密封层密封。
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公开(公告)号：CN101373809A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200810169915.X
申请日：2003-06-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/145 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L33/641 , H01L33/647 , H01L2224/14
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管元件，包括：半导体叠层膜，具有第一导电型的第一半导体层与第二导电型的第二半导体层；形成在所述半导体叠层膜的一个面上的第一电极；形成在所述半导体叠层膜的所述一个面的对面上的第二电极；形成为与所述第一电极或所述第二电极相接的金属膜；以及在所述半导体叠层膜与所述金属膜之间，所述半导体叠层膜与所述金属膜的周边部所形成的电流狭窄层。
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公开(公告)号：CN100337338C
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200410063346.2
申请日：2000-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C30B25/183 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L33/025 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01S5/0207 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S5/3203 , H01S5/32341
Abstract: 一种半导体装置，其特征在于具备有在表面上设有凸起的基板和借助于来自上述凸起的侧表面的晶体生长在上述基板的上述表面上形成的半导体层，上述凸起包含不与上述基板的上述表面平行的相互连接的2片侧表面，上述2片侧表面和与上述主面平行的面相交产生的2根线段的夹角为60°或120°。
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