公开(公告)号：CN101361240A

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200780001710.4

申请日：2007-03-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上田大助 ,  油利正昭 ,  杉浦胜己 ,  松田贤一

IPC: H01S5/042

CPC classification number: H01S5/042

Abstract: 半导体光源装置具有由氮化物半导体构成的多层半导体层的发光元件101、和驱动发光元件101的驱动电路102。驱动电路102进行根据向发光元件供给顺向电流来使发光元件101发光的顺向驱动动作、和向发光元件施加逆向偏压的逆向驱动动作。逆向偏压的大小由流过发光元件的逆向电流值限制。

公开(公告)号：CN101569068A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200880001018.6

申请日：2008-11-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大野启 ,  长谷川义晃 ,  杉浦胜己

IPC: H01S5/22

CPC classification number: H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2022 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/18

Abstract: 本发明公开了一种半导体激光装置及其制造方法。半导体激光装置包括半导体层叠层体(12)，该半导体层叠层体(12)具有沿与谐振器端面交叉的方向延伸且呈脊形条状的脊形波导部(12a)。在半导体层叠层体(12)上形成有覆盖脊形波导部(12a)的两侧面中的至少一部分的介电体层(16)。在半导体层叠层体(12)上的脊形波导部(12a)的两侧，与脊形波导部(12a)及谐振器端面互相留有间隔地形成有吸光层(17)。

公开(公告)号：CN101361240B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200780001710.4

申请日：2007-03-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上田大助 ,  油利正昭 ,  杉浦胜己 ,  松田贤一

IPC: H01S5/042

CPC classification number: H01S5/042

Abstract: 半导体光源装置具有由氮化物半导体构成的多层半导体层的发光元件101、和驱动发光元件101的驱动电路102。驱动电路102进行根据向发光元件供给顺向电流来使发光元件101发光的顺向驱动动作、和向发光元件施加逆向偏压的逆向驱动动作。逆向偏压的大小由流过发光元件的逆向电流值限制。

公开(公告)号：CN1967954A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200610146401.3

申请日：2006-11-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 杉浦胜己

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/323 ,  H01L33/00 ,  H01L27/15

CPC classification number: H01S5/32341

Abstract: 本发明提供一种阈值电流低、且具有高的可靠性的III族氮化物半导体发光装置。本发明的III族氮化物半导体发光装置在活性层(5)和p型包层(9)之间具备：由AlxGa1－x－yInyN(0＜x＜1、0＜y＜1、x+y＜1)构成的中间层(7)；和与中间层(7)相接，且由电子亲和力比所述中间层小的p型III族氮化物半导体构成的电子阻挡层(8)。半导体发光装置既可以是激光装置，也可以是LED。