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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100435436C
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200510056521.X
申请日：2000-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C30B25/183 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L33/025 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01S5/0207 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S5/3203 , H01S5/32341
Abstract: 一种半导体基板的制造方法，其特征在于包括准备晶体生长用基板的工序、在上述晶体生长用基板上沉积具有六方晶的结晶构造的第1半导体层的工序、通过对上述第1半导体层的一部分进行蚀刻使面方位为(1，-1，0，n)，这里n为整数，的面或与此等价的面外露的工序、在上述外露工序后在上述第1半导体层的表面上沉积具有六方晶的结晶构造的第2半导体层的工序。
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公开(公告)号：CN100337338C
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200410063346.2
申请日：2000-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C30B25/183 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L33/025 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01S5/0207 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S5/3203 , H01S5/32341
Abstract: 一种半导体装置，其特征在于具备有在表面上设有凸起的基板和借助于来自上述凸起的侧表面的晶体生长在上述基板的上述表面上形成的半导体层，上述凸起包含不与上述基板的上述表面平行的相互连接的2片侧表面，上述2片侧表面和与上述主面平行的面相交产生的2根线段的夹角为60°或120°。
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公开(公告)号：CN1661869A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200510056521.X
申请日：2000-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C30B25/183 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L33/025 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01S5/0207 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S5/3203 , H01S5/32341
Abstract: 一种半导体基板的制造方法，其特征在于包括准备晶体生长用基板的工序、在上述晶体生长用基板上沉积具有六方晶的结晶构造的第1半导体层的工序、通过对上述第1半导体层的一部分进行蚀刻使面方位为(1，－1，0，n)，这里n为整数，的面或与此等价的面外露的工序、在上述外露工序后在上述第1半导体层的表面上沉积具有六方晶的结晶构造的第2半导体层的工序。
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公开(公告)号：CN1212695C
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN00129584.5
申请日：2000-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C30B25/183 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L33/025 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01S5/0207 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S5/3203 , H01S5/32341
Abstract: 一种半导体装置，具备有在表面上设置了从基板的法线方向看具有封闭形状的凹陷(104)的基板(102)和至少借助于来自上述凹陷(104)的内表面(105、106、107)的晶体生长在上述基板(102)的上述表面上形成的半导体层(103)使该半导体层的晶格缺陷朝上述凹陷的中心方向集中。并且提供进一步减少晶格缺陷的半导体装置。
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公开(公告)号：CN1553523A
公开(公告)日：2004-12-08
申请号：CN200410063346.2
申请日：2000-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C30B25/183 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L33/025 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01S5/0207 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S5/3203 , H01S5/32341
Abstract: 一种半导体装置，其特征在于具备有在表面上设有凸起的基板和借助于来自上述凸起的侧表面的晶体生长在上述基板的上述表面上形成的半导体层，上述凸起包含不与上述基板的上述表面平行的相互连接的2片侧表面，上述2片侧表面和与上述主面平行的面相交产生的2根线段的夹角为60°或120°。
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