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公开(公告)号：CN107851969A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680042974.3
申请日：2016-07-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/343
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体激光元件。氮化物半导体激光元件在p侧光导层与p型包覆层之间具有电子势垒层。电子势垒层的带隙能量比p型包覆层大。p侧光导层由不含In的AlxGa1-xN(0≤x＜1)构成。此外，n侧光导层的膜厚dn和p侧光导层的膜厚dp满足dp≥0.25μm且dn≥dp的关系。
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公开(公告)号：CN100435436C
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200510056521.X
申请日：2000-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C30B25/183 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L33/025 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01S5/0207 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S5/3203 , H01S5/32341
Abstract: 一种半导体基板的制造方法，其特征在于包括准备晶体生长用基板的工序、在上述晶体生长用基板上沉积具有六方晶的结晶构造的第1半导体层的工序、通过对上述第1半导体层的一部分进行蚀刻使面方位为(1，-1，0，n)，这里n为整数，的面或与此等价的面外露的工序、在上述外露工序后在上述第1半导体层的表面上沉积具有六方晶的结晶构造的第2半导体层的工序。
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公开(公告)号：CN1574526A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410047569.X
申请日：2004-05-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/028 , H01S5/0655 , H01S5/1014 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/34333 , H01S2301/18 , H01S2304/04
Abstract: 本发明的半导体激光器装置，在基片(101)上至少含有第1导电型的包覆层(102)、活性层(104)和第2导电型的包覆层(107)，其中，具有用于注入载流子的条形结构(117)，射出激光的谐振器的前方端面的条形的宽度大于位于相反侧的后方端面的条形的宽度，而且，前方端面的反射率低于后方端面的反射率。由此，能够根据半导体激光器内部的谐振器方向的光强度分布，控制载流子向活性层(104)注入，能够谋求降低阈值电流，提高斜度效率及提高纽结水平，能够提供一种在高光输出工作时也能以基横模稳定振荡激光的半导体激光器装置。
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公开(公告)号：CN1347177A
公开(公告)日：2002-05-01
申请号：CN01136085.2
申请日：2001-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/32308 , H01S5/20 , H01S5/2004 , H01S5/2009 , H01S5/2206 , H01S5/221 , H01S5/2231 , H01S5/3213
Abstract: 一种半导体激光装置,分别在活性层4的下方设有由AlX1Ga1－x1As所构成的n型包层2,在活性层4的上方设有由(AlxGa1－x)yIn1－yP所构成的势垒高度规定用p型包层6。势垒高度规定用p型包层6比n型包层2含有更多的组成元素,势垒高度规定用p型包层6与活性层4之间的导带端的势差大于n型包层2与活性层4之间的导带端的势差。在抑制从活性层4向p型包层6的载流子溢出的同时,还通过在n型包层2上使用热传导率较高的材料抑制热饱和现象来提高光输出。提供抑制了热饱和现象的光输出较高的半导体激光装置。
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公开(公告)号：CN107851969B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201680042974.3
申请日：2016-07-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/343
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体激光元件。氮化物半导体激光元件在p侧光导层与p型包覆层之间具有电子势垒层。电子势垒层的带隙能量比p型包覆层大。p侧光导层由不含In的AlxGa1‑xN(0≤x＜1)构成。此外，n侧光导层的膜厚dn和p侧光导层的膜厚dp满足dp≥0.25μm且dn≥dp的关系。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100337338C
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200410063346.2
申请日：2000-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C30B25/183 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L33/025 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01S5/0207 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S5/3203 , H01S5/32341
Abstract: 一种半导体装置，其特征在于具备有在表面上设有凸起的基板和借助于来自上述凸起的侧表面的晶体生长在上述基板的上述表面上形成的半导体层，上述凸起包含不与上述基板的上述表面平行的相互连接的2片侧表面，上述2片侧表面和与上述主面平行的面相交产生的2根线段的夹角为60°或120°。
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公开(公告)号：CN1661869A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200510056521.X
申请日：2000-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C30B25/183 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L33/025 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01S5/0207 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S5/3203 , H01S5/32341
Abstract: 一种半导体基板的制造方法，其特征在于包括准备晶体生长用基板的工序、在上述晶体生长用基板上沉积具有六方晶的结晶构造的第1半导体层的工序、通过对上述第1半导体层的一部分进行蚀刻使面方位为(1，－1，0，n)，这里n为整数，的面或与此等价的面外露的工序、在上述外露工序后在上述第1半导体层的表面上沉积具有六方晶的结晶构造的第2半导体层的工序。
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公开(公告)号：CN1262054C
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN01136085.2
申请日：2001-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/32308 , H01S5/20 , H01S5/2004 , H01S5/2009 , H01S5/2206 , H01S5/221 , H01S5/2231 , H01S5/3213
Abstract: 一种半导体激光装置，分别在活性层104的下方设有由Alx1Ga1-x1As所构成的n型包层102，在活性层104的上方设有由(AlxGa1-x)yIn1-yP所构成的势垒高度规定用p型包层106。势垒高度规定用p型包层106比n型包层102含有更多的组成元素，势垒高度规定用p型包层106与活性层104之间的导带端的势差大于n型包层102与活性层104之间的导带端的势差。在抑制从活性层104向p型包层106的载流子溢出的同时，还通过在n型包层102上使用热传导率较高的材料抑制热饱和现象来提高光输出。提供抑制了热饱和现象的光输出较高的半导体激光装置。
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公开(公告)号：CN1212695C
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN00129584.5
申请日：2000-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C30B25/183 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L33/025 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01S5/0207 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S5/3203 , H01S5/32341
Abstract: 一种半导体装置，具备有在表面上设置了从基板的法线方向看具有封闭形状的凹陷(104)的基板(102)和至少借助于来自上述凹陷(104)的内表面(105、106、107)的晶体生长在上述基板(102)的上述表面上形成的半导体层(103)使该半导体层的晶格缺陷朝上述凹陷的中心方向集中。并且提供进一步减少晶格缺陷的半导体装置。
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公开(公告)号：CN1553523A
公开(公告)日：2004-12-08
申请号：CN200410063346.2
申请日：2000-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C30B25/183 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L33/025 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01S5/0207 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S5/3203 , H01S5/32341
Abstract: 一种半导体装置，其特征在于具备有在表面上设有凸起的基板和借助于来自上述凸起的侧表面的晶体生长在上述基板的上述表面上形成的半导体层，上述凸起包含不与上述基板的上述表面平行的相互连接的2片侧表面，上述2片侧表面和与上述主面平行的面相交产生的2根线段的夹角为60°或120°。
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