公开(公告)号：CN103155124A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201180048171.6

申请日：2011-07-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 好田慎一 ,  石田昌宏 ,  山田康博

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/205 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体装置，其具有依次形成于基板(1)之上的第1氮化物半导体层(3)、第2氮化物半导体层(4)、第3氮化物半导体层(5)及第4氮化物半导体层(6)。在第3氮化物半导体层(5)中的与第4氮化物半导体层(6)的界面附近形成蓄积有载流子的沟道。第2氮化物半导体层(4)的带隙比第3氮化物半导体层(5)的带隙大。第1氮化物半导体层(3)，其带隙与第2氮化物半导体层(4)的带隙相同或比其大，且被导入比第2氮化物半导体层(4)更高浓度的碳。

公开(公告)号：CN100337338C

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200410063346.2

申请日：2000-10-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中村真嗣 ,  石田昌宏 ,  折田贤儿 ,  今藤修 ,  油利正昭

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/323

CPC classification number: C30B25/183 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/025 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3203 ,  H01S5/32341

Abstract: 一种半导体装置，其特征在于具备有在表面上设有凸起的基板和借助于来自上述凸起的侧表面的晶体生长在上述基板的上述表面上形成的半导体层，上述凸起包含不与上述基板的上述表面平行的相互连接的2片侧表面，上述2片侧表面和与上述主面平行的面相交产生的2根线段的夹角为60°或120°。

公开(公告)号：CN1661869A

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN200510056521.X

申请日：2000-10-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中村真嗣 ,  石田昌宏 ,  折田贤儿 ,  今藤修 ,  油利正昭

IPC: H01S5/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: C30B25/183 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/025 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3203 ,  H01S5/32341

Abstract: 一种半导体基板的制造方法，其特征在于包括准备晶体生长用基板的工序、在上述晶体生长用基板上沉积具有六方晶的结晶构造的第1半导体层的工序、通过对上述第1半导体层的一部分进行蚀刻使面方位为(1，－1，0，n)，这里n为整数，的面或与此等价的面外露的工序、在上述外露工序后在上述第1半导体层的表面上沉积具有六方晶的结晶构造的第2半导体层的工序。

公开(公告)号：CN103038869B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201180037480.3

申请日：2011-04-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 胁田尚英 ,  田中健一郎 ,  石田昌宏 ,  田村聪之 ,  柴田大辅

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/205 ,  H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/205 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/402 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管。第一半导体层(103)至少在栅电极(106)中的漏电极(107)侧的端部的下侧的区域内具有碳浓度低于1×1017cm-3的低碳浓度区域，在将从基板(101)的上表面到包括第一半导体层(103)以及第二半导体层(104)在内的漏电极为止的半导体层的厚度设为d1(μm)、将低碳浓度区域的厚度设为d2(μm)、将工作耐压设为Vm(V)时，满足Vm/(110·d1)≤d2＜Vm/(110·d1)+0.5的关系，且在将缓和状态下的导通电阻设为Ron0、将从工作耐压Vm下的截止状态过渡至导通状态的100μs后的导通电阻设为Ron时，作为电流崩塌值的指标的Ron与Ron0之比的值为Ron/Ron0≤3。

公开(公告)号：CN1467863A

公开(公告)日：2004-01-14

申请号：CN03141115.0

申请日：2003-06-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上田哲三 ,  石田昌宏

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  H01S5/00

CPC classification number: C30B33/00 ,  C30B25/18 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02694 ,  H01L21/268 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/2003 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/2068 ,  H01S5/32341

Abstract: 提供一种半导体晶片、半导体装置及其制造方法。本发明在由蓝宝石构成的基板(1)上面根据结晶生长成膜厚度约5μm的氮化镓半导体膜(2)。接着，从基板(1)的半导体膜(2)的相反侧面照射如波长355nm的YAG激光的第三高谐波光。根据该激光照射，在半导体膜(2)的与基板(1)的界面的附近区域激光被吸收，根据所吸收激光的发热，与基板(1)相接的氮化镓被热分解，在半导体膜(2)与基板(1)的界面形成含金属镓的析出层2a。根据本发明确实而大幅度减少形成于半导体膜(晶体取向附生膜)的单晶基板的弯曲。

公开(公告)号：CN100435436C

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200510056521.X

申请日：2000-10-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中村真嗣 ,  石田昌宏 ,  折田贤儿 ,  今藤修 ,  油利正昭

IPC: H01S5/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: C30B25/183 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/025 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3203 ,  H01S5/32341

Abstract: 一种半导体基板的制造方法，其特征在于包括准备晶体生长用基板的工序、在上述晶体生长用基板上沉积具有六方晶的结晶构造的第1半导体层的工序、通过对上述第1半导体层的一部分进行蚀刻使面方位为(1，-1，0，n)，这里n为整数，的面或与此等价的面外露的工序、在上述外露工序后在上述第1半导体层的表面上沉积具有六方晶的结晶构造的第2半导体层的工序。

公开(公告)号：CN103081062A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201180040477.7

申请日：2011-05-31

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 铃木朝实良 ,  梅田英和 ,  石田昌宏 ,  上田哲三

IPC: H01L21/205 ,  C30B25/18 ,  C30B29/38

CPC classification number: H01L21/265 ,  C30B29/06 ,  C30B29/403 ,  C30B31/22 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/2652

Abstract: 本发明提供一种化合物半导体的制造方法，在包含硅的基板的上部，形成硅氧化膜。其后，通过对基板(101)中的硅氧化膜的下侧的区域进行离子注入，接着进行热处理，而形成包含注入了离子的单晶硅的基底层(102)。接下来，通过除去硅氧化膜，而露出基底层(102)。其后，在基底层(102)上形成GaN层(105)。

公开(公告)号：CN103038869A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201180037480.3

申请日：2011-04-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 胁田尚英 ,  田中健一郎 ,  石田昌宏 ,  田村聪之 ,  柴田大辅

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/205 ,  H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/205 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/402 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管。第一半导体层(103)至少在栅电极(106)中的漏电极(107)侧的端部的下侧的区域内具有碳浓度低于1×1017cm-3的低碳浓度区域，在将从基板(101)的上表面到包括第一半导体层(103)以及第二半导体层(104)在内的漏电极为止的半导体层的厚度设为d1(μm)、将低碳浓度区域的厚度设为d2(μm)、将工作耐压设为Vm(V)时，满足Vm/(110·d1)≤d2＜Vm/(110·d1)+0.5的关系，且在将缓和状态下的导通电阻设为Ron0、将从工作电压Vm下的截止状态过渡至导通状态的100μs后的导通电阻设为Ron时，作为电流崩塌值的指标的Ron与Ron0之比的值为Ron/Ron0≤3。

公开(公告)号：CN102214701A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN201110042078.6

申请日：2011-02-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 清水顺 ,  好田慎一 ,  山田康博 ,  胁田尚英 ,  石田昌宏

IPC: H01L29/812 ,  H01L29/06 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体元件，可提高在Si基板上形成的氮化物半导体元件的生产性和工作特性。氮化半导体元件具备：在硅基板(101)上隔着初始层(102)形成变形抑制层(110)、在变形抑制层上形成的工作层(120)。变形抑制层(110)具有：第1分隔层(111)、在第1分隔层上相接形成的第2分隔层(112)、在第2分隔层上相接形成的超晶格层(113)。第1分隔层的晶格常数比第2分隔层大。超晶格层中交替层叠了第1层(113A)以及晶格常数比第1层小的第2层(113B)。超晶格层的平均晶格常数比第1分隔层的晶格常数小，并且比第2分隔层的晶格常数大。

公开(公告)号：CN1212695C

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN00129584.5

申请日：2000-10-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中村真嗣 ,  石田昌宏 ,  折田贤儿 ,  今藤修 ,  油利正昭

IPC: H01S5/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: C30B25/183 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/025 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3203 ,  H01S5/32341

Abstract: 一种半导体装置，具备有在表面上设置了从基板的法线方向看具有封闭形状的凹陷(104)的基板(102)和至少借助于来自上述凹陷(104)的内表面(105、106、107)的晶体生长在上述基板(102)的上述表面上形成的半导体层(103)使该半导体层的晶格缺陷朝上述凹陷的中心方向集中。并且提供进一步减少晶格缺陷的半导体装置。