公开(公告)号：CN101939883A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN200980104197.0

申请日：2009-10-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 川口真生

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/22

CPC classification number: H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3203 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明提供一种半导体激光器装置，该半导体激光器装置具有在基板(11)上所形成的且包含活性层(26)的半导体层层叠体(20)。半导体层层叠体(20)具有：将光射出的前端面；在与前端面交叉的方向上所形成的条状的波导部；在与前端面交叉的方向上延伸的第一区域(20A)；与第一区域(20A)上表面的高度不同的第二区域(20B)；在第一区域(20A)和第二区域(20B)之间所形成的、且与第二区域(20B)相比表面中的周期性的凹凸的变化小的平坦区域(20C)。并且，光波导路在平坦区域(20C)形成。

公开(公告)号：CN107851969A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680042974.3

申请日：2016-07-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 川口真生 ,  今藤修 ,  能崎信一郎 ,  萩野裕幸

IPC: H01S5/343

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体激光元件。氮化物半导体激光元件在p侧光导层与p型包覆层之间具有电子势垒层。电子势垒层的带隙能量比p型包覆层大。p侧光导层由不含In的AlxGa1-xN(0≤x＜1)构成。此外，n侧光导层的膜厚dn和p侧光导层的膜厚dp满足dp≥0.25μm且dn≥dp的关系。

公开(公告)号：CN107851969B

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN201680042974.3

申请日：2016-07-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 川口真生 ,  今藤修 ,  能崎信一郎 ,  萩野裕幸

IPC: H01S5/343

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体激光元件。氮化物半导体激光元件在p侧光导层与p型包覆层之间具有电子势垒层。电子势垒层的带隙能量比p型包覆层大。p侧光导层由不含In的AlxGa1‑xN(0≤x＜1)构成。此外，n侧光导层的膜厚dn和p侧光导层的膜厚dp满足dp≥0.25μm且dn≥dp的关系。

公开(公告)号：CN101939881A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN200980104444.7

申请日：2009-10-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 左文字克哉 ,  川口真生 ,  春日井秀纪

IPC: H01S5/16 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/164 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3403 ,  H01S5/34333

Abstract: 本申请提供一种半导体激光装置及其制造方法。半导体激光装置具备半导体层层叠体(20)，该半导体层层叠体(20)选择性地生成在基板的除规定区域外的区域上。半导体层层叠体(20)包括活性层(14)，并且具有带状的光波导路，该光波导路沿着与射出光的前方端面(20A)相交的方向延伸。活性层(14)具有形成在规定区域的周向边缘部的异常生成部(14a)和形成在异常生成部(14a)的周围的禁带带宽增大部(14b)，该禁带带宽增大部(14b)的禁带带宽比除异常生成部(14a)以外的活性层(14)的其他部分的禁带带宽大。光波导路与异常生成部(14a)相间隔并在前方端面(20A)包括禁带带宽增大部(14b)。

公开(公告)号：CN101558535A

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200880001109.X

申请日：2008-10-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 川口真生 ,  油利正昭

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/22 ,  H01S5/16

CPC classification number: H01S5/164 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/10 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3203 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明公开了一种半导体激光装置。该半导体激光装置具有形成在基板(1)的主面上且由III族氮化物半导体构成的包含MQW活性层(5)的叠层结构体。叠层结构体具有形成在该叠层结构体的主面的条状波导路，波导路的彼此相向的端面中的一个是光射出端面。在凹部(2)的周围形成有第一区域和第二区域，该第一区域是MQW活性层(5)中禁带宽度为Eg1的区域，该第二区域是MQW活性层(5)中禁带宽度为Eg2的区域，且与该第一区域邻接，而且Eg2≠Eg1。所形成的波导路包含第一区域及第二区域，且不包含台阶区域，光射出端面形成在第一区域及第二区域中光吸收波长较短的那个区域(5a)。