公开(公告)号：CN111902920A

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN201980021326.3

申请日：2019-02-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 宇治田信二 ,  柴田大辅 ,  田村聪之

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L21/337 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L29/778 ,  H01L29/80 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

Abstract: 氮化物半导体装置(10)具备依次被设置的基板(12)；漂移层(14)；第1基础层(16)；到达漂移层(14)的栅极开口部(22)；沿着栅极开口部(22)的内表面设置的电子传输层(24)和电子供给层(26)；以覆盖栅极开口部(22)的方式设置的栅极电极(30)；延伸到第1基础层(16)的源极开口部(32)；被设置在源极开口部(32)并且与第1基础层(16)连接的源极电极(34)；被设置在基板(12)的背面侧的漏极电极(36)；在基板(12)的最外周部(48)，贯通电子传输层(24)和电子供给层(26)并延伸到第1基础层(16)的外周开口部(38)；被设置在外周开口部(38)，与第1基础层(16)连接，不与电子传输层(24)和电子供给层(26)接触的电位固定电极(40)。

公开(公告)号：CN102341895A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201080010283.8

申请日：2010-02-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 酒井启之 ,  福田健志 ,  宇治田信二 ,  河井康史

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/822 ,  H01L23/52 ,  H01L27/04 ,  H01P3/08 ,  H01P11/00

CPC classification number: H01L23/5222 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/5221 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/525 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/061 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/141 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01P3/085 ,  H01P11/003 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/05599

Abstract: 提供一种半导体芯片，是将Si类半导体作为基板的MMIC等半导体芯片，具有低损耗的传送线路，容易连接到安装用电路基板上，且能够确保稳定的GND电位。该半导体芯片是倒装的半导体芯片(10)，具备：Si基板(11)；形成在Si基板(11)的主面上的集成电路(12)；形成在集成电路(12)上方的介质膜(16)；以及形成在介质膜(16)上表面的接地用导体膜(17)，集成电路(12)包括由用于传送该集成电路(12)中的信号的信号线(15)构成的布线层(13a)，由信号线(15)、介质膜(16)及导体膜(17)构成微带线。

公开(公告)号：CN110168745A

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201780082127.4

申请日：2017-12-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 柴田大辅 ,  田村聪之 ,  宇治田信二 ,  平下奈奈子 ,  小川雅弘 ,  梶谷亮

IPC: H01L31/12

Abstract: 半导体继电器(10)具备发光元件(20)、以及与发光元件(20)相对而置受光元件(30)。受光元件(30)具备：衬底(31)；被形成在衬底(31)上且具有半绝缘性的直接跃迁型半导体层(32)；以至少一部分与半导体层(32)接触的方式而形成的第1电极(33)；以及在与第1电极(33)相离的位置上以至少一部分与半导体层(32)接触的方式而形成的第2电极(34)。半导体层(32)通过吸收来自发光元件(20)的光而成为低电阻状态。

公开(公告)号：CN102341895B

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201080010283.8

申请日：2010-02-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 酒井启之 ,  福田健志 ,  宇治田信二 ,  河井康史

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/822 ,  H01L23/52 ,  H01L27/04 ,  H01P3/08 ,  H01P11/00

CPC classification number: H01L23/5222 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/5221 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/525 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/061 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/141 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01P3/085 ,  H01P11/003 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/05599

Abstract: 提供一种半导体芯片，是将Si类半导体作为基板的MMIC等半导体芯片，具有低损耗的传送线路，容易连接到安装用电路基板上，且能够确保稳定的GND电位。该半导体芯片是倒装的半导体芯片(10)，具备：Si基板(11)；形成在Si基板(11)的主面上的集成电路(12)；形成在集成电路(12)上方的介质膜(16)；以及形成在介质膜(16)上表面的接地用导体膜(17)，集成电路(12)包括由用于传送该集成电路(12)中的信号的信号线(15)构成的布线层(13a)，由信号线(15)、介质膜(16)及导体膜(17)构成微带线。