公开(公告)号：CN111344842A

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN201880073367.2

申请日：2018-08-31

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 柴田大辅 ,  田村聪之 ,  平下奈奈子

IPC: H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/12 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

Abstract: 氮化物半导体装置(100)具备：基板(110)；在基板(110)的上方被依次设置的漂移层(120)及阻挡层(130)；栅极开口部(140)，贯通阻挡层(130)而延伸到漂移层(120)；被依次设置的电子传输层(150)及电子供给层(151)，具有位于阻挡层(130)的上方的部分和沿着栅极开口部(140)的内表面的部分；栅极电极(170)，以覆盖栅极开口部(140)的方式而被设置；源极开口部(160)，贯通电子传输层(150)及电子供给层(151)而延伸到阻挡层(130)；源极电极(180S)，被设置在源极开口部(160)；以及漏极电极(180D)，被设置在基板(110)的背面侧，在平面视的情况下，栅极开口部(140)的长度方向上的端部(143)的轮廓(143a)的至少一部分，呈沿着圆弧或椭圆弧的形状。

公开(公告)号：CN110168745A

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201780082127.4

申请日：2017-12-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 柴田大辅 ,  田村聪之 ,  宇治田信二 ,  平下奈奈子 ,  小川雅弘 ,  梶谷亮

IPC: H01L31/12

Abstract: 半导体继电器(10)具备发光元件(20)、以及与发光元件(20)相对而置受光元件(30)。受光元件(30)具备：衬底(31)；被形成在衬底(31)上且具有半绝缘性的直接跃迁型半导体层(32)；以至少一部分与半导体层(32)接触的方式而形成的第1电极(33)；以及在与第1电极(33)相离的位置上以至少一部分与半导体层(32)接触的方式而形成的第2电极(34)。半导体层(32)通过吸收来自发光元件(20)的光而成为低电阻状态。

公开(公告)号：CN103548127A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201280024242.3

申请日：2012-06-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 根来升 ,  梅田英和 ,  平下奈奈子 ,  上田哲三

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/205 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/04 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/475 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，具备：基板(101)；载流子渡越层(103)，其由形成在基板上的III族氮化物半导体构成，使载流子在沿基板的主面的方向上渡越；势垒层(104)，其形成于载流子渡越层上，由带隙比第一III族氮化物半导体更大的第二III族氮化物半导体构成；和电极(106)，其形成于势垒层上。进而具备：帽层(105)，其形成在势垒层(104)上且形成于电极的侧方的区域，由单晶与多晶混合存在的第三III族氮化物半导体构成。