公开(公告)号：CN111902920A

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN201980021326.3

申请日：2019-02-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 宇治田信二 ,  柴田大辅 ,  田村聪之

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L21/337 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L29/778 ,  H01L29/80 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

Abstract: 氮化物半导体装置(10)具备依次被设置的基板(12)；漂移层(14)；第1基础层(16)；到达漂移层(14)的栅极开口部(22)；沿着栅极开口部(22)的内表面设置的电子传输层(24)和电子供给层(26)；以覆盖栅极开口部(22)的方式设置的栅极电极(30)；延伸到第1基础层(16)的源极开口部(32)；被设置在源极开口部(32)并且与第1基础层(16)连接的源极电极(34)；被设置在基板(12)的背面侧的漏极电极(36)；在基板(12)的最外周部(48)，贯通电子传输层(24)和电子供给层(26)并延伸到第1基础层(16)的外周开口部(38)；被设置在外周开口部(38)，与第1基础层(16)连接，不与电子传输层(24)和电子供给层(26)接触的电位固定电极(40)。

公开(公告)号：CN103038869B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201180037480.3

申请日：2011-04-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 胁田尚英 ,  田中健一郎 ,  石田昌宏 ,  田村聪之 ,  柴田大辅

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/205 ,  H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/205 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/402 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管。第一半导体层(103)至少在栅电极(106)中的漏电极(107)侧的端部的下侧的区域内具有碳浓度低于1×1017cm-3的低碳浓度区域，在将从基板(101)的上表面到包括第一半导体层(103)以及第二半导体层(104)在内的漏电极为止的半导体层的厚度设为d1(μm)、将低碳浓度区域的厚度设为d2(μm)、将工作耐压设为Vm(V)时，满足Vm/(110·d1)≤d2＜Vm/(110·d1)+0.5的关系，且在将缓和状态下的导通电阻设为Ron0、将从工作耐压Vm下的截止状态过渡至导通状态的100μs后的导通电阻设为Ron时，作为电流崩塌值的指标的Ron与Ron0之比的值为Ron/Ron0≤3。

公开(公告)号：CN101030694A

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN200610171146.8

申请日：2006-12-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 田村聪之 ,  池户教夫

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/065 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/2231 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0658 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/221 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/00

Abstract: 本发明公开了一种自激振荡型氮化物半导体激光装置。在包括由n型包层11和p型包层13夹着的活性层12和具有使流向活性层12的电流狭窄的开口部的电流狭窄层14的埋入结构中，在电流狭窄层14上形成有由添加了p型杂质的氮化物半导体形成的再成长层15来将电流狭窄层14的开口部覆盖好。埋设在开口部的再成长层15中与开口部侧面相邻且具有一定宽度W的区域成为n型化区域15a。这样一来，通过使实际效果是电流狭窄层14的开口部变窄来得到自激振荡型氮化物半导体激光装置10。

公开(公告)号：CN111344842A

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN201880073367.2

申请日：2018-08-31

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 柴田大辅 ,  田村聪之 ,  平下奈奈子

IPC: H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/12 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

Abstract: 氮化物半导体装置(100)具备：基板(110)；在基板(110)的上方被依次设置的漂移层(120)及阻挡层(130)；栅极开口部(140)，贯通阻挡层(130)而延伸到漂移层(120)；被依次设置的电子传输层(150)及电子供给层(151)，具有位于阻挡层(130)的上方的部分和沿着栅极开口部(140)的内表面的部分；栅极电极(170)，以覆盖栅极开口部(140)的方式而被设置；源极开口部(160)，贯通电子传输层(150)及电子供给层(151)而延伸到阻挡层(130)；源极电极(180S)，被设置在源极开口部(160)；以及漏极电极(180D)，被设置在基板(110)的背面侧，在平面视的情况下，栅极开口部(140)的长度方向上的端部(143)的轮廓(143a)的至少一部分，呈沿着圆弧或椭圆弧的形状。

公开(公告)号：CN103038869A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201180037480.3

申请日：2011-04-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 胁田尚英 ,  田中健一郎 ,  石田昌宏 ,  田村聪之 ,  柴田大辅

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/205 ,  H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/205 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/402 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管。第一半导体层(103)至少在栅电极(106)中的漏电极(107)侧的端部的下侧的区域内具有碳浓度低于1×1017cm-3的低碳浓度区域，在将从基板(101)的上表面到包括第一半导体层(103)以及第二半导体层(104)在内的漏电极为止的半导体层的厚度设为d1(μm)、将低碳浓度区域的厚度设为d2(μm)、将工作耐压设为Vm(V)时，满足Vm/(110·d1)≤d2＜Vm/(110·d1)+0.5的关系，且在将缓和状态下的导通电阻设为Ron0、将从工作电压Vm下的截止状态过渡至导通状态的100μs后的导通电阻设为Ron时，作为电流崩塌值的指标的Ron与Ron0之比的值为Ron/Ron0≤3。

公开(公告)号：CN111886683A

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201980019884.6

申请日：2019-02-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小川雅弘 ,  柴田大辅 ,  田村聪之

IPC: H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

Abstract: 氮化物半导体装置(10)具备：基板(12)；依次设置在基板(12)的第1主面(12a)上方的第1导电型的漂移层(14)以及第2导电型的第1基础层(16)；栅极开口部(22)，贯通第1基础层(16)并且延伸到漂移层(14)；电子传输层(26)，具有位于第1基础层(16)的上方的部分以及沿着栅极开口部(22)的内表面的部分；栅极电极(30)，被设置在电子传输层(26)的上方且覆盖栅极开口部(22)；源极电极(34)，与第1基础层(16)连接；漏极电极(36)，设置在基板(12)的第2主面(12b)侧；以及高电阻层(24)，由氮化物半导体构成，设置在栅极开口部(22)中的第1基础层(16)与电子传输层(26)之间，其电阻值比第1基础层(16)高。

公开(公告)号：CN103098189A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201180043623.1

申请日：2011-04-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 木下雄介 ,  田村聪之 ,  按田义治 ,  上田哲三

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L29/41 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/452 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872

Abstract: 一种半导体装置，具有：在第一氮化物半导体层(13)上形成、且带隙比第一氮化物半导体层(13)大的第二氮化物半导体层(14)；贯穿第二氮化物半导体层(14)且将第一氮化物半导体层(13)的一部分除去的凹部；以及埋入凹部的电极(17)。在第一氮化物半导体层(13)的与第二氮化物半导体层(14)的界面的正下方具有二维电子气体层(13a)。电极(17)和第二氮化物半导体层(14)在第一接触面(16a)相接。电极(17)和二维电子气体层(13a)的部分在连接于第一接触面(16a)之下的第二接触面(16b)相接。第一接触面(16a)是凹部的宽度从下到上变宽的形状。在连接处，第二接触面(16b)相对于第一氮化物半导体层(13)的上表面的倾斜比第一接触面(16a)更陡峭。

公开(公告)号：CN101965667A

公开(公告)日：2011-02-02

申请号：CN200980108300.9

申请日：2009-10-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小野泽和利 ,  田村聪之 ,  春日井秀纪

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/22

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/0658 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2081 ,  H01S5/2206 ,  H01S5/3063

Abstract: 本发明涉及的氮化物半导体激光元件具备：形成在基板上的由氮化物半导体构成的活性层(106)；和形成在活性层(106)上，具有使电流选择性地向活性层(106)流动的开口部(109a)的电流缩窄层(109)；在将开口部(109a)与电流缩窄层(109)之间的有效折射率差设为Δn、将从活性层(106)发出的激光之中被封闭在活性层(106)中的激光的垂直方向的光封闭率设为Γv时，满足0.044＜Δn/Γv＜0.062的关系。

公开(公告)号：CN101682171A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200980000087.X

申请日：2009-01-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小野泽和利 ,  田村聪之

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/22

CPC classification number: H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  G11B7/127 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/1082 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/02

Abstract: 本发明公开了一种半导体激光装置及其制造方法。半导体激光装置包括：主面的晶面方位为(1-100)的基板(11)，形成在基板(11)上且具有条状光波导部的半导体叠层体(12)，以及形成在基板(11)上的出射端面的至少一部分的多个锥状突起部(13)。出射端面的晶面方位为(000-1)。

公开(公告)号：CN110168745A

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201780082127.4

申请日：2017-12-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 柴田大辅 ,  田村聪之 ,  宇治田信二 ,  平下奈奈子 ,  小川雅弘 ,  梶谷亮

IPC: H01L31/12

Abstract: 半导体继电器(10)具备发光元件(20)、以及与发光元件(20)相对而置受光元件(30)。受光元件(30)具备：衬底(31)；被形成在衬底(31)上且具有半绝缘性的直接跃迁型半导体层(32)；以至少一部分与半导体层(32)接触的方式而形成的第1电极(33)；以及在与第1电极(33)相离的位置上以至少一部分与半导体层(32)接触的方式而形成的第2电极(34)。半导体层(32)通过吸收来自发光元件(20)的光而成为低电阻状态。