公开(公告)号：CN101086956A

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN200710106430.1

申请日：2007-05-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 内海胜喜 ,  隈川隆博 ,  松浦正美 ,  松岛芳宏

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/782 ,  B81C1/00 ,  H04R31/00

Abstract: 本发明公开了半导体装置的制造方法。目的在于：当制造具有脆弱部分的结构的半导体装置时，在避免对半导体装置造成损坏的情况下进行切割。本发明的半导体装置100的制造方法，包括：工序(a)，在具有多个芯片的半导体晶片(101)中的各个芯片的规定区域上形成振动膜(103)；工序(b)，将含有位于各个芯片的振动膜(103)上的牺牲层(113)的中间膜(102)形成在半导体晶片上；工序(c)，在中间膜(102)上形成固定膜(104)；工序(d)，通过对半导体晶片(101)进行刀片切割，来将各个芯片(100a)分开；以及工序(e)，通过对各个芯片(100a)进行蚀刻，来除去牺牲层(113)，在振动膜(103)与固定膜(104)之间设置空隙。

公开(公告)号：CN1371127A

公开(公告)日：2002-09-25

申请号：CN01141867.2

申请日：2001-09-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 内海胜喜 ,  船越正司 ,  滨谷毅 ,  森川健 ,  中林幸男

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/50 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49548 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种引线框10包括:由所述外框部11所支撑,并分别装载多个半导体芯片的多个芯片装载部12;设在各芯片装载部12周围的内引线部13;连接并支撑内引线部13和外框部11的连接部14。多个芯片装载部12被利用密封用树脂整体密封的密封区域20所包围。在引线框10外框部11的密封区域20外侧,并且在连接部14延长线上的区域内,设有宽度比切割刀片的宽度更大的第1开口部16。通过减少在引线框切割面上产生的毛边来提高树脂密封型半导体装置的质量,同时延长切割刀片的寿命,提高生产效率。

公开(公告)号：CN102132409A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200980134153.2

申请日：2009-09-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 内海胜喜 ,  佐野光 ,  藤本博昭 ,  富田佳宏

IPC: H01L27/14 ,  H01L23/12 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L31/02 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L27/14618 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

Abstract: 形成半导体元件(6)的贯通孔导体部上部(9’)及贯通孔导体部下部(9)，使得贯通孔导体部上部(9’)与贯通孔导体部下部(9)的接合面的孔径(A)小于贯通孔导体部上部(9’)在半导体元件(6)一主面侧的孔径(B)、以及贯通孔导体部下部(9)在半导体元件(6)另一面侧的孔径(C)，在贯通孔导体部上部(9’)的上表面形成电极部(3)，并在电极部(3)的上表面形成突起部(4)，利用粘接剂(8)将光学构件(7)以按压在该突起部(4)的状态固接在半导体元件(6)上。

公开(公告)号：CN1219321C

公开(公告)日：2005-09-14

申请号：CN01141867.2

申请日：2001-09-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 内海胜喜 ,  船越正司 ,  滨谷毅 ,  森川健 ,  中林幸男

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/50 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49548 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种引线框(10)包括：由所述外框部(11)所支撑，并分别装载多个半导体芯片的多个芯片装载部(12)；设在各芯片装载部(12)周围的内引线部(13)；连接并支撑内引线部(13)和外框部(11)的连接部(14)。多个芯片装载部(12)被利用密封用树脂整体密封的密封区域(20)所包围。在引线框(10)外框部(11)的密封区域(20)外侧，并且在连接部(14)延长线上的区域内，设有宽度比切割刀片的宽度更大的第1开口部(16)。通过减少在引线框切割面上产生的毛边来提高树脂密封型半导体装置的质量，同时延长切割刀片的寿命，提高生产效率。

公开(公告)号：CN102224579A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN200980146497.5

申请日：2009-11-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中野高宏 ,  内海胜喜 ,  佐野光

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/60 ,  H01L23/12 ,  H01L23/52 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L27/14618 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L24/02 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/93 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/93 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体装置(10)具备：半导体基板(11)；贯通电极(17)，将半导体基板(11)沿厚度方向贯通而设置；内部电极(12)，设置在半导体基板(11)的表面的、贯通电极(17)到达的部分，与贯通电极(17)电连接；第1保护膜(13A)，将内部电极(12)的一部分除外而覆盖半导体基板(11)的表面；第2保护膜(13B)，与第1保护膜(13A)离开而设置在内部电极(12)的未被第1保护膜(13A)覆盖的部分；以及金属布线(18)，设置在半导体基板(11)的背面，与贯通电极(17)电连接。

公开(公告)号：CN1819159B

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN200610005974.4

申请日：2006-01-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 隈川隆博 ,  内海胜喜 ,  松岛芳宏 ,  松浦正美

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/301 ,  H01L21/78 ,  B23K26/38 ,  B28D5/00

CPC classification number: H01L23/585 ,  B23K26/40 ,  B23K2103/50 ,  H01L21/78 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明揭示一种半导体晶片及半导体器件的制造方法以及半导体器件，在半导体基板上具有多个半导体元件及分割区域，在所述半导体基板的内部具有改质区域，在分割区域的至少一部分具有分割引导图形，利用所述分割引导图形对以所述改质区域为起点所产生的裂口进行引导。

公开(公告)号：CN102144292A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN201080002455.7

申请日：2010-01-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 内海胜喜 ,  中野高宏 ,  佐野光

IPC: H01L27/14 ,  H01L23/02 ,  H01L31/0232

CPC classification number: H01L27/14625 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3128 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687 ,  H01L2224/13

Abstract: 提供一种半导体装置以及其制造方法，该半导体装置具备成本低且可靠性以及批量生产能力高的元件结构。半导体装置(100)，具备：基板(101)，包括摄像区域(102)，并具备第一主面和第二主面；电极部(103)，被形成在第一主面上；外部电极(109)，被形成在第二主面上；导体层(108)，被形成在贯穿基板(101)的贯穿孔中，使电极部(103)和外部电极(109)电连接；光学部件(105)，被形成在第一主面的上方，具备具有凸形的凸形面；以及透光材料(106)，被粘接到光学部件(105)以覆盖凸形，透光材料(106)的上面平坦。

公开(公告)号：CN1617312A

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN200410088940.7

申请日：2004-11-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 筒江诚 ,  内海胜喜

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/585 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/562 ,  H01L23/564 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 通过芯片区域的外围部分中的多个绝缘膜的多层结构，形成密封环结构以围绕该芯片区域。在该芯片区域中的至少一个绝缘膜中形成双重镶嵌互连，该双重镶嵌互连中集成有一个互连和一个连接到该互连的插塞。形成在该绝缘膜内的部分密封环结构是连续的，该绝缘膜中形成有双重镶嵌互连。形成在多层结构上的保护膜在保护环上具有开口。在开口中形成连接到该密封环的盖层。

公开(公告)号：CN102224579B

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN200980146497.5

申请日：2009-11-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中野高宏 ,  内海胜喜 ,  佐野光

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/60 ,  H01L23/12 ,  H01L23/52 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L27/14618 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L24/02 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/93 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/93 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体装置(10)具备：半导体基板(11)；贯通电极(17)，将半导体基板(11)沿厚度方向贯通而设置；内部电极(12)，设置在半导体基板(11)的表面的、贯通电极(17)到达的部分，与贯通电极(17)电连接；第1保护膜(13A)，将内部电极(12)的一部分除外而覆盖半导体基板(11)的表面；第2保护膜(13B)，与第1保护膜(13A)离开而设置在内部电极(12)的未被第1保护膜(13A)覆盖的部分；以及金属布线(18)，设置在半导体基板(11)的背面，与贯通电极(17)电连接。

公开(公告)号：CN101086956B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200710106430.1

申请日：2007-05-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 内海胜喜 ,  隈川隆博 ,  松浦正美 ,  松岛芳宏

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/782 ,  B81C1/00 ,  H04R31/00

Abstract: 本发明公开了半导体装置的制造方法。目的在于：当制造具有脆弱部分的结构的半导体装置时，在避免对半导体装置造成损坏的情况下进行切割。本发明的半导体装置100的制造方法，包括：工序(a)，在具有多个芯片的半导体晶片(101)中的各个芯片的规定区域上形成振动膜(103)；工序(b)，将含有位于各个芯片的振动膜(103)上的牺牲层(113)的中间膜(102)形成在半导体晶片上；工序(c)，在中间膜(102)上形成固定膜(104)；工序(d)，通过对半导体晶片(101)进行刀片切割，来将各个芯片(100a)分开；以及工序(e)，通过对各个芯片(100a)进行蚀刻，来除去牺牲层(113)，在振动膜(103)与固定膜(104)之间设置空隙。