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公开(公告)号：CN102161471A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110060035.0
申请日：2007-05-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00896 , B23K26/40 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , B81B2201/0257
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置的制造方法。目的在于：当制造具有脆弱部分的结构的半导体装置时，在避免对半导体装置造成损坏的情况下进行切割。本发明的半导体装置(100)的制造方法，包括：工序(a)，在具有多个芯片的半导体晶片(101)中的各个芯片的规定区域上形成振动膜(103)；工序(b)，将含有位于各个芯片的振动膜(103)上的牺牲层(113)的中间膜(102)形成在半导体晶片上；工序(c)，在中间膜(102)上形成固定膜(104)；工序(d)，通过对半导体晶片(101)进行刀片切割，来将各个芯片(100a)分开；以及工序(e)，通过对各个芯片(100a)进行蚀刻，来除去牺牲层(113)，在振动膜(103)与固定膜(104)之间设置空隙。
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公开(公告)号：CN101086956A
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200710106430.1
申请日：2007-05-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/782 , B81C1/00 , H04R31/00
Abstract: 本发明公开了半导体装置的制造方法。目的在于：当制造具有脆弱部分的结构的半导体装置时，在避免对半导体装置造成损坏的情况下进行切割。本发明的半导体装置100的制造方法，包括：工序(a)，在具有多个芯片的半导体晶片(101)中的各个芯片的规定区域上形成振动膜(103)；工序(b)，将含有位于各个芯片的振动膜(103)上的牺牲层(113)的中间膜(102)形成在半导体晶片上；工序(c)，在中间膜(102)上形成固定膜(104)；工序(d)，通过对半导体晶片(101)进行刀片切割，来将各个芯片(100a)分开；以及工序(e)，通过对各个芯片(100a)进行蚀刻，来除去牺牲层(113)，在振动膜(103)与固定膜(104)之间设置空隙。
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公开(公告)号：CN101086956B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200710106430.1
申请日：2007-05-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/782 , B81C1/00 , H04R31/00
Abstract: 本发明公开了半导体装置的制造方法。目的在于：当制造具有脆弱部分的结构的半导体装置时，在避免对半导体装置造成损坏的情况下进行切割。本发明的半导体装置100的制造方法，包括：工序(a)，在具有多个芯片的半导体晶片(101)中的各个芯片的规定区域上形成振动膜(103)；工序(b)，将含有位于各个芯片的振动膜(103)上的牺牲层(113)的中间膜(102)形成在半导体晶片上；工序(c)，在中间膜(102)上形成固定膜(104)；工序(d)，通过对半导体晶片(101)进行刀片切割，来将各个芯片(100a)分开；以及工序(e)，通过对各个芯片(100a)进行蚀刻，来除去牺牲层(113)，在振动膜(103)与固定膜(104)之间设置空隙。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101521208A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200810166513.4
申请日：2008-10-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/118 , H01L21/78 , B81B7/00 , B81C5/00 , H04R17/02 , H04R31/00 , B23K26/40 , B23K26/38 , B23K101/40
Abstract: 本发明揭示一种半导体基片和半导体器件及其制造方法。半导体基片(1)将构建功能要素的多个半导体元件(2)形成纵横交错状，在将所述多个半导体元件(2)各自分开的纵向和横向的分离线(4)上，去除分离线(4)的交叉部并去除与各半导体元件(2)的角部对应的部分，其余部分形成连续的直线状的槽(3)。
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公开(公告)号：CN1819159A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200610005974.4
申请日：2006-01-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L23/00 , H01L21/301 , H01L21/78 , B23K26/38 , B28D5/00
CPC classification number: H01L23/585 , B23K26/40 , B23K2103/50 , H01L21/78 , H01L23/544 , H01L2223/5446 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明揭示一种半导体晶片及半导体器件的制造方法以及半导体器件，在半导体基板上具有多个半导体元件及分割区域，在所述半导体基板的内部具有改质区域，在分割区域的至少一部分具有分割引导图形，利用所述分割引导图形对以所述改质区域为起点所产生的裂口进行引导。
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公开(公告)号：CN1819159B
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200610005974.4
申请日：2006-01-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L23/00 , H01L21/301 , H01L21/78 , B23K26/38 , B28D5/00
CPC classification number: H01L23/585 , B23K26/40 , B23K2103/50 , H01L21/78 , H01L23/544 , H01L2223/5446 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明揭示一种半导体晶片及半导体器件的制造方法以及半导体器件，在半导体基板上具有多个半导体元件及分割区域，在所述半导体基板的内部具有改质区域，在分割区域的至少一部分具有分割引导图形，利用所述分割引导图形对以所述改质区域为起点所产生的裂口进行引导。
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公开(公告)号：CN101425517A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200810171007.4
申请日：2008-10-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/118 , H01L23/544
Abstract: 提供一种半导体装置，防止将半导体晶片分割成芯片时，在划片区使用激光开槽方法的情况下，一旦直至扩散层都透过激光，则在扩散层上设置的扩散层导电膜吸收激光，从而因导电膜的溶解及体积膨胀而在扩散层导电膜上的大范围内发生层间绝缘膜的膜剥离。在半导体基板(1)之上交替层叠形成了布线的第1层间绝缘膜(6)和形成了与布线电连接的通孔的第2层间绝缘膜(7)，形成具有与布线或通孔电连接的功能元件的多个电路区(2)和在该电路区(2)的周围形成，从半导体基板(1)切出电路区(2)时的切割区即划片区(4)。在划片区(4)中，形成由导电性材料构成的第1伪图案(12)及第2伪图案(13)。
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公开(公告)号：CN101071790A
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200710101311.7
申请日：2007-04-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 隈川隆博
IPC: H01L21/78 , H01L21/301 , B28D5/00 , B23K26/00 , B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00873 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2103/50 , H01L21/78
Abstract: 本发明的目的在于提供一种按各个半导体器件分割半导体衬底时能改善加工节拍而不降低分割质量的半导体衬底。半导体衬底(1)在纵向和横向栅格状地形成具有隔膜结构的多个半导体元件(2)，并利用各向异性蚀刻仅在将半导体元件(2)各个分开的正交的分割线(4)中一平行分割线(4)上连续，形成V槽(3)。根据此组成，形成V槽(3)的分割线(4)的部分的半导体衬底(1)的厚度薄，成为切口状，能形成进行基于解理等的分割时的应力容易集中的结构。
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