公开(公告)号：CN102161471A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN201110060035.0

申请日：2007-05-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 内海胜喜 ,  隈川隆博 ,  松浦正美 ,  松岛芳宏

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00896 ,  B23K26/40 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B81B2201/0257

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置的制造方法。目的在于：当制造具有脆弱部分的结构的半导体装置时，在避免对半导体装置造成损坏的情况下进行切割。本发明的半导体装置(100)的制造方法，包括：工序(a)，在具有多个芯片的半导体晶片(101)中的各个芯片的规定区域上形成振动膜(103)；工序(b)，将含有位于各个芯片的振动膜(103)上的牺牲层(113)的中间膜(102)形成在半导体晶片上；工序(c)，在中间膜(102)上形成固定膜(104)；工序(d)，通过对半导体晶片(101)进行刀片切割，来将各个芯片(100a)分开；以及工序(e)，通过对各个芯片(100a)进行蚀刻，来除去牺牲层(113)，在振动膜(103)与固定膜(104)之间设置空隙。

公开(公告)号：CN101086956B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200710106430.1

申请日：2007-05-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 内海胜喜 ,  隈川隆博 ,  松浦正美 ,  松岛芳宏

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/782 ,  B81C1/00 ,  H04R31/00

Abstract: 本发明公开了半导体装置的制造方法。目的在于：当制造具有脆弱部分的结构的半导体装置时，在避免对半导体装置造成损坏的情况下进行切割。本发明的半导体装置100的制造方法，包括：工序(a)，在具有多个芯片的半导体晶片(101)中的各个芯片的规定区域上形成振动膜(103)；工序(b)，将含有位于各个芯片的振动膜(103)上的牺牲层(113)的中间膜(102)形成在半导体晶片上；工序(c)，在中间膜(102)上形成固定膜(104)；工序(d)，通过对半导体晶片(101)进行刀片切割，来将各个芯片(100a)分开；以及工序(e)，通过对各个芯片(100a)进行蚀刻，来除去牺牲层(113)，在振动膜(103)与固定膜(104)之间设置空隙。

公开(公告)号：CN1819159A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200610005974.4

申请日：2006-01-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 隈川隆博 ,  内海胜喜 ,  松岛芳宏 ,  松浦正美

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/301 ,  H01L21/78 ,  B23K26/38 ,  B28D5/00

CPC classification number: H01L23/585 ,  B23K26/40 ,  B23K2103/50 ,  H01L21/78 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明揭示一种半导体晶片及半导体器件的制造方法以及半导体器件，在半导体基板上具有多个半导体元件及分割区域，在所述半导体基板的内部具有改质区域，在分割区域的至少一部分具有分割引导图形，利用所述分割引导图形对以所述改质区域为起点所产生的裂口进行引导。

公开(公告)号：CN1819159B

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN200610005974.4

申请日：2006-01-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 隈川隆博 ,  内海胜喜 ,  松岛芳宏 ,  松浦正美

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/301 ,  H01L21/78 ,  B23K26/38 ,  B28D5/00

CPC classification number: H01L23/585 ,  B23K26/40 ,  B23K2103/50 ,  H01L21/78 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明揭示一种半导体晶片及半导体器件的制造方法以及半导体器件，在半导体基板上具有多个半导体元件及分割区域，在所述半导体基板的内部具有改质区域，在分割区域的至少一部分具有分割引导图形，利用所述分割引导图形对以所述改质区域为起点所产生的裂口进行引导。

公开(公告)号：CN101425517A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200810171007.4

申请日：2008-10-31

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 竹村康司 ,  隈川隆博 ,  松岛芳宏

IPC: H01L27/118 ,  H01L23/544

Abstract: 提供一种半导体装置，防止将半导体晶片分割成芯片时，在划片区使用激光开槽方法的情况下，一旦直至扩散层都透过激光，则在扩散层上设置的扩散层导电膜吸收激光，从而因导电膜的溶解及体积膨胀而在扩散层导电膜上的大范围内发生层间绝缘膜的膜剥离。在半导体基板(1)之上交替层叠形成了布线的第1层间绝缘膜(6)和形成了与布线电连接的通孔的第2层间绝缘膜(7)，形成具有与布线或通孔电连接的功能元件的多个电路区(2)和在该电路区(2)的周围形成，从半导体基板(1)切出电路区(2)时的切割区即划片区(4)。在划片区(4)中，形成由导电性材料构成的第1伪图案(12)及第2伪图案(13)。

公开(公告)号：CN101086956A

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN200710106430.1

申请日：2007-05-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 内海胜喜 ,  隈川隆博 ,  松浦正美 ,  松岛芳宏

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/782 ,  B81C1/00 ,  H04R31/00

Abstract: 本发明公开了半导体装置的制造方法。目的在于：当制造具有脆弱部分的结构的半导体装置时，在避免对半导体装置造成损坏的情况下进行切割。本发明的半导体装置100的制造方法，包括：工序(a)，在具有多个芯片的半导体晶片(101)中的各个芯片的规定区域上形成振动膜(103)；工序(b)，将含有位于各个芯片的振动膜(103)上的牺牲层(113)的中间膜(102)形成在半导体晶片上；工序(c)，在中间膜(102)上形成固定膜(104)；工序(d)，通过对半导体晶片(101)进行刀片切割，来将各个芯片(100a)分开；以及工序(e)，通过对各个芯片(100a)进行蚀刻，来除去牺牲层(113)，在振动膜(103)与固定膜(104)之间设置空隙。