公开(公告)号：CN1670114A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN200510055710.5

申请日：2005-03-18

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 吉泽千绘 ,  植松锐 ,  增山尚司 ,  谷毅彦

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/30625 ,  B24B37/044 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/02013

Abstract: 本发明的目的是在化合物半导体晶片或半导体晶片等的研磨工序中，提高研磨速度、平坦度、晶片形状的随时间性稳定性。使用在介质中凝集了平均粒径为0.005μm～0.1μm的一次粒子的球形度为0.5～0.75的研磨用磨料、凝集粒子分散时的平均粒径为1μm～30μm的研磨用磨料的研磨液。

公开(公告)号：CN1832116A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200610008029.X

申请日：2006-02-23

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 植松锐 ,  增山尚司 ,  谷毅彦

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/02052

Abstract: 本发明提供可有效除去晶片表面的Mg、Ca的半导体晶片的洗涤方法以及由该方法得到的晶片。在该半导体晶片的洗涤方法中，采用具有极弱的蚀刻作用的洗涤液有机碱系洗涤液洗涤后，为了除去晶片表面的Ca、Mg，用高纯度有机溶剂例如异丙醇进行洗涤。

公开(公告)号：CN1670114B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200510055710.5

申请日：2005-03-18

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 吉泽千绘 ,  植松锐 ,  增山尚司 ,  谷毅彦

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/30625 ,  B24B37/044 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/02013

Abstract: 本发明的目的是在化合物半导体晶片或半导体晶片等的研磨工序中，提高研磨速度、平坦度、晶片形状的随时间性稳定性。使用在介质中凝集了平均粒径为0.005μm～0.1μm的一次粒子的球形度为0.5～0.75的研磨用磨料、凝集粒子分散时的平均粒径为1μm～30μm的研磨用磨料的研磨液。