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公开(公告)号：CN101944560A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN201010167872.9
申请日：2010-04-26
Applicant: 日立电线株式会社
CPC classification number: C23C16/56 , H01L21/02395 , H01L21/02543 , H01L33/007 , H01L33/46
Abstract: 本发明提供一种半导体光元件基板的制造方法，关于与半导体光元件基板的各层对应的膜的生长速度条件确定，削减了生长速度条件确定项数。其中，当在一个反应室中连续且阶段性地晶体生长出各材料的组分不同的多层膜之前，经使用与MOCVD装置连接的计算机系统执行以下步骤的工序来执行半导体光元件基板的晶体生长。所述步骤包括：定义表示各层间的生长速度的关系的层间生长速度模型；使用单个基板实际进行晶体生长来求出与至少一个以上的层对应的膜的生长速度；根据求出的生长速度，通过层间生长速度模型推定与其他层对应的膜的生长速度；根据实际求出的生长速度以及推定出的生长速度，根据半导体光元件基板的各层的膜厚决定成膜时间。
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公开(公告)号：CN101944560B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201010167872.9
申请日：2010-04-26
Applicant: 日立电线株式会社
CPC classification number: C23C16/56 , H01L21/02395 , H01L21/02543 , H01L33/007 , H01L33/46
Abstract: 本发明提供一种半导体光元件基板的制造方法，关于与半导体光元件基板的各层对应的膜的生长速度条件确定，削减了生长速度条件确定项数。其中，当在一个反应室中连续且阶段性地晶体生长出各材料的组分不同的多层膜之前，经使用与MOCVD装置连接的计算机系统执行以下步骤的工序来执行半导体光元件基板的晶体生长。所述步骤包括：定义表示各层间的生长速度的关系的层间生长速度模型；使用单个基板实际进行晶体生长来求出与至少一个以上的层对应的膜的生长速度；根据求出的生长速度，通过层间生长速度模型推定与其他层对应的膜的生长速度；根据实际求出的生长速度以及推定出的生长速度，根据半导体光元件基板的各层的膜厚决定成膜时间。
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公开(公告)号：CN100477088C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200510056945.6
申请日：2005-03-24
Applicant: 日立电线株式会社
Inventor： 永井久隆
IPC: H01L21/205 , H01L21/68 , C23C16/458
CPC classification number: C30B25/08 , C23C16/4584 , C30B25/12
Abstract: 本发明的气相生长装置，通过改变一体设置在自转外延衬托器上的小齿轮的位置，能够增加在一次工序中生产的、半导体晶体薄膜在表面上生长的半导体晶片的数量。其具有原料气体导入口、加热半导体晶片的加热器及气体排出口，同时，具有保持各个半导体晶片的多个自转外延衬托器及通过各个轴承分别将这些自转外延衬托器可自由转动地设置在其上的圆板状公转外延衬托器，以环状使所述多个自转外延衬托器排列设置在所述圆板状公转外延衬托器的周边部上的同时，使分别形成在所述多个自转外延衬托器外周部的小齿轮与位于这些小齿轮外侧的公用的内齿轮啮合，其特征在于：使所述小齿轮与所述自转外延衬托器一体形成，所述小齿轮的位置不向所述自转外延衬托器外周部的水平方向外侧伸出，从而使所述小齿轮位于所述轴承的上部。
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公开(公告)号：CN1761037A
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN200510056945.6
申请日：2005-03-24
Applicant: 日立电线株式会社
Inventor： 永井久隆
IPC: H01L21/205 , H01L21/68 , C23C16/458
CPC classification number: C30B25/08 , C23C16/4584 , C30B25/12
Abstract: 本发明的气相生长装置，通过改变一体设置在自转外延衬托器上的小齿轮的位置，能够增加在一次工序中生产的、半导体晶体薄膜在表面上生长的半导体晶片的数量。其具有原料气体导入口、加热半导体晶片的加热器及气体排出口，同时，具有保持各个半导体晶片的多个自转外延衬托器及通过各个轴承分别将这些自转外延衬托器可自由转动地设置在其上的圆板状公转外延衬托器，以环状使所述多个自转外延衬托器排列设置在所述圆板状公转外延衬托器的周边部上的同时，使分别形成在所述多个自转外延衬托器外周部的小齿轮与位于这些小齿轮外侧的公用的内齿轮啮合，其特征在于：使所述小齿轮与所述自转外延衬托器一体形成，从而使所述小齿轮位于所述轴承的上部。
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