公开(公告)号：CN102768954A

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201210225793.8

申请日：2009-04-16

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 筱田隆 ,  田中孝明 ,  金丸真美子 ,  天野仓仁

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/321 ,  B24B37/04 ,  C09G1/02 ,  C09K3/14

CPC classification number: C09K3/1463 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明涉及CMP用研磨液以及研磨方法。本发明还涉及CMP用研磨液的应用，该CMP用研磨液包含介质和分散在介质中的胶态二氧化硅粒子，胶态二氧化硅粒子满足以下3个条件的全部。（1）从通过扫描电子显微镜观察任意20个粒子所得到的图像中得到的二轴平均一次粒径（R1）为35～55nm；（2）与在（1）中求得的R1相同粒径的正球体的比表面积计算值为S0，通过BET法测定的胶态二氧化硅粒子的比表面积为S1，用S0去除S1所得到的值为1.20以下；（3）在CMP用研磨液中，通过动态光散射方式粒度分布计测定的胶态二氧化硅粒子的二次粒径（Rs）与在（1）中求得的R1的比Rs/R1为1.30以下。

公开(公告)号：CN102766409A

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201210226495.0

申请日：2009-04-16

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 筱田隆 ,  田中孝明 ,  金丸真美子 ,  天野仓仁

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  B24B37/04 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/321

CPC classification number: C09K3/1463 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明涉及CMP用研磨液以及研磨方法，该CMP用研磨液包含介质、分散在前述介质中的胶态二氧化硅粒子、氧化金属溶解剂、金属防蚀剂和氧化剂，胶态二氧化硅粒子满足以下3个条件的全部。（1）从通过扫描电子显微镜观察任意20个粒子所得到的图像中得到的二轴平均一次粒径（R1）为35～55nm；（2）与在（1）中求得的R1相同粒径的正球体的比表面积计算值为S0，通过BET法测定的胶态二氧化硅粒子的比表面积为S1，用S0去除S1所得到的值为1.20以下；（3）在CMP用研磨液中，通过动态光散射方式粒度分布计测定的胶态二氧化硅粒子的二次粒径（Rs）与在（1）中求得的R1的比Rs/R1为1.30以下。

公开(公告)号：CN102834479A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201180017611.1

申请日：2011-06-06

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 小野裕 ,  筱田隆 ,  冈田悠平

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/321 ,  H01L21/76 ,  B24B37/00

CPC classification number: C09K3/1463 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76898

Abstract: 本发明的铜研磨用研磨液含有第1有机酸成分、无机酸成分、氨基酸、保护膜形成剂、磨粒、氧化剂和水，所述第1有机酸成分是选自具有羟基的有机酸、该有机酸的盐及该有机酸的酸酐中的至少一种，所述无机酸成分是选自2价以上的无机酸及该无机酸的盐中的至少一种，以铜研磨用研磨液整体为基准计，无机酸成分以无机酸换算的含量为0.15质量%以上，氨基酸的含量为0.30质量%以上，保护膜形成剂的含量为0.10质量%以上，第1有机酸成分以有机酸换算的含量相对于保护膜形成剂的含量的比率为1.5以上。

公开(公告)号：CN101689494A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880023332.4

申请日：2008-07-04

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 田中孝明 ,  深泽正人 ,  野部茂 ,  樱田刚史 ,  筱田隆

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00

CPC classification number: H01L21/7684 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76819

Abstract: 本发明提供一种抑制侵蚀和裂缝的发生、被研磨面的平坦性高的金属膜用研磨液及研磨方法。该金属膜用研磨液以及使用该金属膜用研磨液的研磨方法，其特征在于，该金属膜用研磨液包含磨粒、甲基丙烯酸系聚合物和水。

公开(公告)号：CN101283441A

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200680037661.5

申请日：2006-10-10

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 筱田隆 ,  野部茂 ,  樱田刚史 ,  大森义和 ,  木村忠广

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: C09G1/02 ,  C23F3/04 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32125 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76865

Abstract: 本发明提供CMP研磨液，该CMP研磨液通过抑制阻挡导体与铜等导电性物质的界面部附近的电子移动，抑制导电性物质配线腐蚀，即，抑制阻挡导体与导电性物质的异种金属接触腐蚀。本发明涉及的CMP研磨液为，至少研磨导体层以及与上述导体层接触的导电性物质层，在电位计的正极与上述导电性物质连接、负极与上述导体连接的该研磨液中的导电性物质和导体在50±5℃时的电位差绝对值为0.25V以下。优选其中包含杂环化合物，所述杂环化合物含有羟基、羰基、羧基、氨基、酰胺基和亚磺酰基中的任1种，且含有氮和硫原子中的至少1种。

公开(公告)号：CN102690607A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201210144194.3

申请日：2008-02-22

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 天野仓仁 ,  樱田刚史 ,  安西创 ,  筱田隆 ,  野部茂

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/321

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明提供一种金属用研磨液及其应用。所述金属用研磨液含有研磨粒、氧化金属溶解剂、有机溶剂和水，所述研磨粒包括平均2次粒径为5～39nm的第一研磨粒和平均2次粒径为40～300nm的第二研磨粒，所述金属用研磨液的pH为2～5。

公开(公告)号：CN102473621A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080028913.4

申请日：2010-12-10

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 筱田隆 ,  榎本和宏 ,  阿久津利明

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/04 ,  C09K3/14

CPC classification number: C09K3/1472 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明的CMP研磨液为将第1液和第2液混合使用的CMP研磨液，第1液含有铈系研磨粒、分散剂和水，第2液含有聚丙烯酸化合物、表面活性剂、pH调整剂、磷酸化合物和水，第2液的pH为6.5以上，以磷酸化合物的含量达到规定范围的方式混合第1液和第2液。此外，本发明的CMP研磨液含有铈系研磨粒、分散剂、聚丙烯酸化合物、表面活性剂、pH调整剂、磷酸化合物和水，磷酸化合物的含量在规定范围。

公开(公告)号：CN101611476A

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200880005185.8

申请日：2008-02-22

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 天野仓仁 ,  樱田刚史 ,  安西创 ,  筱田隆 ,  野部茂

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明提供一种金属用研磨液，其含有研磨粒、氧化金属溶解剂和水，其特征在于，所述研磨粒包括两种以上平均2次粒径不同的研磨粒，使用该金属用研磨液可以提供层间绝缘膜的研磨速度大，且被研磨面的平坦性高的研磨方法。另外，由此提供一种在微细化、薄膜化、尺寸精度以及电特性上优异，可靠性高，且适于低成本的半导体装置的研磨方法。

公开(公告)号：CN101484982A

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200780024845.2

申请日：2007-07-03

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 野部茂 ,  筱田隆 ,  樱田刚史 ,  田中孝明 ,  大森义和 ,  木村忠广 ,  深泽正人

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明涉及包含磨粒、和锯齿及裂缝抑制剂的CMP用研磨液，锯齿及裂缝抑制剂是选自聚羧酸、聚羧酸衍生物和含有羧酸的共聚物中的至少一种。根据本发明可以提供抑制配线部附近的绝缘膜被过度研磨的锯齿现象、裂缝现象，并且被研磨面的平坦性高的CMP用研磨液。

公开(公告)号：CN101432854A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200780014892.9

申请日：2007-04-24

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 筱田隆 ,  野部茂 ,  田中孝明

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00

CPC classification number: H01L21/7684 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明提供一种CMP用研磨液，其特征在于，其是在第1化学机械研磨工序后，在第2化学机械研磨工序中使用的CMP用研磨液，所述工序研磨的基板包含：表面包括凹部和凸部的层间绝缘膜、沿表面覆盖所述层间绝缘膜的阻挡层、填充所述凹部而覆盖阻挡层的导电性物质层，其中，第1化学机械研磨工序为：研磨基板的导电性物质层，使所述凸部的阻挡层露出，第2化学机械研磨工序为：研磨露出的阻挡层，使得所述凸部的层间绝缘膜露出；其中，研磨量(A)与研磨量(B)的差(B)－(A)为650以下，所述研磨量(A)是形成于所述基板的层间绝缘膜部具有1000μm以上宽度的场部的层间绝缘膜的研磨量；所述研磨量(B)是形成于所述基板的宽90μm的配线金属部与宽10μm的层间绝缘膜交互排列的条纹状图形部的层间绝缘膜的研磨量。