-
公开(公告)号：CN102007577A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200980113203.9
申请日：2009-04-16
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: C09K3/1463 , B24B37/044 , C09G1/02 , H01L21/31053 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供一种分散稳定性良好、层间绝缘膜的研磨速度为高速的CMP用研磨液以及研磨方法。本发明涉及一种CMP用研磨液以及研磨方法，该CMP用研磨液包含介质和分散在前述介质中的胶态二氧化硅粒子，假设所述研磨液在被调合成能在CMP研磨工序中使用的状态时，优选所述CMP用研磨液包含2.0～8.0质量％的所述胶态二氧化硅粒子，所述胶态二氧化硅粒子满足以下3个条件的全部。(1)从通过扫描电子显微镜观察任意20个粒子所得到的图像中得到的二轴平均一次粒径(R1)为35～55nm；(2)与在前述(1)中求得的R1相同粒径的正球体的比表面积计算值为(S0)，通过BET法测定的前述胶态二氧化硅粒子的比表面积为(S1)，用(S0)去除(S1)所得到的值为1.20以下；(3)在CMP用研磨液中，通过动态光散射方式粒度分布计测定的前述胶态二氧化硅粒子的二次粒径(Rs)与在前述(1)中求得的R1的比Rs/R1为1.30以下。
-
公开(公告)号：CN101058713A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200710107753.2
申请日：2002-10-31
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1436 , C09K3/1463
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的配线形成步骤等中用于研磨的研磨液及研磨方法。特别是提供被研磨面即使由多种物质形成仍可以得到高度平坦性的被研磨面，并且可以抑制研磨后的金属残渣、研磨损伤的研磨液以及利用其的化学机械研磨方法。本发明的研磨液，含有全氟链烷磺酸、氧化金属溶解剂和水。本发明的研磨方法包括：研磨具有表面由凹部及凸部组成的层间绝缘膜、沿表面被覆前述层间绝缘膜的阻隔导体层和填充前述凹部被覆阻隔导体层的导电性物质层的基体的导电性物质，使前述凸部的阻隔导体层露出的第1研磨工序，和一边至少向阻隔导体层及凹部的导电性物质层供给本发明的研磨液一边进行化学机械研磨使凸部的层间绝缘膜露出的第2研磨工序。
-
公开(公告)号：CN1610963A
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN02826551.3
申请日：2002-10-31
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1436 , C09K3/1463
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置的配线形成步骤等中用于研磨的研磨液及研磨方法。特别是涉及被研磨面即使由多种物质形成仍可以得到高度平坦性的被研磨面，并且可以抑制研磨后的金属残渣、研磨损伤的研磨液以及利用其的化学机械研磨方法。本发明的研磨液是含有界面活性剂及有机溶剂的至少1种、氧化金属溶解剂和水的研磨液，进而可以含有表面用烷基改性的研磨粒和水，优选进一步含有金属氧化剂、水溶性聚合物、金属防蚀剂。
-
公开(公告)号：CN102768954A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201210225793.8
申请日：2009-04-16
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/3105 , H01L21/321 , B24B37/04 , C09G1/02 , C09K3/14
CPC classification number: C09K3/1463 , B24B37/044 , C09G1/02 , H01L21/31053 , H01L21/3212
Abstract: 本发明涉及CMP用研磨液以及研磨方法。本发明还涉及CMP用研磨液的应用，该CMP用研磨液包含介质和分散在介质中的胶态二氧化硅粒子，胶态二氧化硅粒子满足以下3个条件的全部。（1）从通过扫描电子显微镜观察任意20个粒子所得到的图像中得到的二轴平均一次粒径（R1）为35～55nm；（2）与在（1）中求得的R1相同粒径的正球体的比表面积计算值为S0，通过BET法测定的胶态二氧化硅粒子的比表面积为S1，用S0去除S1所得到的值为1.20以下；（3）在CMP用研磨液中，通过动态光散射方式粒度分布计测定的胶态二氧化硅粒子的二次粒径（Rs）与在（1）中求得的R1的比Rs/R1为1.30以下。
-
公开(公告)号：CN102766409A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201210226495.0
申请日：2009-04-16
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09G1/02 , C09K3/14 , B24B37/04 , H01L21/3105 , H01L21/321
CPC classification number: C09K3/1463 , B24B37/044 , C09G1/02 , H01L21/31053 , H01L21/3212
Abstract: 本发明涉及CMP用研磨液以及研磨方法，该CMP用研磨液包含介质、分散在前述介质中的胶态二氧化硅粒子、氧化金属溶解剂、金属防蚀剂和氧化剂，胶态二氧化硅粒子满足以下3个条件的全部。（1）从通过扫描电子显微镜观察任意20个粒子所得到的图像中得到的二轴平均一次粒径（R1）为35～55nm；（2）与在（1）中求得的R1相同粒径的正球体的比表面积计算值为S0，通过BET法测定的胶态二氧化硅粒子的比表面积为S1，用S0去除S1所得到的值为1.20以下；（3）在CMP用研磨液中，通过动态光散射方式粒度分布计测定的胶态二氧化硅粒子的二次粒径（Rs）与在（1）中求得的R1的比Rs/R1为1.30以下。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102690607A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210144194.3
申请日：2008-02-22
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/321
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , C23F1/18 , C23F1/26 , H01L21/30625 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供一种金属用研磨液及其应用。所述金属用研磨液含有研磨粒、氧化金属溶解剂、有机溶剂和水，所述研磨粒包括平均2次粒径为5～39nm的第一研磨粒和平均2次粒径为40～300nm的第二研磨粒，所述金属用研磨液的pH为2～5。
-
公开(公告)号：CN101058713B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200710107753.2
申请日：2002-10-31
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1436 , C09K3/1463
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的配线形成步骤等中用于研磨的研磨液及研磨方法。特别是提供被研磨面即使由多种物质形成仍可以得到高度平坦性的被研磨面，并且可以抑制研磨后的金属残渣、研磨损伤的研磨液以及利用其的化学机械研磨方法。本发明的研磨液，含有全氟链烷磺酸、氧化金属溶解剂和水。本发明的研磨方法包括：研磨具有表面由凹部及凸部组成的层间绝缘膜、沿表面被覆前述层间绝缘膜的阻隔导体层和填充前述凹部被覆阻隔导体层的导电性物质层的基体的导电性物质，使前述凸部的阻隔导体层露出的第1研磨工序，和一边至少向阻隔导体层及凹部的导电性物质层供给本发明的研磨液一边进行化学机械研磨使凸部的层间绝缘膜露出的第2研磨工序。
-
公开(公告)号：CN101611476A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200880005185.8
申请日：2008-02-22
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , C23F1/18 , C23F1/26 , H01L21/30625 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供一种金属用研磨液，其含有研磨粒、氧化金属溶解剂和水，其特征在于，所述研磨粒包括两种以上平均2次粒径不同的研磨粒，使用该金属用研磨液可以提供层间绝缘膜的研磨速度大，且被研磨面的平坦性高的研磨方法。另外，由此提供一种在微细化、薄膜化、尺寸精度以及电特性上优异，可靠性高，且适于低成本的半导体装置的研磨方法。
-
公开(公告)号：CN1201164A
公开(公告)日：1998-12-09
申请号：CN98109690.5
申请日：1998-03-30
Applicant: 日立化成工业株式会社
Abstract: 一种含有(A)具有酰胺键、氧化烯基和羧基的树脂,(B)具有烯属不饱和基团的可光聚合的化合物和(C)光聚合引发剂的光敏树脂组合物,具有碱显影性,好的敏感度和光固化性,通过照相平版印刷法获得的有效的图形形成性,对膜的好的涂覆加工性,并且能够生产具有好的耐折叠性,焊料回流耐热性,耐溶剂性,结合能力和不易燃性的固化产品,并且适合于生产光敏元件,光敏层压件和挠性印刷电路板。
-
公开(公告)号：CN102007577B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200980113203.9
申请日：2009-04-16
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09G1/02 , B24B37/04 , C09K3/14 , H01L21/3105 , H01L21/321
CPC classification number: C09K3/1463 , B24B37/044 , C09G1/02 , H01L21/31053 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供一种分散稳定性良好、层间绝缘膜的研磨速度为高速的CMP用研磨液以及研磨方法。本发明涉及一种CMP用研磨液以及研磨方法，该CMP用研磨液包含介质和分散在前述介质中的胶态二氧化硅粒子，假设所述研磨液在被调合成能在CMP研磨工序中使用的状态时，优选所述CMP用研磨液包含2.0～8.0质量％的所述胶态二氧化硅粒子，所述胶态二氧化硅粒子满足以下3个条件的全部。(1)从通过扫描电子显微镜观察任意20个粒子所得到的图像中得到的二轴平均一次粒径(R1)为35～55nm；(2)与在前述(1)中求得的R1相同粒径的正球体的比表面积计算值为(S0)，通过BET法测定的前述胶态二氧化硅粒子的比表面积为(S1)，用(S0)去除(S1)所得到的值为1.20以下；(3)在CMP用研磨液中，通过动态光散射方式粒度分布计测定的前述胶态二氧化硅粒子的二次粒径(Rs)与在前述(1)中求得的R1的比Rs/R1为1.30以下。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.023 seconds)
