公开(公告)号：CN102007577B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN200980113203.9

申请日：2009-04-16

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 筱田隆 ,  田中孝明 ,  金丸真美子 ,  天野仓仁

IPC: C09G1/02 ,  B24B37/04 ,  C09K3/14 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/321

CPC classification number: C09K3/1463 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明提供一种分散稳定性良好、层间绝缘膜的研磨速度为高速的CMP用研磨液以及研磨方法。本发明涉及一种CMP用研磨液以及研磨方法，该CMP用研磨液包含介质和分散在前述介质中的胶态二氧化硅粒子，假设所述研磨液在被调合成能在CMP研磨工序中使用的状态时，优选所述CMP用研磨液包含2.0～8.0质量％的所述胶态二氧化硅粒子，所述胶态二氧化硅粒子满足以下3个条件的全部。(1)从通过扫描电子显微镜观察任意20个粒子所得到的图像中得到的二轴平均一次粒径(R1)为35～55nm；(2)与在前述(1)中求得的R1相同粒径的正球体的比表面积计算值为(S0)，通过BET法测定的前述胶态二氧化硅粒子的比表面积为(S1)，用(S0)去除(S1)所得到的值为1.20以下；(3)在CMP用研磨液中，通过动态光散射方式粒度分布计测定的前述胶态二氧化硅粒子的二次粒径(Rs)与在前述(1)中求得的R1的比Rs/R1为1.30以下。

公开(公告)号：CN102449747A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201080022988.1

申请日：2010-08-16

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 金丸真美子 ,  岛田友和 ,  筱田隆

IPC: H01L21/32 ,  C09K3/14 ,  C09G1/02

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  C09K3/1472

Abstract: 本发明涉及一种CMP研磨液，所述研磨液含有介质和分散在所述介质中作为磨粒的二氧化硅粒子，其中，(A1)所述二氧化硅粒子的硅烷醇基密度为5.0个/nm2以下，(B1)从利用扫描型电子显微镜观察所述二氧化硅粒子的图像中选择任意的20个粒子时的二轴平均一次粒径为25～55nm，(C1)所述二氧化硅粒子的缔合度为1.1以上。由此，可提供阻挡膜的研磨速度高、并且磨粒的分散稳定性良好、能够高速研磨层间绝缘膜的CMP研磨液，以及提供微细化、薄膜化、尺寸精度、电特性优异、可靠性高且低成本的半导体基板等的制造中的研磨方法。

公开(公告)号：CN102007577A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200980113203.9

申请日：2009-04-16

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 筱田隆 ,  田中孝明 ,  金丸真美子 ,  天野仓仁

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: C09K3/1463 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明提供一种分散稳定性良好、层间绝缘膜的研磨速度为高速的CMP用研磨液以及研磨方法。本发明涉及一种CMP用研磨液以及研磨方法，该CMP用研磨液包含介质和分散在前述介质中的胶态二氧化硅粒子，假设所述研磨液在被调合成能在CMP研磨工序中使用的状态时，优选所述CMP用研磨液包含2.0～8.0质量％的所述胶态二氧化硅粒子，所述胶态二氧化硅粒子满足以下3个条件的全部。(1)从通过扫描电子显微镜观察任意20个粒子所得到的图像中得到的二轴平均一次粒径(R1)为35～55nm；(2)与在前述(1)中求得的R1相同粒径的正球体的比表面积计算值为(S0)，通过BET法测定的前述胶态二氧化硅粒子的比表面积为(S1)，用(S0)去除(S1)所得到的值为1.20以下；(3)在CMP用研磨液中，通过动态光散射方式粒度分布计测定的前述胶态二氧化硅粒子的二次粒径(Rs)与在前述(1)中求得的R1的比Rs/R1为1.30以下。

公开(公告)号：CN102768954A

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201210225793.8

申请日：2009-04-16

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 筱田隆 ,  田中孝明 ,  金丸真美子 ,  天野仓仁

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/321 ,  B24B37/04 ,  C09G1/02 ,  C09K3/14

CPC classification number: C09K3/1463 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明涉及CMP用研磨液以及研磨方法。本发明还涉及CMP用研磨液的应用，该CMP用研磨液包含介质和分散在介质中的胶态二氧化硅粒子，胶态二氧化硅粒子满足以下3个条件的全部。（1）从通过扫描电子显微镜观察任意20个粒子所得到的图像中得到的二轴平均一次粒径（R1）为35～55nm；（2）与在（1）中求得的R1相同粒径的正球体的比表面积计算值为S0，通过BET法测定的胶态二氧化硅粒子的比表面积为S1，用S0去除S1所得到的值为1.20以下；（3）在CMP用研磨液中，通过动态光散射方式粒度分布计测定的胶态二氧化硅粒子的二次粒径（Rs）与在（1）中求得的R1的比Rs/R1为1.30以下。

公开(公告)号：CN102766409A

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201210226495.0

申请日：2009-04-16

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 筱田隆 ,  田中孝明 ,  金丸真美子 ,  天野仓仁

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  B24B37/04 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/321

CPC classification number: C09K3/1463 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明涉及CMP用研磨液以及研磨方法，该CMP用研磨液包含介质、分散在前述介质中的胶态二氧化硅粒子、氧化金属溶解剂、金属防蚀剂和氧化剂，胶态二氧化硅粒子满足以下3个条件的全部。（1）从通过扫描电子显微镜观察任意20个粒子所得到的图像中得到的二轴平均一次粒径（R1）为35～55nm；（2）与在（1）中求得的R1相同粒径的正球体的比表面积计算值为S0，通过BET法测定的胶态二氧化硅粒子的比表面积为S1，用S0去除S1所得到的值为1.20以下；（3）在CMP用研磨液中，通过动态光散射方式粒度分布计测定的胶态二氧化硅粒子的二次粒径（Rs）与在（1）中求得的R1的比Rs/R1为1.30以下。