公开(公告)号：CN101283441A

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200680037661.5

申请日：2006-10-10

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 筱田隆 ,  野部茂 ,  樱田刚史 ,  大森义和 ,  木村忠广

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: C09G1/02 ,  C23F3/04 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32125 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76865

Abstract: 本发明提供CMP研磨液，该CMP研磨液通过抑制阻挡导体与铜等导电性物质的界面部附近的电子移动，抑制导电性物质配线腐蚀，即，抑制阻挡导体与导电性物质的异种金属接触腐蚀。本发明涉及的CMP研磨液为，至少研磨导体层以及与上述导体层接触的导电性物质层，在电位计的正极与上述导电性物质连接、负极与上述导体连接的该研磨液中的导电性物质和导体在50±5℃时的电位差绝对值为0.25V以下。优选其中包含杂环化合物，所述杂环化合物含有羟基、羰基、羧基、氨基、酰胺基和亚磺酰基中的任1种，且含有氮和硫原子中的至少1种。

公开(公告)号：CN101283441B

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200680037661.5

申请日：2006-10-10

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 筱田隆 ,  野部茂 ,  樱田刚史 ,  大森义和 ,  木村忠广

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: C09G1/02 ,  C23F3/04 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32125 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76865

Abstract: 本发明提供CMP研磨液，该CMP研磨液通过抑制阻挡导体与铜等导电性物质的界面部附近的电子移动，抑制导电性物质配线腐蚀，即，抑制阻挡导体与导电性物质的异种金属接触腐蚀。本发明涉及的CMP研磨液为，至少研磨导体层以及与上述导体层接触的导电性物质层，在电位计的正极与上述导电性物质连接、负极与上述导体连接的该研磨液中的导电性物质和导体在50±5℃时的电位差绝对值为0.25V以下。优选其中包含杂环化合物，所述杂环化合物含有羟基、羰基、羧基、氨基、酰胺基和亚磺酰基中的任1种，且含有氮和硫原子中的至少1种。

公开(公告)号：CN101484982A

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200780024845.2

申请日：2007-07-03

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 野部茂 ,  筱田隆 ,  樱田刚史 ,  田中孝明 ,  大森义和 ,  木村忠广 ,  深泽正人

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明涉及包含磨粒、和锯齿及裂缝抑制剂的CMP用研磨液，锯齿及裂缝抑制剂是选自聚羧酸、聚羧酸衍生物和含有羧酸的共聚物中的至少一种。根据本发明可以提供抑制配线部附近的绝缘膜被过度研磨的锯齿现象、裂缝现象，并且被研磨面的平坦性高的CMP用研磨液。