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公开(公告)号：CN101484276A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200780025341.2
申请日：2007-07-04
Applicant: 日立化成工业株式会社
Inventor： 木村忠广
IPC: B24B37/00 , C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1463
Abstract: 一种CMP用研磨液，其能够连续研磨阻挡层、配线金属层以及层间绝缘膜，并能够抑制由于配线金属层附近的层间绝缘膜的过度磨削而产生坑的现象。该CMP用研磨液的特征在于，包含磨粒、酸、所述通式(I)所表示的甲苯并三唑化合物及水，(式(I)中，R1各自独立地表示碳原子数为1～4的亚烷基，R2表示碳原子数为1～4的亚烷基。)
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公开(公告)号：CN102666014A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201180005050.3
申请日：2011-01-20
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: B24B37/04 , C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: C09K3/1463 , B24B37/044 , C09G1/02 , H01L21/31053
Abstract: 本发明涉及的悬浮液，含有磨粒和水，磨粒含有4价氢氧化铈粒子，且在将该磨粒的含量调节至1.0质量%的水分散液中，对于波长500nm的光有50%/cm以上的光透过率。本发明涉及的研磨液，含有磨粒、添加剂和水，磨粒含有4价氢氧化铈粒子，且在将该磨粒的含量调节至1.0质量%的水分散液中，对于波长500nm的光有50%/cm以上的光透过率。
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公开(公告)号：CN101484982A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200780024845.2
申请日：2007-07-03
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/3212
Abstract: 本发明涉及包含磨粒、和锯齿及裂缝抑制剂的CMP用研磨液，锯齿及裂缝抑制剂是选自聚羧酸、聚羧酸衍生物和含有羧酸的共聚物中的至少一种。根据本发明可以提供抑制配线部附近的绝缘膜被过度研磨的锯齿现象、裂缝现象，并且被研磨面的平坦性高的CMP用研磨液。
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公开(公告)号：CN103333662A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310241747.1
申请日：2009-12-10
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14 , C09G1/02 , H01L21/3105
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1463
Abstract: 本发明涉及一种研磨液，其为含有研磨粒、第1添加剂和水的CMP用研磨液，所述第1添加剂为4－吡喃酮系化合物，该4－吡喃酮系化合物为下述通式（1）所表示的化合物，式中，X11、X12和X13各自独立地为氢原子或1价的取代基，其中，所述研磨粒包含具有晶界的多晶氧化铈。
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公开(公告)号：CN101484276B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200780025341.2
申请日：2007-07-04
Applicant: 日立化成工业株式会社
Inventor： 木村忠广
IPC: B24B37/00 , C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1463
Abstract: 一种CMP用研磨液，其能够连续研磨阻挡层、配线金属层以及层间绝缘膜，并能够抑制由于配线金属层附近的层间绝缘膜的过度磨削而产生坑的现象。该CMP用研磨液的特征在于，包含磨粒、酸、下述通式(I)所表示的甲苯并三唑化合物及水：(式(I)中，R1各自独立地表示碳原子数为1～4的亚烷基，R2表示碳原子数为1～4的亚烷基。)
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101511538A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200780033479.7
申请日：2007-09-13
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: B24B37/00 , C09K3/14 , H01L21/304
Abstract: 本发明涉及CMP研磨剂、CMP研磨剂用添加液以及使用了这些的基板的研磨方法，所述CMP研磨剂含有氧化铈粒子、分散剂、水溶性高分子以及水，并且上述水溶性高分子含有以还原性无机酸盐和氧作为氧化还原聚合引发剂，将含有具有不饱和双键的羧酸及其盐中的至少一种的单体进行聚合所形成的聚合物。据此，在对层间绝缘膜、BPSG膜、浅沟槽隔离用绝缘膜进行平坦化的CMP技术中，可以有效地进行氧化硅膜的研磨。
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公开(公告)号：CN103333661A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310241712.8
申请日：2009-12-10
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14 , B24B37/04 , H01L21/3105
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1463
Abstract: 本发明涉及一种研磨液，其为含有研磨粒、第1添加剂、第2添加剂和水的CMP用研磨液，所述第1添加剂为4－吡喃酮系化合物，该4－吡喃酮系化合物为下述通式（1）所表示的化合物，式中，X11、X12和X13各自独立地为氢原子或1价的取代基，其中，所述第2添加剂为饱和单羧酸。
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公开(公告)号：CN101283441B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200680037661.5
申请日：2006-10-10
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: C09G1/02 , C23F3/04 , H01L21/30625 , H01L21/31055 , H01L21/3212 , H01L21/32125 , H01L21/7684 , H01L21/76865
Abstract: 本发明提供CMP研磨液，该CMP研磨液通过抑制阻挡导体与铜等导电性物质的界面部附近的电子移动，抑制导电性物质配线腐蚀，即，抑制阻挡导体与导电性物质的异种金属接触腐蚀。本发明涉及的CMP研磨液为，至少研磨导体层以及与上述导体层接触的导电性物质层，在电位计的正极与上述导电性物质连接、负极与上述导体连接的该研磨液中的导电性物质和导体在50±5℃时的电位差绝对值为0.25V以下。优选其中包含杂环化合物，所述杂环化合物含有羟基、羰基、羧基、氨基、酰胺基和亚磺酰基中的任1种，且含有氮和硫原子中的至少1种。
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公开(公告)号：CN103342986A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310241746.7
申请日：2009-12-10
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14 , B24B37/04 , H01L21/3105
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1463
Abstract: 本发明涉及一种研磨液，其为含有研磨粒、第1添加剂和水的CMP用研磨液，所述第1添加剂为4－吡喃酮系化合物，该4－吡喃酮系化合物为下述通式（1）所表示的化合物，式中，X11、X12和X13各自独立地为氢原子或1价的取代基。
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公开(公告)号：CN102232242A
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN200980148395.7
申请日：2009-12-10
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1463
Abstract: 本发明的CMP研磨液，含有研磨粒、添加剂和水，并且配合了满足规定条件的有机化合物作为添加剂。本发明的研磨方法，以表面上具有氧化硅膜的基板作为对象，并且具有一边向氧化硅膜和研磨垫之间供给上述CMP研磨液，一边通过研磨垫进行氧化硅膜的研磨的工序。
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