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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103333662A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310241747.1
申请日：2009-12-10
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14 , C09G1/02 , H01L21/3105
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1463
Abstract: 本发明涉及一种研磨液，其为含有研磨粒、第1添加剂和水的CMP用研磨液，所述第1添加剂为4－吡喃酮系化合物，该4－吡喃酮系化合物为下述通式（1）所表示的化合物，式中，X11、X12和X13各自独立地为氢原子或1价的取代基，其中，所述研磨粒包含具有晶界的多晶氧化铈。
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公开(公告)号：CN103333661A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310241712.8
申请日：2009-12-10
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14 , B24B37/04 , H01L21/3105
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1463
Abstract: 本发明涉及一种研磨液，其为含有研磨粒、第1添加剂、第2添加剂和水的CMP用研磨液，所述第1添加剂为4－吡喃酮系化合物，该4－吡喃酮系化合物为下述通式（1）所表示的化合物，式中，X11、X12和X13各自独立地为氢原子或1价的取代基，其中，所述第2添加剂为饱和单羧酸。
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公开(公告)号：CN102686693A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201080059718.8
申请日：2010-12-24
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14 , C09G1/02 , B24B37/04 , H01L21/3105
CPC classification number: C09K3/1463 , B24B37/044 , C09G1/02 , H01L21/31053
Abstract: 本发明的目的是提供一种CMP用研磨液及使用其的研磨方法，该研磨液在ILD膜的CMP工序中，可以在减少研磨损伤的同时获得充分高的研磨速度，并且研磨粒的聚集不易产生，可以获得高平坦性。本发明的CMP用研磨液是含有研磨粒、添加剂和水的CMP用研磨液，其中，研磨粒包含铈系粒子，添加剂包含通式（1）所示的4-吡喃酮系化合物、以及非离子性表面活性剂和阳离子性表面活性剂中的至少一方。[式中，X11、X12和X13各自独立地是氢原子或1价的取代基。
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公开(公告)号：CN103342986A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310241746.7
申请日：2009-12-10
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14 , B24B37/04 , H01L21/3105
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1463
Abstract: 本发明涉及一种研磨液，其为含有研磨粒、第1添加剂和水的CMP用研磨液，所述第1添加剂为4－吡喃酮系化合物，该4－吡喃酮系化合物为下述通式（1）所表示的化合物，式中，X11、X12和X13各自独立地为氢原子或1价的取代基。
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公开(公告)号：CN102232242A
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN200980148395.7
申请日：2009-12-10
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1463
Abstract: 本发明的CMP研磨液，含有研磨粒、添加剂和水，并且配合了满足规定条件的有机化合物作为添加剂。本发明的研磨方法，以表面上具有氧化硅膜的基板作为对象，并且具有一边向氧化硅膜和研磨垫之间供给上述CMP研磨液，一边通过研磨垫进行氧化硅膜的研磨的工序。
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