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公开(公告)号：CN102686693A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201080059718.8
申请日：2010-12-24
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14 , C09G1/02 , B24B37/04 , H01L21/3105
CPC classification number: C09K3/1463 , B24B37/044 , C09G1/02 , H01L21/31053
Abstract: 本发明的目的是提供一种CMP用研磨液及使用其的研磨方法，该研磨液在ILD膜的CMP工序中，可以在减少研磨损伤的同时获得充分高的研磨速度，并且研磨粒的聚集不易产生，可以获得高平坦性。本发明的CMP用研磨液是含有研磨粒、添加剂和水的CMP用研磨液，其中，研磨粒包含铈系粒子，添加剂包含通式（1）所示的4-吡喃酮系化合物、以及非离子性表面活性剂和阳离子性表面活性剂中的至少一方。[式中，X11、X12和X13各自独立地是氢原子或1价的取代基。
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公开(公告)号：CN101426730A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200780014174.1
申请日：2007-04-20
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C01F17/00 , B24B37/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供氧化物粒子的制造方法、以及将利用该制造方法得到的金属氧化物粒子分散于水性介质而得到的浆、研磨剂、基板的研磨方法，所述氧化物粒子的制造方法的特征为，包含：将金属的碳酸盐和酸进行混合得到混合物的工序，加热所述混合物来得到金属氧化物的工序，粉碎所述金属氧化物的工序。另外，特别提供包含将碳酸铈用作原料金属碳酸盐、将草酸用作酸而得到的氧化铈粒子的研磨剂。本发明提供可以快速地得到不含粗大粒子和磨耗粉的微粒的氧化物粒子的制造方法。进一步提供一种研磨剂，所述研磨剂采用该氧化物粒子，在维持适当的研磨速度的同时，减少划伤，并且可精密地研磨半导体表面。
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公开(公告)号：CN103333661A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310241712.8
申请日：2009-12-10
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14 , B24B37/04 , H01L21/3105
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1463
Abstract: 本发明涉及一种研磨液，其为含有研磨粒、第1添加剂、第2添加剂和水的CMP用研磨液，所述第1添加剂为4－吡喃酮系化合物，该4－吡喃酮系化合物为下述通式（1）所表示的化合物，式中，X11、X12和X13各自独立地为氢原子或1价的取代基，其中，所述第2添加剂为饱和单羧酸。
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公开(公告)号：CN101885959A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN201010238216.3
申请日：2004-09-09
Applicant: 日立化成工业株式会社
CPC classification number: C09G1/02 , C01F17/0043 , C01F17/005 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L21/31053
Abstract: 本发明提供铈系研磨剂，其为将含有氧化铈的粒子的组合物分散于水中而得到的铈系研磨剂，其特征是，在6当量浓度的硝酸12.5g与30％过氧化氢溶液12.5g的混合液中溶解20g时，溶液中存在的不溶成分的浓度的质量比是10ppm以下。另外，通过减少在氧化铈粒子及其原料铈盐粒子中含有的杂质数量而提高纯度，在使用含该氧化铈粒子的铈系研磨剂进行研磨时，可以减少被研磨面上产生的擦痕。
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公开(公告)号：CN100409412C
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200480023189.0
申请日：2004-08-11
Applicant: 日立化成工业株式会社
Inventor： 茅根环司
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463
Abstract: 一种半导体平坦化用研磨剂，含有氧化铈粒子和水，大于等于3μm的粗大氧化铈粒子的含量为小于等于固体中的500ppm(重量比)，优选为小于等于固体中的100ppm，更优选氧化铈粒子的D99(研磨剂中的粒子全体的99体积%)为小于等于1μm。该研磨剂可以减少划痕的产生，并且在半导体装置的配线形成工艺中可以高速且精密地研磨半导体基板表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103333662A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310241747.1
申请日：2009-12-10
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14 , C09G1/02 , H01L21/3105
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1463
Abstract: 本发明涉及一种研磨液，其为含有研磨粒、第1添加剂和水的CMP用研磨液，所述第1添加剂为4－吡喃酮系化合物，该4－吡喃酮系化合物为下述通式（1）所表示的化合物，式中，X11、X12和X13各自独立地为氢原子或1价的取代基，其中，所述研磨粒包含具有晶界的多晶氧化铈。
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公开(公告)号：CN101885959B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201010238216.3
申请日：2004-09-09
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/302
CPC classification number: C09G1/02 , C01F17/0043 , C01F17/005 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L21/31053
Abstract: 本发明提供铈系研磨剂，其为将含有氧化铈的粒子的组合物分散于水中而得到的铈系研磨剂，其特征是，在6当量浓度的硝酸12.5g与30％过氧化氢溶液12.5g的混合液中溶解20g时，溶液中存在的不溶成分的浓度的质量比是10ppm以下。另外，通过减少在氧化铈粒子及其原料铈盐粒子中含有的杂质数量而提高纯度，在使用含该氧化铈粒子的铈系研磨剂进行研磨时，可以减少被研磨面上产生的擦痕。
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公开(公告)号：CN1849264B
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200480025777.8
申请日：2004-09-09
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C01F17/00 , C09K3/14 , B24B37/00 , H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , C01F17/0043 , C01F17/005 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L21/31053
Abstract: 本发明提供了在6当量浓度的硝酸12.5g与30％过氧化氢溶液12.5g的混合液中溶解20g时，溶液中存在的不溶成分的浓度与溶解前的铈盐的质量比为5ppm以下的铈盐，以及将该铈盐进行高温处理后的氧化铈。另外，通过减少在氧化铈粒子及其原料铈盐粒子中含有的杂质数量而提高纯度，在使用含该氧化铈粒子的铈系研磨剂进行研磨时，可以减少被研磨面上产生的擦痕。
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公开(公告)号：CN1849264A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200480025777.8
申请日：2004-09-09
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C01F17/00 , C09K3/14 , B24B37/00 , H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , C01F17/0043 , C01F17/005 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L21/31053
Abstract: 本发明提供了在6当量浓度的硝酸12.5g与30％过氧化氢溶液12.5g的混合液中溶解20g时，溶液中存在的不溶成分的浓度与溶解前的铈盐的质量比为5ppm以下的铈盐，以及将该铈盐进行高温处理后的氧化铈。另外，通过减少在氧化铈粒子及其原料铈盐粒子中含有的杂质数量而提高纯度，在使用含该氧化铈粒子的铈系研磨剂进行研磨时，可以减少被研磨面上产生的擦痕。
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公开(公告)号：CN103342986A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310241746.7
申请日：2009-12-10
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14 , B24B37/04 , H01L21/3105
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1463
Abstract: 本发明涉及一种研磨液，其为含有研磨粒、第1添加剂和水的CMP用研磨液，所述第1添加剂为4－吡喃酮系化合物，该4－吡喃酮系化合物为下述通式（1）所表示的化合物，式中，X11、X12和X13各自独立地为氢原子或1价的取代基。
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