公开(公告)号：CN1385896A

公开(公告)日：2002-12-18

申请号：CN02119797.0

申请日：2002-05-16

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 笠井直记

IPC: H01L21/8239 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  G11C11/22

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/1116 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/11509 ,  H01L27/11512

Abstract: 在半导体存储器的制造方法中,下电极薄膜(60)经过层间绝缘薄膜(22,32,42,52)形成在半导体衬底(10)上。在单元阵列区均匀加热下电极层的同时,在下电极层上形成铁电薄膜(62)。在铁电薄膜上形成上电极薄膜(63)。在存储单元阵列区形成铁电电容器(70)。每个铁电电容器包括下电极薄膜,铁电薄膜和上电极薄膜。

公开(公告)号：CN1195195A

公开(公告)日：1998-10-07

申请号：CN98100947.6

申请日：1998-03-23

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 笠井直记

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/78 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/10897 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823871 ,  H01L23/485 ,  H01L27/10814 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是提供一种包括高密度集成电路的半导体器件,其中具有大量尺寸小且提高了性能的绝缘栅场效应晶体管。通过使绝缘栅场效应晶体管的源接触直径大于漏接触直径,将源接触电阻设定在小于漏接触电阻的值,从而提高了晶体管的电流驱动能力,减小了驱动能力的偏差。

公开(公告)号：CN100474611C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200510092746.0

申请日：2005-08-19

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 ,  日本电气株式会社

Inventor： 笠井直记 ,  中原宁 ,  木村央 ,  深井利宪

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/092 ,  H01L29/1037

Abstract: 本发明的目的是提高场效应晶体管的导通状态电流。为了该目的，在具有{100}面作为主表面的单晶硅衬底(101)上形成基本上在单晶硅的 晶轴方向或等价于 晶轴方向的轴方向上延伸的栅电极(107)，以及在栅电极(107)的两侧的单晶硅衬底(101)的表面上的源/漏区(129)。在栅电极(107)的正下方的区域中的单晶硅衬底(101)的表面上，形成主表面和沿着栅电极(107)的延伸方向倾斜于主表面的倾斜表面(133)。

公开(公告)号：CN1096711C

公开(公告)日：2002-12-18

申请号：CN98102015.1

申请日：1998-05-28

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 笠井直记

IPC: H01L27/10

CPC classification number: H01L27/108 ,  H01L27/105

Abstract: 一种半导体动态随机存取存储器件包括排成两列的多个存储器单元阵列，而一列存储器单元阵列有存储器单元子阵列和围绕着存储器单元子阵列排列的读数放大器和子字线驱动器之类的周边电路；子阵列的存储器单元排列在第一图形(P)中，而邻近子阵列的周边电路则相对于与列的方向垂直的对称线相对称地排列，使得在不妨碍设计工作简便性的情况下增加了对准的余量。

公开(公告)号：CN1738054A

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：CN200510092746.0

申请日：2005-08-19

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 ,  日本电气株式会社

Inventor： 笠井直记 ,  中原宁 ,  木村央 ,  深井利宪

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/092 ,  H01L29/1037

Abstract: 本发明的目的是提高场效应晶体管的导通状态电流。为了该目的，在具有{100}面作为主表面的单晶硅衬底(101)上形成基本上在单晶硅的 晶轴方向或等价于 晶轴方向的轴方向上延伸的栅电极(107)，以及在栅电极(107)的两侧的单晶硅衬底(101)的表面上的源/漏区(129)。在栅电极(107)的正下方的区域中的单晶硅衬底(101)的表面上，形成主表面和沿着栅电极(107)的延伸方向倾斜于主表面的倾斜表面(133)。

公开(公告)号：CN1246733A

公开(公告)日：2000-03-08

申请号：CN99119259.1

申请日：1999-08-30

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 笠井直记 ,  饭塚敏洋

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10855 ,  H01L27/10814 ,  H01L28/91

Abstract: 一种在每个存储单元中包括一个MOSFET和一个迭式电容器的DRAM。迭式电容器包括一个基本上为圆柱型的下电极、一个容纳于圆柱型下电极中的上电极、一层在其间起隔离作用的电容器电介质膜。下电极的圆柱型形状允许在电容器和电容器触点之间的较大的对准偏差。

公开(公告)号：CN1236989A

公开(公告)日：1999-12-01

申请号：CN99107553.6

申请日：1999-05-25

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 笠井直记

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/336 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/10894 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10888

Abstract: 半导体器件制造方法包括提供半导体衬底(1);形成第二半导体元件的第二栅电极(4);形成第二源/漏区(5);形成第二侧壁绝缘膜(6);形成第一栅电极(10);形成第一源/漏区(11);和形成第一侧壁绝缘膜(12)。半导体衬底(1)具有第一和第二半导体元件形成区(S,S)。在第一半导体元件形成区(S)被掩蔽的状态下,在第二半导体元件形成区(S)形成第二半导体元件的第二栅电极(4)和形成第二半导体元件的第二源/漏区(5)。

公开(公告)号：CN1200571A

公开(公告)日：1998-12-02

申请号：CN98102015.1

申请日：1998-05-28

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 笠井直记

IPC: H01L27/10

CPC classification number: H01L27/108 ,  H01L27/105

Abstract: 一种半导体动态随机存取存储器件包括排成两列的多个存储器单元阵列,而一列存储器单元阵列有存储器单元子阵列和围绕着存储器单元子阵列排列的读数放大器和子字线驱动器之类的周边电路;子阵列的存储器单元排列在第一图形(P)中,而邻近子阵列的周边电路则相对于与列的方向垂直的对称线相对称地排列,使得在不妨碍设计工作简便性的情况下增加了对准的余量。