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公开(公告)号：CN1375876A
公开(公告)日：2002-10-23
申请号：CN02107427.5
申请日：2002-03-15
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L27/10 , H01L21/822 , H01L21/8239
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/55 , H01L28/75
Abstract: 本发明提供一种半导体存储装置及其制造方法,是在PZT成膜中或者在其后的热处理时,能够抑制在插头上的区域的强电介质电容元件下部电极剥落的结构及其制造方法。是在强电介质电容元件下部电极的下面顺序叠层生长第1金属、金属氮化膜、第2金属,形成3层膜,该金属氮化膜由第1金属或者第2金属的氮化物构成。
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公开(公告)号：CN102326248A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201080008852.5
申请日：2010-02-12
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L21/66 , H01L27/04
CPC classification number: H01G7/00 , H01L22/14 , H01L22/20 , H01L27/016 , H01L2924/0002 , Y10T29/43 , Y10T29/435 , H01L2924/00
Abstract: 在电容器制造方法中，在衬底上对下部电极、薄膜电介质以及上部电极进行成膜而形成电容器，在对该电容器划分为电容器单元之前，检测包含颗粒部、以及下部电极和上部电极之间的电短路部的缺陷部。接着，将上述电容器划分为电容器单元之前，去除颗粒部、下部电极和上部电极之间的电短路部等缺陷部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1134067C
公开(公告)日：2004-01-07
申请号：CN99107759.8
申请日：1999-05-31
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: H01L28/75 , H01L21/76838 , H01L28/55 , H01L28/60
Abstract: 形成于基片11上并由层间绝缘膜所覆盖的下电极12。通孔21和22形成于层间绝缘膜，并且电介膜14和上电极15按次序形成于通孔21及其外围上，并且形成分别连接到上电极15和通过第二通孔22暴露出来的下电极12的一部分上的布线层16。一铂阻挡层位于上电极15的一部分上用于抑制电介膜14与上电极15之间的反应。第一通孔21的内壁相对于基片11的表面倾斜75度或更小角度。可以提供具有高密度并能易于与其他元件相集成的可靠电容元件。
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公开(公告)号：CN102326248B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201080008852.5
申请日：2010-02-12
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L21/66 , H01L27/04
CPC classification number: H01G7/00 , H01L22/14 , H01L22/20 , H01L27/016 , H01L2924/0002 , Y10T29/43 , Y10T29/435 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种电容器制造方法、电容器制造装置、电容器制造程序以及存储介质。在电容器制造方法中，在衬底上对底部电极、薄膜电介质以及顶部电极进行成膜而形成电容器，在对该电容器划分为电容器单元之前，检测包含颗粒部、以及底部电极和顶部电极之间的电短路部的缺陷部。接着，将上述电容器划分为电容器单元之前，去除颗粒部、底部电极和顶部电极之间的电短路部等缺陷部。
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公开(公告)号：CN1237793A
公开(公告)日：1999-12-08
申请号：CN99107759.8
申请日：1999-05-31
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: H01L28/75 , H01L21/76838 , H01L28/55 , H01L28/60
Abstract: 形成于基片11上并由层间绝缘膜所覆盖的下电极12。通孔21和22形成于层间绝缘膜，并且电介膜14和上电极15按次序形成于通孔21及其外围上，并且形成分别连接到上电极15和通过第二通孔22暴露出来的下电极12的一部分上的布线层16。一铂阻挡层位于上电极15的一部分上用于抑制电介膜14与上电极15之间的反应。第一通孔21的内壁相对于基片11的表面倾斜75度或更小角度。可以提供具有高密度并能易于与其他元件相集成的可靠电容元件。
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公开(公告)号：CN102598262A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080050977.4
申请日：2010-09-01
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L23/00 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC classification number: H01L23/3128 , H01L21/563 , H01L23/48 , H01L23/481 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/552 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/32 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L2224/0401 , H01L2224/0557 , H01L2224/13025 , H01L2224/13099 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06531 , H01L2225/06537 , H01L2225/06541 , H01L2225/06572 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01033 , H01L2924/014 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/181 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体装置和噪声抑制方法。第一半导体芯片（200）被安装在第二半导体芯片（100）上。第一半导体芯片（200）具有第一导体图案（222）。第二半导体芯片（100）具有第二导体图案（122）。第二导体图案（122）在平面图中在叠盖第一导体图案（222）的区域处形成。选自由第一导体图案（222）和第二导体图案（122）组成的组的至少一个元件具有重复结构。
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公开(公告)号：CN102171891A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200980139246.4
申请日：2009-10-02
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: H01P1/2005 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L24/16 , H01L25/0655 , H01L2223/6677 , H01L2224/16 , H01L2224/16235 , H01L2924/01004 , H01L2924/01012 , H01L2924/01046 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/15311 , H01L2924/19042 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01Q15/006 , H01Q15/008 , H05K1/0236 , H05K1/0306 , H05K1/162 , H05K3/4644 , H05K2201/09309 , H05K2201/09663 , Y10T29/49155
Abstract: 本发明提供一种可以表面安装或内置在基板中的小尺寸且薄的电磁带隙结构。电磁带隙结构的一种实施例包括：绝缘基板；规则地布置在绝缘基板上的多个导体片；介电层，所述介电层形成为填充相邻导体片之间的空间；形成在介电层上的层间绝缘层；和导体平面，所述导体平面形成在层间绝缘层上并通过穿过层间绝缘层的导体连接到导体片中的每一个。
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