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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1237793A
公开(公告)日：1999-12-08
申请号：CN99107759.8
申请日：1999-05-31
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: H01L28/75 , H01L21/76838 , H01L28/55 , H01L28/60
Abstract: 形成于基片11上并由层间绝缘膜所覆盖的下电极12。通孔21和22形成于层间绝缘膜，并且电介膜14和上电极15按次序形成于通孔21及其外围上，并且形成分别连接到上电极15和通过第二通孔22暴露出来的下电极12的一部分上的布线层16。一铂阻挡层位于上电极15的一部分上用于抑制电介膜14与上电极15之间的反应。第一通孔21的内壁相对于基片11的表面倾斜75度或更小角度。可以提供具有高密度并能易于与其他元件相集成的可靠电容元件。
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公开(公告)号：CN1134067C
公开(公告)日：2004-01-07
申请号：CN99107759.8
申请日：1999-05-31
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: H01L28/75 , H01L21/76838 , H01L28/55 , H01L28/60
Abstract: 形成于基片11上并由层间绝缘膜所覆盖的下电极12。通孔21和22形成于层间绝缘膜，并且电介膜14和上电极15按次序形成于通孔21及其外围上，并且形成分别连接到上电极15和通过第二通孔22暴露出来的下电极12的一部分上的布线层16。一铂阻挡层位于上电极15的一部分上用于抑制电介膜14与上电极15之间的反应。第一通孔21的内壁相对于基片11的表面倾斜75度或更小角度。可以提供具有高密度并能易于与其他元件相集成的可靠电容元件。
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公开(公告)号：CN1115726C
公开(公告)日：2003-07-23
申请号：CN98124470.X
申请日：1998-11-09
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L21/82
CPC classification number: H01L27/0688
Abstract: 为了利用最少的制造步骤在衬底上形成有小电容的第一电容器和有大电容的第二电容器，同时形成第一电容器的至少一个电极和第二电容器的至少一个电极。
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公开(公告)号：CN1208964A
公开(公告)日：1999-02-24
申请号：CN98115145.0
申请日：1998-05-29
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L21/8239
CPC classification number: H01L28/55
Abstract: 一种制造包括金属－绝缘体－金属(MIM)电容器的半导体器件的方法,包括以下步骤:在衬底上形成第一介质膜;在第一介质膜上形成MIM电容器;形成覆盖MIM电容器的第二介质膜;选择性除去第一和第二介质膜,暴露衬底表面;利用盐酸进行表面处理;在第二介质膜和衬底上形成第三介质膜;及在第三介质膜上形成晶体管。第二介质膜保护MIM电容器的电容绝缘膜。
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