公开(公告)号：CN102246283A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200980150271.2

申请日：2009-10-16

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 安藤裕二 ,  宫本广信 ,  中山达峰 ,  冈本康宏 ,  井上隆 ,  大田一树

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/205 ,  H01L29/737

CPC classification number: H01L29/7371 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003

Abstract: 一种双极晶体管，包括衬底、集电极层、具有p导电型的基极层和具有n导电型的发射极层。所述集电极层形成在所述衬底上，并且包括第一氮化物半导体。具有p导电型的基极层形成在集电极层上，并且包括第二氮化物半导体。具有n导电型的发射极层形成在基极层上，并且包括第三氮化物半导体。集电极层、基极层和发射极层形成为相对于衬底的表面的晶体生长方向与衬底的[0001]方向平行。第一氮化物半导体包括InycAlxcGa1-xc-ycN，其中0≤xc≤1，0≤yc≤1，0＜xc+yc≤1。在第一氮化物半导体中，在表面侧上的a轴的长度比在衬底侧上的a轴的长度长。

公开(公告)号：CN102208376A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN201110133105.0

申请日：2007-10-25

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 黑田尚孝 ,  分岛彰男 ,  田能村昌宏 ,  宫本广信

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/66 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/66 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/072 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。该半导体器件包括：半导体元件(20)，其具有矩形的二维几何形状且用作热源；以及热沉部(25)，其使得半导体元件(20)安装于其上，其中，所述热导率的方向分量当中的关系为：Kzz≥Kyy＞Kxx，在X、Y和X方向中的热沉部(25)的三维热导率的方向分量规定为Kxx、Kyy和Kzz，并且半导体元件(20)的长边方向定义为X方向，其短边方向定义为Y方向，且厚度方向定义为Z方向。

公开(公告)号：CN101971308A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200980108747.6

申请日：2009-03-12

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 安藤裕二 ,  冈本康宏 ,  大田一树 ,  井上隆 ,  中山达峰 ,  宫本广信

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7785

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，其在降低了栅泄漏电流的同时，具有高电子迁移率和具有阈值电压的优良均匀性和再现性，并且还能够应用到增强模式型。该半导体器件顺序层压由晶格驰豫的AlxGa1-xN(0≤x≤1)构成的下部势垒层、由具有压应变的InyGa1-yN(0≤y≤1)构成的沟道层和由AlzGa1-zN(0≤z≤1)构成的接触层，并且在所述InyGa1-yN沟道层与所述AlzGa1-zN接触层的界面附近，产生二维电子气。AlzGa1-zN接触层的一部分形成为栅电极嵌入在凹陷部中，并且插有绝缘膜，其中通过蚀刻所述AlzGa1-zN接触层而去除所述AlzGa1-zN接触层中的一部分直到暴露所述InyGa1-yN沟道层，来形成所述凹陷部，以及在AlzGa1-zN接触层上形成欧姆电极。因此，获得了一种能够以增强模式进行操作的半导体器件，该半导体器件具有阈值电压的优良均匀性和再现性，同时保持低栅泄漏电流和高电子迁移率。

公开(公告)号：CN101331599A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200680047375.7

申请日：2006-12-12

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 松永高治 ,  大田一树 ,  冈本康宏 ,  中山达峰 ,  分岛彰男 ,  安藤裕二 ,  宫本广信 ,  井上隆 ,  村濑康裕

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462

Abstract: 一种半导体器件(100)，具有：未掺杂GaN沟道层(105)、与未掺杂GaN沟道层(105)接触的AlGaN电子施主层(106)、提供在AlGaN电子施主层(106)上的未掺杂GaN层(107)、提供在未掺杂GaN层(107)上并彼此间隔开的源电极(101)和漏电极(103)、提供在源电极(101)和漏电极(103)之间的区域中并穿透未掺杂GaN层(107)的凹槽(111)、埋入凹槽(111)并在其底部表面与AlGaN电子施主层(106)相接触的栅电极(102)、以及在栅电极(102)和漏电极(103)之间区域中提供在未掺杂GaN层(107)上的SiN膜(108)。

公开(公告)号：CN1675775A

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN03819519.4

申请日：2003-06-17

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 安藤裕二 ,  宫本广信 ,  冈本康宏 ,  笠原健资 ,  中山达峰 ,  葛原正明

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H01L21/338 ,  H01L29/812 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/475 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/812

Abstract: 提供一种改善了肖特基结电极的耐热性并且功率性能和可靠性优良的GaN系半导体装置。在具有与AlGaN电子供给层(14)接触的肖特基性栅电极(17)的半导体装置中，栅电极(17)为由Ni、Pt、Pd中任一种所形成的第一金属层(171)、由Mo、Pt、W、Ti、Ta、MoSi、PtSi、WSi、TiSi、TaSi、MoN、WN、TiN、TaN的任何一种所形成的第二金属层(172)、由Au、Cu、Al、Pt中任一种所形成的第三金属层的层叠结构。由于第二金属层的材料是高熔点的，其对第一金属层金属和第三金属层金属的相互扩散起阻挡层作用，并抑制因高温动作导致的栅极特性恶化。由于与AlGaN电子供给层(14)连接的第一金属层金属的功函数大，其肖特基势垒高，能够获得良好的肖特基接触。

公开(公告)号：CN101238560B

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN200680029172.5

申请日：2006-06-12

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 宫本广信 ,  安藤裕二 ,  冈本康宏 ,  中山达峰 ,  井上隆 ,  大田一树 ,  分岛彰男 ,  笠原健资 ,  村濑康裕 ,  松永高治 ,  山之口胜己 ,  岛胁秀德

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/404 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/802 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明提供了一种在高压操作以及高频特性上显示出良好性能的场效应晶体管。在本发明中，场效应晶体管包括设置在由GaAs或InP制成的半导体衬底(110)上的由化合物半导体(111)制成的层结构，作为工作层，并采用第一场极板电极(116)和第二场极板电极(118)；第二场极板电极(118)包括屏蔽部分(119)，其位于第一场极板电极(116)和漏电极(114)之间的区域中，并用于将第一场极板电极(116)与漏电极(114)屏蔽开。具体地，在栅长方向上的截面图中，当将第二场极板电极(118)与由第一场极板电极(116)和栅电极(113)组成的结构的上部交叠的交叠区域的在栅长方向上的长度指定为Lol，和将栅长指定为Lg时，满足0≤Lol/Lg≤1的关系。

公开(公告)号：CN101536182B

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200780040960.9

申请日：2007-10-25

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 黑田尚孝 ,  分岛彰男 ,  田能村昌宏 ,  宫本广信

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/36 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/66 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/072 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，包括：半导体元件(20)，其具有矩形的二维几何形状且用作热源；以及热沉部(25)，其使得半导体元件(20)安装于其上，其中，所述热导率的方向分量当中的关系为：Kzz≥Kyy＞Kxx，在X、Y和X方向中的热沉部(25)的三维热导率的方向分量规定为Kxx、Kyy和Kzz，并且半导体元件(20)的长边方向定义为X方向，其短边方向定义为Y方向，且厚度方向定义为Z方向。

公开(公告)号：CN101390201B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200680053382.8

申请日：2006-10-25

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 井上隆 ,  中山达峰 ,  安藤裕二 ,  村濑康裕 ,  大田一树 ,  宫本广信 ,  山之口胜己 ,  黑田尚孝 ,  分岛彰男 ,  冈本康宏

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供一种第III族氮化物型场效应晶体管，该场效应晶体管通过在缓冲层中传导残余载流子而降低漏电流分量，并且实现了击穿电压的提高，且提高了沟道的载流子限制效应(载流子限制)以改善夹断特性(以抑制短沟道效应)。例如，在将本发明应用于GaN型场效应晶体管时，除了沟道层的GaN外，还将铝组分向顶部逐渐或阶梯式降低的组分-调制的(组分-梯度)AlGaN层用作缓冲层(异质缓冲)。对于将要制备的FET的栅极长度Lg，选择电子供应层和沟道层的层厚度之和a，以满足Lg/a≥5，并且在这样的情况下，在不超过在沟道层中室温下积累的二维电子气的德布罗意波长的5倍(约500)的范围内选择沟道层的层厚度。

公开(公告)号：CN100573919C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200380110067.0

申请日：2003-12-15

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 冈本康宏 ,  宫本广信 ,  安藤裕二 ,  中山达峰 ,  井上隆 ,  葛原正明

IPC: H01L29/812 ,  H01L21/338

CPC classification number: H01L29/402 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787

Abstract: 一种电场控制电极(5)，其形成在栅极(2)和漏极(3)之间。包括SiN薄膜(21)和SiO2薄膜(22)的多层薄膜形成在电场控制电极(5)下方。SiN薄膜(21)形成，使得AlGaN电子供应层(13)的表面被SiN薄膜(21)覆盖。

公开(公告)号：CN101416289A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200780011908.0

申请日：2007-03-23

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 中山达峰 ,  安藤裕二 ,  宫本广信 ,  冈本康宏 ,  井上隆 ,  大田一树 ,  村濑康裕 ,  黑田尚孝

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/8128

Abstract: 一种场效应晶体管(100)包括包含异质结的III－V族氮化物半导体层结构；彼此分离地形成在所述III－V族氮化物半导体层结构上的源电极(105)和漏电极(106)；栅电极(110)，其布置在所述源电极(105)和所述漏电极(106)之间；以及绝缘层(107)，其在所述栅电极(110)和所述漏电极(106)之间的区域内和在所述源电极(105)和所述栅电极(110)之间的区域内，通过与所述III－V族氮化物半导体层结构接触来布置。栅电极(110)的一部分掩埋在所述III－V族氮化物半导体层结构内，并且在所述III－V族氮化物半导体层与所述绝缘层(107)之间的界面的栅电极侧端与所述栅电极(110)隔离。