公开(公告)号：CN102208376A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN201110133105.0

申请日：2007-10-25

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 黑田尚孝 ,  分岛彰男 ,  田能村昌宏 ,  宫本广信

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/66 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/66 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/072 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。该半导体器件包括：半导体元件(20)，其具有矩形的二维几何形状且用作热源；以及热沉部(25)，其使得半导体元件(20)安装于其上，其中，所述热导率的方向分量当中的关系为：Kzz≥Kyy＞Kxx，在X、Y和X方向中的热沉部(25)的三维热导率的方向分量规定为Kxx、Kyy和Kzz，并且半导体元件(20)的长边方向定义为X方向，其短边方向定义为Y方向，且厚度方向定义为Z方向。

公开(公告)号：CN101331599A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200680047375.7

申请日：2006-12-12

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 松永高治 ,  大田一树 ,  冈本康宏 ,  中山达峰 ,  分岛彰男 ,  安藤裕二 ,  宫本广信 ,  井上隆 ,  村濑康裕

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462

Abstract: 一种半导体器件(100)，具有：未掺杂GaN沟道层(105)、与未掺杂GaN沟道层(105)接触的AlGaN电子施主层(106)、提供在AlGaN电子施主层(106)上的未掺杂GaN层(107)、提供在未掺杂GaN层(107)上并彼此间隔开的源电极(101)和漏电极(103)、提供在源电极(101)和漏电极(103)之间的区域中并穿透未掺杂GaN层(107)的凹槽(111)、埋入凹槽(111)并在其底部表面与AlGaN电子施主层(106)相接触的栅电极(102)、以及在栅电极(102)和漏电极(103)之间区域中提供在未掺杂GaN层(107)上的SiN膜(108)。

公开(公告)号：CN101416290B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200780012035.5

申请日：2007-03-29

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 安藤裕二 ,  宫本广信 ,  中山达峰 ,  冈本康宏 ,  井上隆 ,  村濑康裕 ,  大田一树 ,  分岛彰男 ,  黑田尚孝

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L21/28 ,  H01L29/812 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003

Abstract: 公开了一种HJFET？110，其包括：由InyGa1-yN(0≤y≤1)构成的沟道层12；由AlxGa1-xN(0≤x≤1)构成的载流子供应层13，所述载流子供应层13提供在所述沟道层12上方并且包括至少一个p型层；以及源电极15S、漏电极15D和栅电极17，它们设置成通过所述p型层面向所述沟道层12，并提供在所述载流子供应层13上方。满足下面的关系表达式：5.6×1011x＜NS×η×t[cm-2]＜5.6×1013x，其中x表示所述载流子供应层的Al组分比例，t表示所述p型层的厚度，NA表示杂质浓度，以及η表示活化比率。

公开(公告)号：CN101416290A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200780012035.5

申请日：2007-03-29

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 安藤裕二 ,  宫本广信 ,  中山达峰 ,  冈本康宏 ,  井上隆 ,  村濑康裕 ,  大田一树 ,  分岛彰男 ,  黑田尚孝

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L21/28 ,  H01L29/812 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003

Abstract: 公开了一种HJFET 110，其包括：由InyGa1－yN(0≤y≤1)构成的沟道层12；由AlxGa1－xN(0≤x≤1)构成的载流子供应层13，所述载流子供应层13提供在所述沟道层12上方并且包括至少一个p型层；以及源电极15S、漏电极15D和栅电极17，它们设置成通过所述p型层面向所述沟道层12，并提供在所述载流子供应层13上方。满足下面的关系表达式：5.6×1011x＜NA×η×t[cm－2]＜5.6×1013x，其中x表示所述载流子供应层的Al组分比例，t表示所述p型层的厚度，NA表示杂质浓度，以及η表示活化比率。

公开(公告)号：CN101238560A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200680029172.5

申请日：2006-06-12

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 宫本广信 ,  安藤裕二 ,  冈本康宏 ,  中山达峰 ,  井上隆 ,  大田一树 ,  分岛彰男 ,  笠原健资 ,  村濑康裕 ,  松永高治 ,  山之口胜己 ,  岛胁秀德

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/404 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/802 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明提供了一种在高压操作以及高频特性上显示出良好性能的场效应晶体管。在本发明中，场效应晶体管包括设置在由GaAs或InP制成的半导体衬底(110)上的由化合物半导体(111)制成的层结构，作为工作层，并采用第一场极板电极(116)和第二场极板电极(118)；第二场极板电极(118)包括屏蔽部分(119)，其位于第一场极板电极(116)和漏电极(114)之间的区域中，并用于将第一场极板电极(116)与漏电极(114)屏蔽开。具体地，在栅长方向上的截面图中，当将第二场极板电极(118)与由第一场极板电极(116)和栅电极(113)组成的结构的上部交叠的交叠区域的在栅长方向上的长度指定为Lo1，和将栅长指定为Lg时，满足0≤Lo1/Lg≤1的关系。

公开(公告)号：CN102208376B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201110133105.0

申请日：2007-10-25

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 黑田尚孝 ,  分岛彰男 ,  田能村昌宏 ,  宫本广信

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/66 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/66 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/072 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。该半导体器件包括：半导体元件(20)，其具有矩形的二维几何形状且用作热源；以及热沉部(25)，其使得半导体元件(20)安装于其上，其中，所述热导率的方向分量当中的关系为：Kzz≥Kyy＞Kxx，在X、Y和X方向中的热沉部(25)的三维热导率的方向分量规定为Kxx、Kyy和Kzz，并且半导体元件(20)的长边方向定义为X方向，其短边方向定义为Y方向，且厚度方向定义为Z方向。

公开(公告)号：CN102308475A

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN201080006673.8

申请日：2010-02-03

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 分岛彰男

IPC: H03F3/60 ,  H01P1/00 ,  H03F1/32 ,  H03F3/26

CPC classification number: H03F3/604 ,  H01P5/10 ,  H03F1/3205 ,  H03F2200/06 ,  H03F2200/09

Abstract: 本发明的功率放大器包括放大电路(100、200和300)、第一传输线(530)、第二传输线(520)和第三传输线(540)。这里，放大电路(100、200和300)放大具有基频的输入信号来生成第一放大信号和第二放大信号，第二放大信号的相位与第一放大信号相反。第一传输线(530)通过使用左手材料向第一放大信号添加对应于频率而不同的第一组相位来生成第一传输信号。第二传输线(520)通过使用右手材料向第二放大信号添加对应于频率而不同的第二组相位来生成第二传输信号。第三传输线(540)叠加所述第一传输信号和所述第二传输信号来生成输出信号。第一组相位和第二组相位包括相位差，该相位差被配置为减弱二次谐波和三次谐波，二次谐波和三次谐波所具有的频率分别为所述基频的2倍和3倍。

公开(公告)号：CN101238561A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200680029192.2

申请日：2006-06-12

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 宫本广信 ,  安藤裕二 ,  冈本康宏 ,  中山达峰 ,  井上隆 ,  大田一树 ,  分岛彰男 ,  笠原健资 ,  村濑康裕 ,  松永高治 ,  山之口胜己 ,  岛胁秀德

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/802 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明提供了一种在高压操作以及高频特性方面表现出良好性能的场效应晶体管。在本发明中，在包括第一场极板电极(116)和第二场极板电极(118)的场效应晶体管(100)中，第二场极板电极(118)包括屏蔽部分(119)，其位于第一场极板电极(116)和漏电极(114)之间的区域中，并用于将第一场极板电极(116)与漏电极(114)屏蔽开。具体地，在栅极长度方向上的截面图上，当将其中第二场极板电极(118)与包括第一场极板电极(116)和栅电极(113)的结构的上部交叠的交叠区域的在栅极长度方向上的长度指定为Lo1，和将栅极长度指定为Lg时，满足表示为0≤Lo1/Lg≤1的关系。

公开(公告)号：CN102308475B

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201080006673.8

申请日：2010-02-03

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 分岛彰男

IPC: H03F3/60 ,  H01P1/00 ,  H03F1/32 ,  H03F3/26

CPC classification number: H03F3/604 ,  H01P5/10 ,  H03F1/3205 ,  H03F2200/06 ,  H03F2200/09

Abstract: 本发明的功率放大器包括放大电路(100、200和300)、第一传输线(530)、第二传输线(520)和第三传输线(540)。这里，放大电路(100、200和300)放大具有基频的输入信号来生成第一放大信号和第二放大信号，第二放大信号的相位与第一放大信号相反。第一传输线(530)通过使用左手材料向第一放大信号添加对应于频率而不同的第一组相位来生成第一传输信号。第二传输线(520)通过使用右手材料向第二放大信号添加对应于频率而不同的第二组相位来生成第二传输信号。第三传输线(540)叠加所述第一传输信号和所述第二传输信号来生成输出信号。第一组相位和第二组相位包括相位差，该相位差被配置为减弱二次谐波和三次谐波，二次谐波和三次谐波所具有的频率分别为所述基频的2倍和3倍。

公开(公告)号：CN101238560B

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN200680029172.5

申请日：2006-06-12

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 宫本广信 ,  安藤裕二 ,  冈本康宏 ,  中山达峰 ,  井上隆 ,  大田一树 ,  分岛彰男 ,  笠原健资 ,  村濑康裕 ,  松永高治 ,  山之口胜己 ,  岛胁秀德

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/404 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/802 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明提供了一种在高压操作以及高频特性上显示出良好性能的场效应晶体管。在本发明中，场效应晶体管包括设置在由GaAs或InP制成的半导体衬底(110)上的由化合物半导体(111)制成的层结构，作为工作层，并采用第一场极板电极(116)和第二场极板电极(118)；第二场极板电极(118)包括屏蔽部分(119)，其位于第一场极板电极(116)和漏电极(114)之间的区域中，并用于将第一场极板电极(116)与漏电极(114)屏蔽开。具体地，在栅长方向上的截面图中，当将第二场极板电极(118)与由第一场极板电极(116)和栅电极(113)组成的结构的上部交叠的交叠区域的在栅长方向上的长度指定为Lol，和将栅长指定为Lg时，满足0≤Lol/Lg≤1的关系。