公开(公告)号：CN102246283A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200980150271.2

申请日：2009-10-16

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 安藤裕二 ,  宫本广信 ,  中山达峰 ,  冈本康宏 ,  井上隆 ,  大田一树

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/205 ,  H01L29/737

CPC classification number: H01L29/7371 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003

Abstract: 一种双极晶体管，包括衬底、集电极层、具有p导电型的基极层和具有n导电型的发射极层。所述集电极层形成在所述衬底上，并且包括第一氮化物半导体。具有p导电型的基极层形成在集电极层上，并且包括第二氮化物半导体。具有n导电型的发射极层形成在基极层上，并且包括第三氮化物半导体。集电极层、基极层和发射极层形成为相对于衬底的表面的晶体生长方向与衬底的[0001]方向平行。第一氮化物半导体包括InycAlxcGa1-xc-ycN，其中0≤xc≤1，0≤yc≤1，0＜xc+yc≤1。在第一氮化物半导体中，在表面侧上的a轴的长度比在衬底侧上的a轴的长度长。

公开(公告)号：CN101971308A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200980108747.6

申请日：2009-03-12

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 安藤裕二 ,  冈本康宏 ,  大田一树 ,  井上隆 ,  中山达峰 ,  宫本广信

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7785

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，其在降低了栅泄漏电流的同时，具有高电子迁移率和具有阈值电压的优良均匀性和再现性，并且还能够应用到增强模式型。该半导体器件顺序层压由晶格驰豫的AlxGa1-xN(0≤x≤1)构成的下部势垒层、由具有压应变的InyGa1-yN(0≤y≤1)构成的沟道层和由AlzGa1-zN(0≤z≤1)构成的接触层，并且在所述InyGa1-yN沟道层与所述AlzGa1-zN接触层的界面附近，产生二维电子气。AlzGa1-zN接触层的一部分形成为栅电极嵌入在凹陷部中，并且插有绝缘膜，其中通过蚀刻所述AlzGa1-zN接触层而去除所述AlzGa1-zN接触层中的一部分直到暴露所述InyGa1-yN沟道层，来形成所述凹陷部，以及在AlzGa1-zN接触层上形成欧姆电极。因此，获得了一种能够以增强模式进行操作的半导体器件，该半导体器件具有阈值电压的优良均匀性和再现性，同时保持低栅泄漏电流和高电子迁移率。

公开(公告)号：CN101331599A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200680047375.7

申请日：2006-12-12

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 松永高治 ,  大田一树 ,  冈本康宏 ,  中山达峰 ,  分岛彰男 ,  安藤裕二 ,  宫本广信 ,  井上隆 ,  村濑康裕

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462

Abstract: 一种半导体器件(100)，具有：未掺杂GaN沟道层(105)、与未掺杂GaN沟道层(105)接触的AlGaN电子施主层(106)、提供在AlGaN电子施主层(106)上的未掺杂GaN层(107)、提供在未掺杂GaN层(107)上并彼此间隔开的源电极(101)和漏电极(103)、提供在源电极(101)和漏电极(103)之间的区域中并穿透未掺杂GaN层(107)的凹槽(111)、埋入凹槽(111)并在其底部表面与AlGaN电子施主层(106)相接触的栅电极(102)、以及在栅电极(102)和漏电极(103)之间区域中提供在未掺杂GaN层(107)上的SiN膜(108)。

公开(公告)号：CN102246284A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200980150272.7

申请日：2009-10-16

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 安藤裕二 ,  宫本广信 ,  中山达峰 ,  冈本康宏 ,  井上隆 ,  大田一树

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/205 ,  H01L29/737

CPC classification number: H01L29/7371 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0817 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66318

Abstract: 一种双极晶体管，具有发射极层、基极层和集电极层。发射极层形成在衬底上，并且是包括第一氮化物半导体的n型导电层。基极层形成在发射极层上，并且是包括第二氮化物半导体的p型导电层。集电极层形成在基极层上，并且包括第三氮化物半导体。集电极层、基极层和发射极层形成为相对于衬底表面的晶体生长方向与[000-1]的衬底方向平行。第三氮化物半导体包括InycAlxcGa1-xc-ycN(0≤xc≤1，0≤yc≤1，0＜xc+yc≤1)。第三氮化物半导体的在表面侧上的a轴长度比在衬底侧上的a轴长度短。

公开(公告)号：CN101238561A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200680029192.2

申请日：2006-06-12

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 宫本广信 ,  安藤裕二 ,  冈本康宏 ,  中山达峰 ,  井上隆 ,  大田一树 ,  分岛彰男 ,  笠原健资 ,  村濑康裕 ,  松永高治 ,  山之口胜己 ,  岛胁秀德

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/802 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明提供了一种在高压操作以及高频特性方面表现出良好性能的场效应晶体管。在本发明中，在包括第一场极板电极(116)和第二场极板电极(118)的场效应晶体管(100)中，第二场极板电极(118)包括屏蔽部分(119)，其位于第一场极板电极(116)和漏电极(114)之间的区域中，并用于将第一场极板电极(116)与漏电极(114)屏蔽开。具体地，在栅极长度方向上的截面图上，当将其中第二场极板电极(118)与包括第一场极板电极(116)和栅电极(113)的结构的上部交叠的交叠区域的在栅极长度方向上的长度指定为Lo1，和将栅极长度指定为Lg时，满足表示为0≤Lo1/Lg≤1的关系。

公开(公告)号：CN101971308B

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN200980108747.6

申请日：2009-03-12

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 安藤裕二 ,  冈本康宏 ,  大田一树 ,  井上隆 ,  中山达峰 ,  宫本广信

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7785

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，其在降低了栅泄漏电流的同时，具有高电子迁移率和具有阈值电压的优良均匀性和再现性，并且还能够应用到增强模式型。该半导体器件顺序层压由晶格驰豫的AlxGa1-xN(0≤x≤1)构成的下部势垒层、由具有压应变的InyGa1-yN(0≤y≤1)构成的沟道层和由AlzGa1-zN(0≤z≤1)构成的接触层，并且在所述InyGa1-yN沟道层与所述AlzGa1-zN接触层的界面附近，产生二维电子气。AlzGa1-zN接触层的一部分形成为栅电极嵌入在凹陷部中，并且插有绝缘膜，其中通过蚀刻所述AlzGa1-zN接触层而去除所述AlzGa1-zN接触层中的一部分直到暴露所述InyGa1-yN沟道层，来形成所述凹陷部，以及在AlzGa1-zN接触层上形成欧姆电极。因此，获得了一种能够以增强模式进行操作的半导体器件，该半导体器件具有阈值电压的优良均匀性和再现性，同时保持低栅泄漏电流和高电子迁移率。

公开(公告)号：CN101416290B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200780012035.5

申请日：2007-03-29

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 安藤裕二 ,  宫本广信 ,  中山达峰 ,  冈本康宏 ,  井上隆 ,  村濑康裕 ,  大田一树 ,  分岛彰男 ,  黑田尚孝

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L21/28 ,  H01L29/812 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003

Abstract: 公开了一种HJFET？110，其包括：由InyGa1-yN(0≤y≤1)构成的沟道层12；由AlxGa1-xN(0≤x≤1)构成的载流子供应层13，所述载流子供应层13提供在所述沟道层12上方并且包括至少一个p型层；以及源电极15S、漏电极15D和栅电极17，它们设置成通过所述p型层面向所述沟道层12，并提供在所述载流子供应层13上方。满足下面的关系表达式：5.6×1011x＜NS×η×t[cm-2]＜5.6×1013x，其中x表示所述载流子供应层的Al组分比例，t表示所述p型层的厚度，NA表示杂质浓度，以及η表示活化比率。

公开(公告)号：CN101416290A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200780012035.5

申请日：2007-03-29

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 安藤裕二 ,  宫本广信 ,  中山达峰 ,  冈本康宏 ,  井上隆 ,  村濑康裕 ,  大田一树 ,  分岛彰男 ,  黑田尚孝

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L21/28 ,  H01L29/812 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003

Abstract: 公开了一种HJFET 110，其包括：由InyGa1－yN(0≤y≤1)构成的沟道层12；由AlxGa1－xN(0≤x≤1)构成的载流子供应层13，所述载流子供应层13提供在所述沟道层12上方并且包括至少一个p型层；以及源电极15S、漏电极15D和栅电极17，它们设置成通过所述p型层面向所述沟道层12，并提供在所述载流子供应层13上方。满足下面的关系表达式：5.6×1011x＜NA×η×t[cm－2]＜5.6×1013x，其中x表示所述载流子供应层的Al组分比例，t表示所述p型层的厚度，NA表示杂质浓度，以及η表示活化比率。

公开(公告)号：CN101238560A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200680029172.5

申请日：2006-06-12

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 宫本广信 ,  安藤裕二 ,  冈本康宏 ,  中山达峰 ,  井上隆 ,  大田一树 ,  分岛彰男 ,  笠原健资 ,  村濑康裕 ,  松永高治 ,  山之口胜己 ,  岛胁秀德

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/404 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/802 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明提供了一种在高压操作以及高频特性上显示出良好性能的场效应晶体管。在本发明中，场效应晶体管包括设置在由GaAs或InP制成的半导体衬底(110)上的由化合物半导体(111)制成的层结构，作为工作层，并采用第一场极板电极(116)和第二场极板电极(118)；第二场极板电极(118)包括屏蔽部分(119)，其位于第一场极板电极(116)和漏电极(114)之间的区域中，并用于将第一场极板电极(116)与漏电极(114)屏蔽开。具体地，在栅长方向上的截面图中，当将第二场极板电极(118)与由第一场极板电极(116)和栅电极(113)组成的结构的上部交叠的交叠区域的在栅长方向上的长度指定为Lo1，和将栅长指定为Lg时，满足0≤Lo1/Lg≤1的关系。

公开(公告)号：CN101238561B

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200680029192.2

申请日：2006-06-12

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 宫本广信 ,  安藤裕二 ,  冈本康宏 ,  中山达峰 ,  井上隆 ,  大田一树 ,  分岛彰男 ,  笠原健资 ,  村濑康裕 ,  松永高治 ,  山之口胜己 ,  岛胁秀德

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/802 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明提供了一种在高压操作以及高频特性方面表现出良好性能的场效应晶体管。在本发明中，在包括第一场极板电极(116)和第二场极板电极(118)的场效应晶体管(100)中，第二场极板电极(118)包括屏蔽部分(119)，其位于第一场极板电极(116)和漏电极(114)之间的区域中，并用于将第一场极板电极(116)与漏电极(114)屏蔽开。具体地，在栅极长度方向上的截面图上，当将其中第二场极板电极(118)与包括第一场极板电极(116)和栅电极(113)的结构的上部交叠的交叠区域的在栅极长度方向上的长度指定为Lol，和将栅极长度指定为Lg时，满足表示为0≤Lol/Lg≤1的关系。