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公开(公告)号：CN101536182B
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200780040960.9
申请日：2007-10-25
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L23/373 , H01L23/36 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC classification number: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/66 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/072 , H01L2223/6644 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48095 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/49 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01031 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/12041 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1423 , H01L2924/16195 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体器件，包括：半导体元件(20)，其具有矩形的二维几何形状且用作热源；以及热沉部(25)，其使得半导体元件(20)安装于其上，其中，所述热导率的方向分量当中的关系为：Kzz≥Kyy＞Kxx，在X、Y和X方向中的热沉部(25)的三维热导率的方向分量规定为Kxx、Kyy和Kzz，并且半导体元件(20)的长边方向定义为X方向，其短边方向定义为Y方向，且厚度方向定义为Z方向。
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公开(公告)号：CN102208376A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110133105.0
申请日：2007-10-25
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/66 , H01L25/18
CPC classification number: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/66 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/072 , H01L2223/6644 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48095 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/49 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01031 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/12041 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1423 , H01L2924/16195 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。该半导体器件包括：半导体元件(20)，其具有矩形的二维几何形状且用作热源；以及热沉部(25)，其使得半导体元件(20)安装于其上，其中，所述热导率的方向分量当中的关系为：Kzz≥Kyy＞Kxx，在X、Y和X方向中的热沉部(25)的三维热导率的方向分量规定为Kxx、Kyy和Kzz，并且半导体元件(20)的长边方向定义为X方向，其短边方向定义为Y方向，且厚度方向定义为Z方向。
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公开(公告)号：CN1961412B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200580017592.7
申请日：2005-03-30
Applicant: 日本电气株式会社 , 恩益禧电子股份有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L21/3205 , H01L27/095 , H01L29/47 , H01L29/737 , H01L29/866 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/7371 , H01L23/367 , H01L27/0605 , H01L27/0664 , H01L29/66318 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种具有足够高的散热性能，同时抑制芯片面积增加的半导体器件。在半导体器件(1)中，在半导体衬底(10)上一维交替地布置多个HBT(20)和多个二极管(30)。二极管(30)的阳极电极(36)通过公共发射极布线(42)连接到HBT(20)的发射电极(27)。二极管(30)用作从发射电极(27)将通过公共发射极布线(42)传输的热量散逸到半导体衬底(10)的散热装置，并且用作HBT(20)的发射极和集电极之间并联连接的保护二极管。
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公开(公告)号：CN104584380A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201380044578.0
申请日：2013-08-21
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H02J17/00
CPC classification number: H02J50/12 , H01F27/02 , H01F38/14 , H02J7/025 , H02J17/00 , H02J50/70 , H04B13/02
Abstract: 一种用于在高导电性媒介中无线地传输电力的电力传输设备，包括：电力发送单元，其被构造成无线地传输电力；电力接收单元，其被构造成接受所述电力发送单元发送的无线电力。所述电力发送单元和所述电力接收单元包括：电力传输线圈；容纳构件，其具有被构造成覆盖所述电力传输线圈的电介质，并且通过在由所述电力发送单元的阻抗、所述电力接收单元的阻抗和所述高导电性媒介的阻抗确定的频率下引起谐振，来传输电力。
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公开(公告)号：CN101842978A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200880113793.0
申请日：2008-09-05
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H03F3/24 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H03F3/60
CPC classification number: H03F1/56 , H03F1/0277 , H03F3/211 , H03F3/245 , H03F3/604 , H03F3/72 , H03F2200/15 , H03F2200/18 , H03F2200/222 , H03F2200/255 , H03F2200/387 , H03F2200/423 , H03F2203/21106 , H03F2203/21142 , H03F2203/21178 , H03F2203/7215 , H03F2203/7221 , H03F2203/7236
Abstract: 本发明的一种功率放大器包括MOS晶体管(1)和输出匹配电路(5)，所述MOS晶体管(1)具有180nm或更小的栅极长度，所述输出匹配电路(5)与所述MOS晶体管(1)的漏极端子相连。此外，向所述MOS晶体管(1)施加利用DC状态中可允许的电压值归一化的电压Vd_n作为漏源电压，其中Vd_n在0.5-0.9的范围内。ZL(＝RL+j·XL)表示与利用MOS晶体管(1)的栅极宽度W(mm)归一化的、从漏极端子看输出匹配电路(5)时的负载阻抗相等的值，其中ZL的实部(RL)是RL＞0.64×Vd_n+0.19(Ω·mm)且RL＜0.64×Vd_n+1.73(Ω·mm)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1961412A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200580017592.7
申请日：2005-03-30
Applicant: 日本电气株式会社 , 恩益禧电子股份有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L21/3205 , H01L27/095 , H01L29/47 , H01L29/737 , H01L29/866 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/7371 , H01L23/367 , H01L27/0605 , H01L27/0664 , H01L29/66318 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种具有足够高的散热性能，同时抑制芯片面积增加的半导体器件。在半导体器件(1)中，在半导体衬底(10)上一维交替地布置多个HBT(20)和多个二极管(30)。二极管(30)的阳极电极(36)通过公共发射极布线(42)连接到HBT(20)的发射电极(27)。二极管(30)用作从发射电极(27)将通过公共发射极布线(42)传输的热量散逸到半导体衬底(10)的散热装置，并且用作HBT(20)的发射极和集电极之间并联连接的保护二极管。
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公开(公告)号：CN103828190B
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201280046320.X
申请日：2012-05-25
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: H02J50/12 , B60L11/182 , B60M7/00 , H01F38/14 , H02J5/005 , H02J7/025 , H02J17/00 , H02J50/05 , H02J50/50
Abstract: 根据本发明的一个实施例，提供了一种能够进行长距离和高效率的空间电力传输的无线电力馈送系统。无线电力馈送系统（100）包括电力传送器（101）、电力接收器（102）以及电力接收主体（108）。电力传送器（101）生成电磁波。通过使用磁场谐振现象从电力传送器（101）接收的电磁波来向电力接收器（102）供应电力。电力接收主体（108）被插入到由电力传送器（101）和电力接收器（102）产生的电磁场中，并且通过电磁场接收电力。
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公开(公告)号：CN101842978B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN200880113793.0
申请日：2008-09-05
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H03F3/24 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H03F3/60
CPC classification number: H03F1/56 , H03F1/0277 , H03F3/211 , H03F3/245 , H03F3/604 , H03F3/72 , H03F2200/15 , H03F2200/18 , H03F2200/222 , H03F2200/255 , H03F2200/387 , H03F2200/423 , H03F2203/21106 , H03F2203/21142 , H03F2203/21178 , H03F2203/7215 , H03F2203/7221 , H03F2203/7236
Abstract: 本发明的一种功率放大器包括MOS晶体管(1)和输出匹配电路(5)，所述MOS晶体管(1)具有180nm或更小的栅极长度，所述输出匹配电路(5)与所述MOS晶体管(1)的漏极端子相连。此外，向所述MOS晶体管(1)施加利用DC状态中可允许的电压值归一化的电压Vd_n作为漏源电压，其中Vd_n在0.5-0.9的范围内。ZL(＝RL+j·XL)表示与利用MOS晶体管(1)的栅极宽度W(mm)归一化的、从漏极端子看输出匹配电路(5)时的负载阻抗相等的值，其中ZL的实部(RL)是RL＞0.64×Vd_n+0.19(Ω·mm)且RL＜0.64×Vd_n+1.73(Ω·mm)。
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公开(公告)号：CN102208376B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201110133105.0
申请日：2007-10-25
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/66 , H01L25/18
CPC classification number: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/66 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/072 , H01L2223/6644 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48095 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/49 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01031 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/12041 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1423 , H01L2924/16195 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。该半导体器件包括：半导体元件(20)，其具有矩形的二维几何形状且用作热源；以及热沉部(25)，其使得半导体元件(20)安装于其上，其中，所述热导率的方向分量当中的关系为：Kzz≥Kyy＞Kxx，在X、Y和X方向中的热沉部(25)的三维热导率的方向分量规定为Kxx、Kyy和Kzz，并且半导体元件(20)的长边方向定义为X方向，其短边方向定义为Y方向，且厚度方向定义为Z方向。
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公开(公告)号：CN103828190A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201280046320.X
申请日：2012-05-25
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: H02J50/12 , B60L11/182 , B60M7/00 , H01F38/14 , H02J5/005 , H02J7/025 , H02J17/00 , H02J50/05 , H02J50/50
Abstract: 根据本发明的一个实施例，提供了一种能够进行长距离和高效率的空间电力传输的无线电力馈送系统。无线电力馈送系统（100）包括电力传送器（101）、电力接收器（102）以及电力接收主体（108）。电力传送器（101）生成电磁波。通过使用磁场谐振现象从电力传送器（101）接收的电磁波来向电力接收器（102）供应电力。电力接收主体（108）被插入到由电力传送器（101）和电力接收器（102）产生的电磁场中，并且通过电磁场接收电力。
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