公开(公告)号：CN101238560B

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN200680029172.5

申请日：2006-06-12

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 宫本广信 ,  安藤裕二 ,  冈本康宏 ,  中山达峰 ,  井上隆 ,  大田一树 ,  分岛彰男 ,  笠原健资 ,  村濑康裕 ,  松永高治 ,  山之口胜己 ,  岛胁秀德

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/404 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/802 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明提供了一种在高压操作以及高频特性上显示出良好性能的场效应晶体管。在本发明中，场效应晶体管包括设置在由GaAs或InP制成的半导体衬底(110)上的由化合物半导体(111)制成的层结构，作为工作层，并采用第一场极板电极(116)和第二场极板电极(118)；第二场极板电极(118)包括屏蔽部分(119)，其位于第一场极板电极(116)和漏电极(114)之间的区域中，并用于将第一场极板电极(116)与漏电极(114)屏蔽开。具体地，在栅长方向上的截面图中，当将第二场极板电极(118)与由第一场极板电极(116)和栅电极(113)组成的结构的上部交叠的交叠区域的在栅长方向上的长度指定为Lol，和将栅长指定为Lg时，满足0≤Lol/Lg≤1的关系。

公开(公告)号：CN101842978A

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN200880113793.0

申请日：2008-09-05

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 丸桥建一 ,  田能村昌宏 ,  岛胁秀德

IPC: H03F3/24 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H03F3/60

CPC classification number: H03F1/56 ,  H03F1/0277 ,  H03F3/211 ,  H03F3/245 ,  H03F3/604 ,  H03F3/72 ,  H03F2200/15 ,  H03F2200/18 ,  H03F2200/222 ,  H03F2200/255 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/423 ,  H03F2203/21106 ,  H03F2203/21142 ,  H03F2203/21178 ,  H03F2203/7215 ,  H03F2203/7221 ,  H03F2203/7236

Abstract: 本发明的一种功率放大器包括MOS晶体管(1)和输出匹配电路(5)，所述MOS晶体管(1)具有180nm或更小的栅极长度，所述输出匹配电路(5)与所述MOS晶体管(1)的漏极端子相连。此外，向所述MOS晶体管(1)施加利用DC状态中可允许的电压值归一化的电压Vd_n作为漏源电压，其中Vd_n在0.5-0.9的范围内。ZL(＝RL+j·XL)表示与利用MOS晶体管(1)的栅极宽度W(mm)归一化的、从漏极端子看输出匹配电路(5)时的负载阻抗相等的值，其中ZL的实部(RL)是RL＞0.64×Vd_n+0.19(Ω·mm)且RL＜0.64×Vd_n+1.73(Ω·mm)。

公开(公告)号：CN101238560A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200680029172.5

申请日：2006-06-12

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 宫本广信 ,  安藤裕二 ,  冈本康宏 ,  中山达峰 ,  井上隆 ,  大田一树 ,  分岛彰男 ,  笠原健资 ,  村濑康裕 ,  松永高治 ,  山之口胜己 ,  岛胁秀德

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/404 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/802 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明提供了一种在高压操作以及高频特性上显示出良好性能的场效应晶体管。在本发明中，场效应晶体管包括设置在由GaAs或InP制成的半导体衬底(110)上的由化合物半导体(111)制成的层结构，作为工作层，并采用第一场极板电极(116)和第二场极板电极(118)；第二场极板电极(118)包括屏蔽部分(119)，其位于第一场极板电极(116)和漏电极(114)之间的区域中，并用于将第一场极板电极(116)与漏电极(114)屏蔽开。具体地，在栅长方向上的截面图中，当将第二场极板电极(118)与由第一场极板电极(116)和栅电极(113)组成的结构的上部交叠的交叠区域的在栅长方向上的长度指定为Lo1，和将栅长指定为Lg时，满足0≤Lo1/Lg≤1的关系。

公开(公告)号：CN101842978B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN200880113793.0

申请日：2008-09-05

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 丸桥建一 ,  田能村昌宏 ,  岛胁秀德

IPC: H03F3/24 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H03F3/60

CPC classification number: H03F1/56 ,  H03F1/0277 ,  H03F3/211 ,  H03F3/245 ,  H03F3/604 ,  H03F3/72 ,  H03F2200/15 ,  H03F2200/18 ,  H03F2200/222 ,  H03F2200/255 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/423 ,  H03F2203/21106 ,  H03F2203/21142 ,  H03F2203/21178 ,  H03F2203/7215 ,  H03F2203/7221 ,  H03F2203/7236

Abstract: 本发明的一种功率放大器包括MOS晶体管(1)和输出匹配电路(5)，所述MOS晶体管(1)具有180nm或更小的栅极长度，所述输出匹配电路(5)与所述MOS晶体管(1)的漏极端子相连。此外，向所述MOS晶体管(1)施加利用DC状态中可允许的电压值归一化的电压Vd_n作为漏源电压，其中Vd_n在0.5-0.9的范围内。ZL(＝RL+j·XL)表示与利用MOS晶体管(1)的栅极宽度W(mm)归一化的、从漏极端子看输出匹配电路(5)时的负载阻抗相等的值，其中ZL的实部(RL)是RL＞0.64×Vd_n+0.19(Ω·mm)且RL＜0.64×Vd_n+1.73(Ω·mm)。

公开(公告)号：CN101238561A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200680029192.2

申请日：2006-06-12

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 宫本广信 ,  安藤裕二 ,  冈本康宏 ,  中山达峰 ,  井上隆 ,  大田一树 ,  分岛彰男 ,  笠原健资 ,  村濑康裕 ,  松永高治 ,  山之口胜己 ,  岛胁秀德

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/802 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明提供了一种在高压操作以及高频特性方面表现出良好性能的场效应晶体管。在本发明中，在包括第一场极板电极(116)和第二场极板电极(118)的场效应晶体管(100)中，第二场极板电极(118)包括屏蔽部分(119)，其位于第一场极板电极(116)和漏电极(114)之间的区域中，并用于将第一场极板电极(116)与漏电极(114)屏蔽开。具体地，在栅极长度方向上的截面图上，当将其中第二场极板电极(118)与包括第一场极板电极(116)和栅电极(113)的结构的上部交叠的交叠区域的在栅极长度方向上的长度指定为Lo1，和将栅极长度指定为Lg时，满足表示为0≤Lo1/Lg≤1的关系。

公开(公告)号：CN101238561B

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200680029192.2

申请日：2006-06-12

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 宫本广信 ,  安藤裕二 ,  冈本康宏 ,  中山达峰 ,  井上隆 ,  大田一树 ,  分岛彰男 ,  笠原健资 ,  村濑康裕 ,  松永高治 ,  山之口胜己 ,  岛胁秀德

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/802 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明提供了一种在高压操作以及高频特性方面表现出良好性能的场效应晶体管。在本发明中，在包括第一场极板电极(116)和第二场极板电极(118)的场效应晶体管(100)中，第二场极板电极(118)包括屏蔽部分(119)，其位于第一场极板电极(116)和漏电极(114)之间的区域中，并用于将第一场极板电极(116)与漏电极(114)屏蔽开。具体地，在栅极长度方向上的截面图上，当将其中第二场极板电极(118)与包括第一场极板电极(116)和栅电极(113)的结构的上部交叠的交叠区域的在栅极长度方向上的长度指定为Lol，和将栅极长度指定为Lg时，满足表示为0≤Lol/Lg≤1的关系。

公开(公告)号：CN101976686A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN201010504353.7

申请日：2006-06-12

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 宫本广信 ,  安藤裕二 ,  冈本康宏 ,  中山达峰 ,  井上隆 ,  大田一树 ,  分岛彰男 ,  笠原健资 ,  村濑康裕 ,  松永高治 ,  山之口胜己 ,  岛胁秀德

IPC: H01L29/812 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/802 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明提供了一种场效应晶体管。所述场效应晶体管在高压操作以及高频特性方面表现出良好性能。在包括第一场极板电极(116)和第二场极板电极(118)的场效应晶体管(100)中，第二场极板电极(118)包括屏蔽部分(119)，其位于第一场极板电极(116)和漏电极(114)之间的区域中，并用于将第一场极板电极(116)与漏电极(114)屏蔽开。具体地，在栅极长度方向上的截面图上，当将其中第二场极板电极(118)与包括第一场极板电极(116)和栅电极(113)的结构的上部交叠的交叠区域的在栅极长度方向上的长度指定为Lol，和将栅极长度指定为Lg时，满足表示为0≤Lol/Lg≤1的关系。