公开(公告)号：CN100573919C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200380110067.0

申请日：2003-12-15

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 冈本康宏 ,  宫本广信 ,  安藤裕二 ,  中山达峰 ,  井上隆 ,  葛原正明

IPC: H01L29/812 ,  H01L21/338

CPC classification number: H01L29/402 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787

Abstract: 一种电场控制电极(5)，其形成在栅极(2)和漏极(3)之间。包括SiN薄膜(21)和SiO2薄膜(22)的多层薄膜形成在电场控制电极(5)下方。SiN薄膜(21)形成，使得AlGaN电子供应层(13)的表面被SiN薄膜(21)覆盖。

公开(公告)号：CN1675775A

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN03819519.4

申请日：2003-06-17

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 安藤裕二 ,  宫本广信 ,  冈本康宏 ,  笠原健资 ,  中山达峰 ,  葛原正明

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H01L21/338 ,  H01L29/812 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/475 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/812

Abstract: 提供一种改善了肖特基结电极的耐热性并且功率性能和可靠性优良的GaN系半导体装置。在具有与AlGaN电子供给层(14)接触的肖特基性栅电极(17)的半导体装置中，栅电极(17)为由Ni、Pt、Pd中任一种所形成的第一金属层(171)、由Mo、Pt、W、Ti、Ta、MoSi、PtSi、WSi、TiSi、TaSi、MoN、WN、TiN、TaN的任何一种所形成的第二金属层(172)、由Au、Cu、Al、Pt中任一种所形成的第三金属层的层叠结构。由于第二金属层的材料是高熔点的，其对第一金属层金属和第三金属层金属的相互扩散起阻挡层作用，并抑制因高温动作导致的栅极特性恶化。由于与AlGaN电子供给层(14)连接的第一金属层金属的功函数大，其肖特基势垒高，能够获得良好的肖特基接触。

公开(公告)号：CN100508212C

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200580025979.7

申请日：2005-06-24

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 中山达峰 ,  宫本广信 ,  安藤裕二 ,  葛原正明 ,  冈本康宏 ,  井上隆 ,  幡谷耕二

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/80 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其能够抑制电流崩塌且还能够防止电介质击穿电压和增益降低，从而可以进行高电压操作并实现理想的高输出。在基板(101)上，形成有：由第一GaN基半导体制成的缓冲层(102)、由第二GaN基半导体制成的载流子迁移层(103)和由第三GaN基半导体制成的载流子提供层(104)。通过去除部分第一绝缘膜(107)和部分载流子提供层(104)，制成凹陷结构(108)。接下来，淀积栅绝缘膜(109)，并且随后形成栅电极(110)，从而填充凹陷部分(108)并覆盖在残留有第一绝缘膜(107)的区域上，由此它在漏电极侧上的部分长于它在源电极侧上的部分。使用这样的凹陷结构提供了能够进行高电压操作的高输出半导体器件。

公开(公告)号：CN100470834C

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200380109769.7

申请日：2003-12-15

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 冈本康宏 ,  宫本广信 ,  安藤裕二 ,  中山达峰 ,  井上隆 ,  葛原正明

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/338

CPC classification number: H01L29/402 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7787

Abstract: 在栅极电极(2)中形成以帽舌形状伸出于漏极侧上的场电极部分(5)上。在场电极部分(5)下面形成包含SiN膜(21)和SiO2膜(22)的多层膜。形成SiN膜(21)使其覆盖AlGaN电子供给层(13)的表面。

公开(公告)号：CN100544024C

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200580023067.6

申请日：2005-07-08

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 宫本广信 ,  中山达峰 ,  安藤裕二 ,  冈本康宏 ,  葛原正明 ,  井上隆 ,  幡谷耕二

IPC: H01L29/47 ,  H01L21/338 ,  H01L29/423 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/475 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明提供了一种用于氮化物半导体器件的肖特基电极及其制作工艺，其具有高的势垒高度、低的漏电流性能和低电阻，并且热稳定。该氮化物半导体肖特基电极具有分层结构，该分层结构包括与氮化物半导体接触的铜(Cu)层和在铜(Cu)的上层上形成的第一电极材料。下述金属材料被用于第一电极材料，该金属材料具有比铜(Cu)的热膨胀系数低的热膨胀系数，并且在400℃或更高的温度下与铜(Cu)发生固相反应。

公开(公告)号：CN1757120A

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN200380110067.0

申请日：2003-12-15

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 冈本康宏 ,  宫本广信 ,  安藤裕二 ,  中山达峰 ,  井上隆 ,  葛原正明

IPC: H01L29/812 ,  H01L21/338

CPC classification number: H01L29/402 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787

Abstract: 一种电场控制电极(5)，其形成在栅极(2)和漏极(3)之间。包括SiN薄膜(21)和SiO2薄膜(22)的多层薄膜形成在电场控制电极(5)下方。SiN薄膜(21)形成，使得AlGaN电子供应层(13)的表面被SiN薄膜(21)覆盖。

公开(公告)号：CN1242608A

公开(公告)日：2000-01-26

申请号：CN99110924.4

申请日：1999-06-16

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 水田正志 ,  葛原正明 ,  梨本泰信 ,  麻埜和则 ,  三好阳介 ,  望月康则

IPC: H01L29/812

CPC classification number: H01L29/812 ,  H01L27/095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/7813

Abstract: 在栅电极5和漏电极8之间的沟道层2上的绝缘膜6上形成场控制电极9。氧化钽(Ta2O5)例如可以用做绝缘膜6的材料。

公开(公告)号：CN100380678C

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN03819519.4

申请日：2003-06-17

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 安藤裕二 ,  宫本广信 ,  冈本康宏 ,  笠原健资 ,  中山达峰 ,  葛原正明

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H01L21/338 ,  H01L29/812 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/475 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明提供一种改善了肖特基结电极的耐热性并且功率性能和可靠性优良的GaN系半导体装置。在具有与AlGaN电子供给层(14)接触的肖特基性栅电极(17)的半导体装置中，栅电极(17)为由Ni、Pt、Pd中任一种所形成的第一金属层(171)、由Mo、Pt、W、Ti、Ta、MoSi、PtSi、WSi、TiSi、TaSi、MoN、WN、TiN、TaN的任何一种所形成的第二金属层(172)、由Au、Cu、Al、Pt中任一种所形成的第三金属层的层叠结构。由于第二金属层的材料是高熔点的，其对第一金属层金属和第三金属层金属的相互扩散起阻挡层作用，并抑制因高温动作导致的栅极特性恶化。由于与AlGaN电子供给层(14)连接的第一金属层金属的功函数大，其肖特基势垒高，能够获得良好的肖特基接触。

公开(公告)号：CN101002332A

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN200580025979.7

申请日：2005-06-24

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 中山达峰 ,  宫本广信 ,  安藤裕二 ,  葛原正明 ,  冈本康宏 ,  井上隆 ,  幡谷耕二

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/80 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其能够抑制电流崩塌且还能够防止电介质击穿电压和增益降低，从而可以进行高电压操作并实现理想的高输出。在基板(101)上，形成有：由第一GaN基半导体制成的缓冲层(102)、由第二GaN基半导体制成的载流子迁移层(103)和由第三GaN基半导体制成的载流子提供层(104)。通过去除部分第一绝缘膜(107)和部分载流子提供层(104)，制成凹陷结构(108)。接下来，淀积栅绝缘膜(109)，并且随后形成栅电极(110)，从而填充凹陷部分(108)并覆盖在残留有第一绝缘膜(107)的区域上，由此它在漏电极侧上的部分长于它在源电极侧上的部分。使用这样的凹陷结构提供了能够进行高电压操作的高输出半导体器件。

公开(公告)号：CN1981381A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200580023067.6

申请日：2005-07-08

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 宫本广信 ,  中山达峰 ,  安藤裕二 ,  冈本康宏 ,  葛原正明 ,  井上隆 ,  幡谷耕二

IPC: H01L29/47 ,  H01L21/338 ,  H01L29/423 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/475 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明提供了一种用于氮化物半导体器件的肖特基电极及其制作工艺，其具有高的势垒高度、低的漏电流性能和低电阻，并且热稳定。该氮化物半导体肖特基电极具有分层结构，该分层结构包括与氮化物半导体接触的铜(Cu)层和在铜(Cu)的上层上形成的第一电极材料。下述金属材料被用于第一电极材料，该金属材料具有比铜(Cu)的热膨胀系数低的热膨胀系数，并且在400℃或更高的温度下与铜(Cu)发生固相反应。