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公开(公告)号：CN103182674A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201110453902.7
申请日：2011-12-30
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及WCMP的研磨装置以及提高WCMP的研磨速率的方法。本发明的研磨装置利用研磨液对被加工物（300）进行研磨，包括：研磨垫（100），该研磨垫（100）用于盛放研磨液；托盘（200），用于保持被加工物、并使该被加工物（300）在所述研磨垫（100）上得以进行WCMP研磨；管部（400），用于通入研磨液；加热装置（500），用于对所述管部（400）以及/或者所述研磨垫（100）进行加热；温度控制装置（600），用于控制所述加热装置（500）以使所述管部（400）中流动的研磨液的温度保持在30～60度。本发明具有迅速提升研磨速率、对研磨垫寿命无影响、结构简单、成本低的优点。
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公开(公告)号：CN103128649A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110402474.5
申请日：2011-11-28
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: B24B37/04
CPC classification number: B24B55/12
Abstract: 本发明涉及半导体制造工艺，尤其涉及能有效减少在化学机械抛光过程中引入的研磨剂残留的方法。按照本发明的化学机械抛光方法包括下列步骤：研磨步骤，利用浆料来研磨晶圆的表面；以及冲洗步骤，利用流体冲洗所述晶圆的表面以去除残留在所述表面的浆料，其中，在所述冲洗步骤中还向所述晶圆的表面输送所述浆料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102814725A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201110151797.1
申请日：2011-06-08
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: B24B37/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨（CMP）方法，属于半导体制造技术领域。该CMP方法用于对在集成电路的后端互连结构制备过程中的晶圆上的硅玻璃层进行平坦化处理，其包括以下步骤：主要对所述晶圆的边缘进行研磨；第一冲洗；主要对所述晶圆的中央进行研磨；以及第二冲洗。使用该CMP方法处理的晶圆的研磨面缺陷少，并且成本低、省时省力。
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公开(公告)号：CN103128649B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201110402474.5
申请日：2011-11-28
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: B24B37/04
CPC classification number: B24B55/12
Abstract: 本发明涉及半导体制造工艺，尤其涉及能有效减少在化学机械抛光过程中引入的研磨剂残留的方法。按照本发明的化学机械抛光方法包括下列步骤：研磨步骤，利用浆料来研磨晶圆的表面；以及冲洗步骤，利用流体冲洗所述晶圆的表面以去除残留在所述表面的浆料，其中，在所述冲洗步骤中还向所述晶圆的表面输送所述浆料。
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公开(公告)号：CN102814725B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201110151797.1
申请日：2011-06-08
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: B24B37/10 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨（CMP）方法，属于半导体制造技术领域。该CMP方法用于对在集成电路的后端互连结构制备过程中的晶圆上的硅玻璃层进行平坦化处理，其包括以下步骤：主要对所述晶圆的边缘进行研磨；第一冲洗；主要对所述晶圆的中央进行研磨；以及第二冲洗。使用该CMP方法处理的晶圆的研磨面缺陷少，并且成本低、省时省力。
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公开(公告)号：CN102922415B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201110228135.X
申请日：2011-08-10
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: B24B37/07
Abstract: 本发明提供一种延长研磨垫使用周期的化学机械研磨（CMP）方法，属于半导体制造技术领域。该CMP方法包括第一CMP阶段和第二CMP阶段，在第二CMP阶段应用光学终止点检测装置时存在终止点抓取的准备时间段（tp2）；其中，在第二CMP阶段的研磨前准备步骤设置为通过时间控制和终止点检测控制结合的模式，以准备时间段（tp2）从第二CMP阶段的主研磨步骤中前移至所述研磨前准备步骤中；并且，延长第一CMP阶段的主研磨步骤的时间（tp1），以使在该延长的时间（tp1）内的研磨厚度基本等于第二CMP阶段的主研磨在该准备时间段内（tp2）的研磨厚度。该CMP方法容易与现有CMP制程兼容，效率高。
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公开(公告)号：CN102922415A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201110228135.X
申请日：2011-08-10
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: B24B37/07
Abstract: 本发明提供一种延长研磨垫使用周期的化学机械研磨（CMP）方法，属于半导体制造技术领域。该CMP方法包括第一CMP阶段和第二CMP阶段，在第二CMP阶段应用光学终止点检测装置时存在终止点抓取的准备时间段（tp2）；其中，在第二CMP阶段的研磨前准备步骤设置为通过时间控制和终止点检测控制结合的模式，以准备时间段（tp2）从第二CMP阶段的主研磨步骤中前移至所述研磨前准备步骤中；并且，延长第一CMP阶段的主研磨步骤的时间（tp1），以使在该延长的时间（tp1）内的研磨厚度基本等于第二CMP阶段的主研磨在该准备时间段内（tp2）的研磨厚度。该CMP方法容易与现有CMP制程兼容，效率高。
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