公开(公告)号：CN114695511B

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202011630769.3

申请日：2020-12-30

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 赵景川 ,  何乃龙 ,  张森 ,  张志丽 ,  许杰

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，所述器件包括：衬底；漂移区，设于衬底上；多层掺杂结构，设于漂移区中，每层掺杂结构包括至少一根沿导电沟道长度方向延伸的掺杂条；多根掺杂多晶硅柱,设于漂移区中,并从上至下贯穿至少一层掺杂结构的掺杂条；场氧化层，设于各掺杂多晶硅柱上，场氧化层的底部与各掺杂多晶硅柱的顶部接触；导电结构，设于场氧化层上；其中，场氧化层在各掺杂多晶硅柱的位置开设有多个通孔，各通孔内填充有导电材料，各掺杂多晶硅柱通过通孔内的导电材料电连接至导电结构。本发明将纵向分布的第二导电类型掺杂多晶硅柱以串联电容器方式电连接在一起，可以优化体内电场分布，进一步提升器件的反向耐压。

公开(公告)号：CN116435288A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202111654661.2

申请日：2021-12-30

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 赵景川 ,  何乃龙 ,  张森 ,  周俊芳 ,  邵红 ,  许杰 ,  王浩 ,  朱文明

IPC: H01L23/522 ,  H10N97/00 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明涉及一种电容器结构及其制造方法、半导体器件，所述电容器结构包括：第一金属层，包括第一金属图案和第二金属图案；第二金属层，包括第三金属图案和第四金属图案；介质层，设于第一金属层和第二金属层之间；第一金属图案和第三金属图案之间的介质层设有第一通孔，第一通孔中设有导电材料从而电性连接第一金属图案和第三金属图案；第二金属图案和第四金属图案之间的介质层设有第二通孔，第二通孔中设有导电材料从而电性连接第二金属图案和第四金属图案，第一通孔中的导电材料作为电容器的一个极板、第二通孔中的导电材料作为电容器的另一个极板。本发明将两个金属层之间的通孔的导电材料作为电容器的上下极板，电容器易于实现高耐压。

公开(公告)号：CN114695511A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202011630769.3

申请日：2020-12-30

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 赵景川 ,  何乃龙 ,  张森 ,  张志丽 ,  许杰

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，所述器件包括：衬底；漂移区，设于衬底上；多层掺杂结构，设于漂移区中，每层掺杂结构包括至少一根沿导电沟道长度方向延伸的掺杂条；多根掺杂多晶硅柱,设于漂移区中,并从上至下贯穿至少一层掺杂结构的掺杂条；场氧化层，设于各掺杂多晶硅柱上，场氧化层的底部与各掺杂多晶硅柱的顶部接触；导电结构，设于场氧化层上；其中，场氧化层在各掺杂多晶硅柱的位置开设有多个通孔，各通孔内填充有导电材料，各掺杂多晶硅柱通过通孔内的导电材料电连接至导电结构。本发明将纵向分布的第二导电类型掺杂多晶硅柱以串联电容器方式电连接在一起，可以优化体内电场分布，进一步提升器件的反向耐压。

公开(公告)号：CN114068157A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202010751749.5

申请日：2020-07-30

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 何乃龙 ,  张森 ,  赵景川 ,  许杰

IPC: H01F27/34 ,  H01F27/28

Abstract: 本发明涉及一种半导体电感结构，包括：互感线圈，包括顶层线圈和底层线圈，顶层线圈与底层线圈位于不同的平面，且两者之间形成互感；中间结构，中间结构位于顶层线圈与底层线圈之间，包括，层间导电层和连通结构，连通结构用于电连接层间导电层与顶层线圈、层间导电层与底层线圈。中间结构连接顶层线圈和底层线圈，中间结构包括层间导电层和连通结构，层间导电层与连通结构均为导电结构，两者的磁导率大于空气，因此磁路的磁阻大大减小，使得顶层线圈和底层线圈之间的磁通量增大，则底层线圈和顶层线圈的感抗变大了，当底层线圈和底层线圈所组成的互感线圈感抗变大后，寄生电感对互感线圈的影响变小，因此采集信号受到的干扰也变小。

公开(公告)号：CN115132820A

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202110333701.7

申请日：2021-03-29

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 何乃龙 ,  张森 ,  许杰 ,  姚玉恒 ,  邹敏

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，包括器件主体，所述器件主体包括场板结构和多个电极，所述场板结构包括多个相互分离的板体；所述半导体器件还包括控制电路，所述控制电路包括：多个输出端，每个输出端连接一板体；多个输入端，不同的输入端连接所述器件主体的不同电极；控制单元，用于根据各所述输入端的输入信号判断所述器件主体的工作状态，并根据所述工作状态控制各所述输出端输出的电压，从而控制各所述板体的电势。本发明通过判断器件的工作状态来动态控制各板体的电势，使器件主体在不同的工作状态下均能根据该工作状态下的需求达到最佳性能。

公开(公告)号：CN116564941A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202210099569.2

申请日：2022-01-27

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 赵景川 ,  何乃龙 ,  张森 ,  张华刚 ,  邵红 ,  许杰

IPC: H01L23/64 ,  H10N97/00 ,  H01F27/28

Abstract: 本发明涉及一种隔离变压器及其制造方法、半导体器件，所述隔离变压器包括：第一金属层，包括第一金属图案和第二金属图案；第二金属层，包括第三金属图案和第四金属图案；介质层，设于第一金属层和第二金属层之间；第一金属图案和第三金属图案之间的介质层设有第一通孔，第一通孔中设有导电材料；第二金属图案和第四金属图案之间的介质层设有第二通孔，第二通孔中设有导电材料；第一金属图案和第三金属图案作为隔离变压器的初级线圈，第二金属图案和第四金属图案作为隔离变压器的次级线圈。本发明初级线圈和次级线圈既可以同一平面互相耦合，也可以纵向耦合，提升电流信号传递强度，大大增强了线圈的耦合系数。