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公开(公告)号：CN119967860A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202311473834.X
申请日：2023-11-07
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本申请涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法。该横向扩散金属氧化物半导体器件包括至少一个元胞结构，元胞结构包括：衬底；N型的第一阱区，设于衬底内；第一阱区内设有沿第一方向依次排布的第一分区、隔断区和第二分区；P型的第一掺杂区和P型的第二掺杂区，第一掺杂区位于第一分区，第二掺杂区位于第二分区；P型的源区和P型的漏区，设于衬底内，且分别位于第一掺杂区沿第二方向的两侧；第一方向为导电沟道的宽度方向，第二方向为导电沟道的长度方向。本申请能够抑制开启状态下输出电流的迅速增大，从而改善器件输出电流的稳定性以及提高器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN115483283A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202110739674.3
申请日：2021-06-30
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本申请涉及一种半导体器件及其制备方法，包括：包括衬底、绝缘埋层、半导体层、至少两个间隔排布的沟道区、阳极、阴极接触区及阴极，其中，沟道区上表层设有沟道接触区，相邻两个沟道区之间设有阳极接触区。当半导体器件正向导通时，沟道接触区可以降低导通压降，从而可以降低器件的整体功耗；当半导体器件反向导通时，由半导体层和各个沟道区形成的反向耗尽层可以将导电沟道进行夹断，使整个阳极处于封闭状态，降低漏电；当半导体器件反向恢复时，沟道接触区产生的少子空穴可以与阳极接触区的电子空穴进行复合后消失，降低整个器件在反向恢复时的峰值电流，同时降低反向恢复的时间。
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公开(公告)号：CN115132820A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202110333701.7
申请日：2021-03-29
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，包括器件主体，所述器件主体包括场板结构和多个电极，所述场板结构包括多个相互分离的板体；所述半导体器件还包括控制电路，所述控制电路包括：多个输出端，每个输出端连接一板体；多个输入端，不同的输入端连接所述器件主体的不同电极；控制单元，用于根据各所述输入端的输入信号判断所述器件主体的工作状态，并根据所述工作状态控制各所述输出端输出的电压，从而控制各所述板体的电势。本发明通过判断器件的工作状态来动态控制各板体的电势，使器件主体在不同的工作状态下均能根据该工作状态下的需求达到最佳性能。
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公开(公告)号：CN119967861A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202311477718.5
申请日：2023-11-07
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本申请涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件，包括：基底；体区和漂移区，沿第一方向排布于基底内；漂移区内设有漏区，体区内设有源区；第一方向垂直于基底的厚度方向；第一介质层，设于基底上，且至少覆盖部分体区和部分漂移区；第一场板，设于第一介质层远离基底的一侧，第一场板在基底上的正投影位于体区和漏区之间，且覆盖部分漂移区；第一高K介质层，设于第一介质层远离基底的一侧，且与第一场板靠近漏区的一端连接，第一高K介质层在基底上的正投影覆盖部分漂移区。本申请提供的横向扩散金属氧化物半导体器件一方面可以提升器件耐压，另一方面在相同击穿电压下，可以实现更小的导通电阻。
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公开(公告)号：CN120091590A
公开(公告)日：2025-06-03
申请号：CN202311620055.8
申请日：2023-11-29
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种沟槽栅器件及其制造方法，所述沟槽栅器件包括：源极区；第一掺杂区；源电极，设于源极区上方，并与源极区和第一掺杂区电性连接；围墙结构，包括沟槽栅，沟槽栅包括位于沟槽内表面的栅介电层，以及位于沟槽内、且四周和底部被栅介电层包围的栅极；围墙结构将源极区与第一掺杂区隔开；电流阻挡结构，位于围墙结构底部，与围墙结构连接形成包围结构，第一掺杂区位于包围结构内；第二掺杂区，位于包围结构内；栅电极，位于沟槽栅上方，并与栅极和第二掺杂区电性连接；第三掺杂区，位于包围结构内且第一掺杂区和第二掺杂区被第三掺杂区隔开。本发明能够使器件栅源间获得双向ESD保护。
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