公开(公告)号：CN102154621A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201010532892.1

申请日：2010-11-05

Applicant: 新疆大学

Inventor： 吴荣 ,  潘东 ,  简基康 ,  姜楠楠 ,  李锦 ,  孙言飞

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  H01F41/18

Abstract: 本发明公开了一种Ni掺杂AlN基稀磁半导体薄膜材料的制备方法。本方法采用Al靶和金属镍片进行磁控共溅射，系统的本底真空度为10-4Pa-10-5Pa，溅射过程中工作气体为高纯的氮气和高纯氩气，氩气和氮气的比例为7∶3，溅射气压为1.5Pa，衬底温度为370℃，溅射功率为300W，基片为n型Si(100)，靶材与基片间的距离为60mm，溅射时间为60min。基片经清洗除去表面杂质后，通过改变镍片的数量得到不同掺杂浓度的AlN基稀磁半导体薄膜材料。本方法制备工艺简单，沉积速率高，不需要任何的后续处理就可以得到室温铁磁性和高居里温度且性能可控的稀磁半导体薄膜材料，具有重要的研究价值和广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN102040201A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN201010532909.3

申请日：2010-11-05

Applicant: 新疆大学

Inventor： 吴荣 ,  姜楠楠 ,  简基康 ,  潘东 ,  李锦 ,  孙言飞

IPC: C01B19/04 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种溶剂热可控制备ZnSe和ZnTe纳米材料的方法，是通过以下工艺过程实现的：将分析纯的Se源或Te源放入聚四氟乙烯内衬，加入乙醇胺溶剂使溶液体积占聚四氟乙烯内衬总体积的80％。磁搅拌数分钟，再加入分析纯的Zn源，磁搅拌均匀后密封反应釜，置于200℃烘箱中反应24小时，反应完成后清洗得到产物。本发明成功地用简单溶剂热方法在温和的条件下，通过改变Se源或Te源，首次在同一体系中一步可控合成具有闪锌矿或纤锌矿结构的ZnSe和ZnTe纳米材料。本发明的特点是：方法简单，成本低，产率高，产物均匀性好，可控性好，对环境危害小，易于推广且适合大规模生产。

公开(公告)号：CN102352485A

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN201110297648.6

申请日：2011-09-30

Applicant: 新疆大学

Inventor： 吴荣 ,  任银拴 ,  简基康 ,  潘东 ,  娄阳 ,  蒋小康 ,  李锦 ,  孙言飞 ,  任会会

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  H01L43/12 ,  H01F41/18 ,  H01F10/193

Abstract: 本发明公开了一种Si掺杂AlN稀磁半导体薄膜的制备方法。本方法以为高纯的氮气作为工作气体，采用高纯Al靶和硅片原位共溅射，系统的本底真空度为10-5Pa-10-4Pa，基片为n型Si（100），靶材与基片间的距离为60mm，溅射功率为300W，溅射气压为1.5Pa，衬底温度为370℃，溅射时间为60min。基片经清洗除去表面杂质后，通过改变掺杂硅片的数量来得到不同掺杂浓度的AlN稀磁半导体薄膜。本方法制备沉积速率高，工艺简单，而且不需要任何后续处理就可以得到具有室温铁磁性和高居里温度的稀磁半导体薄膜材料，因而具有重要的研究价值和广阔的应用前景。